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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級電路設(shè)計
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當(dāng)上管導(dǎo)通時,下管必...
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體...
NMOS我們通常都能看到比較好的Snap-back特性,但是實(shí)際上PMOS很難有snap-back特性,而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好,這個...
2023-10-26 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IC設(shè)計靜電放電 2608 0
BPA861X|高品質(zhì)BPA系列家電AC/DC芯片
目前市場上很多芯片不具備輸入過壓保護(hù)功能,個別芯片的輸入過壓保護(hù)需要外接一串電阻來實(shí)現(xiàn),我們的芯片將輸入過壓保護(hù)功能集成到內(nèi)部,簡化了外圍電路配置,降低成本。
在普通的晶體管中,電流由電子與空穴搬運(yùn),其“具有兩種極性”,所以被稱為雙極性晶體管。與此相比,N溝道FET是由電子來搬運(yùn)電流的,P溝道FET是由空穴來搬...
2024-02-05 標(biāo)簽:晶體管MOS場效應(yīng)晶體管 2581 0
MOS封裝工藝是指將制造好的MOS管芯片通過一系列步驟封裝到外殼中的過程。以下是MOS封裝工藝的詳細(xì)步驟和相關(guān)信息:
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2512 0
場效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
場效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
2023-02-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 2507 0
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計電機(jī)驅(qū)...
2022-07-27 標(biāo)簽:控制器電機(jī)驅(qū)動MOS 2426 0
Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...
為了提高電網(wǎng)的功率因數(shù),減少干擾,平板電視的大多數(shù)電源都采用了有源PFC電路,盡管電路的具體形式繁多,不盡相同,工作模式也不一樣(CCM電流連續(xù)型、DC...
2023-05-18 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源PFC 2392 0
MOS管損耗的8個組成部分在器件設(shè)計選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進(jìn)行先期計算(所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格...
2025-02-11 標(biāo)簽:負(fù)載電流開關(guān)電源電壓 2374 0
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導(dǎo)MOS的IV特性時,我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關(guān)系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
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