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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
大家都知道三極管是電流控制型元件,三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系,怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng),還是...
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處,希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識別三種特性曲線的區(qū)別,而不是死記硬背。研究MOS管,一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Mille...
一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個(gè)方面用工程師的話簡單描述。
2023-01-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 5079 0
因?yàn)槟M信號經(jīng)過施密特觸發(fā)器后只有0/1兩種狀態(tài),因此信號源輸入在施密特觸發(fā)器前。類似地,當(dāng)GPIO 引腳用于DAC 作為模擬電壓輸出通道時(shí),DAC 的...
常說的與推挽輸出相對的就是開漏輸出(Open Drain Output),對于開漏輸出和推挽輸出的區(qū)別最普遍的說法就是開漏輸出無法真正輸出高電平,即高電...
主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識,例如:mos管工作原理、mos管封裝等知識。
MOS晶體管結(jié)構(gòu)與CMOS單元電路與版圖闡述
作者 IC_learner 在此特別鳴謝; 今天我就來聊聊基本的器件:CMOS器件及其電路。在后面會(huì)聊聊鎖存器和觸發(fā)器。 今天的主要內(nèi)容如下所示: ·M...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。 一、電源I...
2023-01-16 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬 0
在模擬IC電路設(shè)計(jì)中,會(huì)經(jīng)常使用到電容。芯片內(nèi)部的電容一般使用金屬當(dāng)作上下基板,但是這種金屬電容缺點(diǎn)是消耗面積太大。為了作為替代,在一些對電容要求不是很...
自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲(chǔ)能的電壓自舉電路通常是利用電容對電荷的存儲(chǔ)作用來實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)MOS 1.0萬 0
“電路防反接,你真的會(huì)用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師,都會(huì)在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND...
基于BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的自舉升壓電路設(shè)計(jì)
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是...
2023-01-15 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MOS驅(qū)動(dòng)電路 720 0
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