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mos

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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

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mos技術(shù)

異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片 FP6291C,最高輸出5-12V/6-8W,輸入限流可調(diào),易過(guò)EMI

異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片 FP6291C,最高輸出5-12V/6-8W,輸入限流可調(diào),易過(guò)EMI

概述FP6291C是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組件...

2024-11-23 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 370 0

MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會(huì)損壞嗎?

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單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過(guò)壓耐...

2024-11-25 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS 4850 0

三相逆變橋電路、原理、導(dǎo)通及相關(guān)問(wèn)題

三相逆變橋電路、原理、導(dǎo)通及相關(guān)問(wèn)題

三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...

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平衡車哭訴:MOS 管沒(méi)選好,我的心里不平衡!

平衡車哭訴:MOS 管沒(méi)選好,我的心里不平衡!

一、行業(yè)背景隨著環(huán)保意識(shí)的不斷提高和城市交通擁堵問(wèn)題的日益嚴(yán)重,電動(dòng)平衡車以其小巧靈活、綠色環(huán)保等特點(diǎn),成為了人們出行的新選擇。一方面,電動(dòng)平衡車市場(chǎng)呈...

2024-11-15 標(biāo)簽:MOS平衡車電動(dòng)平衡車 490 0

MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析

MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析

MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)O...

2024-11-15 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 6899 1

MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題?

MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題?

Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...

2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFET電容MOS 7498 0

異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291,最高輸出5-12V/5-7W,輸入限流可調(diào)

異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291,最高輸出5-12V/5-7W,輸入限流可調(diào)

芯片概述FP6291是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。FP6291它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多...

2024-11-09 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 663 0

MOS管在儲(chǔ)能變流器上的應(yīng)用

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多晶硅柵工藝的制造流程

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2024-11-07 標(biāo)簽:晶圓工藝MOS 1277 0

浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

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FP6277同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/3A芯片,輸入限流可調(diào)

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FP6277是一個(gè)具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置30mΩ高側(cè)開(kāi)關(guān)和30mΩ低側(cè)開(kāi)關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)...

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方案名稱遠(yuǎn)翔DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,RGB洗墻燈舞臺(tái)燈三路共陽(yáng)DMX512調(diào)光方案,支持1階啟...

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失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效,分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...

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    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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jf_84511548 繁華還未開(kāi)至荼靡 朱爭(zhēng)光 jf_51280656 五星之光 fan1488 VISINOBiLL jf_98695123 三無(wú)啊 達(dá)森8772 風(fēng)雨之后的彩虹 jf_34540168

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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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