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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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應(yīng)用工程師咨詢:開關(guān)和多路復(fù)用器
A.ADG系列開關(guān)和多路復(fù)用器具有非常高的輸入帶寬,達(dá)到數(shù)百兆赫茲。但是,帶寬規(guī)格本身并沒有多大意義,因?yàn)樵谶@樣的高頻下,關(guān)斷隔離和串?dāng)_會(huì)明顯降低。例如...
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開關(guān),主要用來(lái)完成信號(hào)鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:CMOS模擬開關(guān)MOS 1596 0
三極管的基本原理 三極管如何實(shí)現(xiàn)電子開關(guān)功能
三極管有兩種類型,NPN型和PNP型,其結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示??梢钥闯?,三極管是由兩個(gè)PN結(jié)經(jīng)過(guò)特殊的工藝技術(shù)處理形成的。三極管有三個(gè)極:基極、集電極和...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流,MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣,沒有電流。
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 1588 1
功率半導(dǎo)體器件,簡(jiǎn)稱功率器件,又稱電力電子器件,屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】,典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)...
2023-06-27 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體功率IC 1571 0
反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓,導(dǎo)致電流反向流過(guò)系統(tǒng)。
2023-06-29 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 1552 0
之前在跟同事羅帥討論驅(qū)動(dòng)器的熱損耗,學(xué)習(xí)了一下,找的一篇TI的文章對(duì)半橋的功耗計(jì)算。
2022-12-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS半橋 1536 0
與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
直流電源開關(guān)TMI6240I/6250I——解決分立MOS開關(guān)易失效,安全更可靠
拓爾微自主研發(fā)一款可以應(yīng)用在各種需待機(jī)關(guān)斷功能模塊的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I,具備高集成度、高穩(wěn)定性、高可靠性的優(yōu)勢(shì)。
2023-08-10 標(biāo)簽:芯片開關(guān)電路MOS 1534 0
遠(yuǎn)翔DC輸入36V 5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器 內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR 車用充電器/適配器降壓方案
方案名稱遠(yuǎn)翔DC輸入36V5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR車用充電器/適配器降壓方案?IC一般描述FP6151是一款輸入可達(dá)3...
可關(guān)斷、低噪聲MOS型LDO AiP76XX系列簡(jiǎn)介
中微愛芯AiP76XX系列是支持最大輸出電流為300mA的MOS型LDO。該系列LDO具有低噪聲和高PSRR等特點(diǎn),并且?guī)в嘘P(guān)斷功能,關(guān)斷電流<1uA,...
在RF設(shè)計(jì)中,經(jīng)常用到無(wú)源元件電感,電感的面積較大,占芯片較大部分面積,介紹一種有源電感模型,通過(guò)簡(jiǎn)單的MOS電路實(shí)現(xiàn),相對(duì)于螺旋電感來(lái)說(shuō),面積會(huì)減小很...
與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...
一種大電荷處理能力紅外探測(cè)器讀出電路像素設(shè)計(jì)
讀出電路將紅外探測(cè)器二極管激發(fā)產(chǎn)生的光電子收集、積分成為電壓信號(hào)并按序讀出,使其變成后端系統(tǒng)可讀的電信號(hào),是紅外焦平面探測(cè)器的重要組成部分。
mos驅(qū)動(dòng)芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些
MOS驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計(jì)和選擇MOS驅(qū)...
2024-07-14 標(biāo)簽:集成電路MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1508 0
仁懋MOSFET:為房車儲(chǔ)能系統(tǒng)注入強(qiáng)勁動(dòng)力
仁懋MOSFET:為房車儲(chǔ)能系統(tǒng)注入強(qiáng)勁動(dòng)力MOT“露營(yíng)經(jīng)濟(jì)”持續(xù)火熱,咨詢報(bào)告顯示,2022年中國(guó)“露營(yíng)經(jīng)濟(jì)”核心市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1134.7億元,同比增長(zhǎng)...
SOT-23 升壓轉(zhuǎn)換器可在狹小空間內(nèi)提供高功率
LT1935是一款電流模式升壓調(diào)節(jié)器,采用小型5引腳ThinSOT封裝。憑借其小封裝、高開關(guān)頻率(1.2MHz)和內(nèi)部2A、40V電源開關(guān),LT1935...
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