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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片 FP6291C,最高輸出5-12V/6-8W,輸入限流可調(diào),易過(guò)EMI
概述FP6291C是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組件...
2024-11-23 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 370 0
MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會(huì)損壞嗎?
單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過(guò)壓耐...
2024-11-25 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS 4850 0
三相逆變橋電路、原理、導(dǎo)通及相關(guān)問(wèn)題
三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...
2024-11-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)PWMMOS 8035 0
一、行業(yè)背景隨著環(huán)保意識(shí)的不斷提高和城市交通擁堵問(wèn)題的日益嚴(yán)重,電動(dòng)平衡車以其小巧靈活、綠色環(huán)保等特點(diǎn),成為了人們出行的新選擇。一方面,電動(dòng)平衡車市場(chǎng)呈...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS平衡車電動(dòng)平衡車 490 0
MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析
MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)O...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 6899 1
MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題?
Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291,最高輸出5-12V/5-7W,輸入限流可調(diào)
芯片概述FP6291是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。FP6291它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多...
2024-11-09 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 663 0
1、儲(chǔ)能交流器(PCS)儲(chǔ)能變流器(PCS)的定義儲(chǔ)能變流器,又稱雙向儲(chǔ)能逆變器,英文名PCS(PowerConversionSystem),是儲(chǔ)能系統(tǒng)...
2024-11-08 標(biāo)簽:MOSPCS儲(chǔ)能變流器 825 0
與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...
浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開(kāi)發(fā)及寬禁帶材...
低壓差線性穩(wěn)壓器AiP73XX系列產(chǎn)品介紹
低壓差線性穩(wěn)壓器,是一種輸入電壓大于輸出電壓的直流交流穩(wěn)壓器,可以分為雙極型和MOS型。雙極型LDO可以承受高輸入電壓,靜態(tài)電流為mA級(jí)別,MOS型LD...
FP6277同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/3A芯片,輸入限流可調(diào)
FP6277是一個(gè)具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置30mΩ高側(cè)開(kāi)關(guān)和30mΩ低側(cè)開(kāi)關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)...
2024-10-26 標(biāo)簽:芯片直流轉(zhuǎn)換器MOS 670 0
內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,RGB洗墻燈舞臺(tái)燈三路共陽(yáng)DMX512調(diào)光方案,支持1階啟動(dòng),調(diào)光深度0.01%
方案名稱遠(yuǎn)翔DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,RGB洗墻燈舞臺(tái)燈三路共陽(yáng)DMX512調(diào)光方案,支持1階啟...
首發(fā):耐壓85V 內(nèi)置MOS降壓控制器方案FP7132
FP7132是一種高效的降壓控制器。它被設(shè)計(jì)為在連續(xù)電流模式下工作,為高亮度的led供電,寬輸入電壓范圍為6V到85V。FP7132采用了一種滯后控制結(jié)...
科力微電子產(chǎn)品在便攜式儲(chǔ)能的應(yīng)用
? 面向消費(fèi)者的便攜式儲(chǔ)能是儲(chǔ)能市場(chǎng)新的藍(lán)海分支,一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期,另一方面產(chǎn)品具有消費(fèi)品屬性。便攜式儲(chǔ)能又稱“大號(hào)充電寶”“戶外電源”,廣泛...
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng),因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞,使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動(dòng)的,因此只需...
Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...
開(kāi)關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦?快來(lái)試試這個(gè)方法!
開(kāi)關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦?快來(lái)試試這個(gè)方法!我本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6842S,這是一款高度集成的電流控制型PW...
2024-09-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS轉(zhuǎn)化器 1070 0
廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效,分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS失效機(jī)理 1328 0
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