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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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學(xué)技術(shù) | 氮化鎵(GaN)與硅(Si)的MOS開關(guān)比較
由于寬能隙功率元件的優(yōu)異切換性能,近幾年已經(jīng)漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對于系統(tǒng)的功率密度與效率的提升幫助有多少?原先所使用的以硅為基礎(chǔ)...
高壓MOS管4N65/7N65/10N65/12N65,士蘭微mos代理商!
MOS管是一種金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體,具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點,是中小功率應(yīng)用領(lǐng)域的主流開關(guān)器件,廣泛應(yīng)...
2022-09-15 標簽:MOS 3247 0
IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理
MOSFET作為功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于汽車、家電、光伏、風(fēng)電、軌交等領(lǐng)域,長期以來一直被國外廠商占據(jù)著大部分市場份額,受益于龐大的終端消費需求,國內(nèi)終端廠...
2022-06-27 標簽:MOS 1677 0
6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征...
2022-01-07 標簽:MOS 932 0
8.2.8 UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.8UMOS的先進設(shè)計8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用...
2022-03-01 標簽:MOS 1143 0
?安森德N溝道MOS ASDM100R066NQ用于5G小基站
5G小基站是實現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋的關(guān)鍵組成部分,一般應(yīng)用在流量需求大的熱點區(qū)域,如大型商場等。目前各運營商都在進行5G基礎(chǔ)設(shè)施,未來將實現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的覆蓋...
2022-05-06 標簽:MOS 1126 0
8.2.2 分裂準費米能級的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.2分裂準費米能級的MOS靜電學(xué)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、...
2022-02-23 標簽:MOS 1088 0
安森德P溝道 MOS ASDM60P25KQ替代萬代AOD407、臺灣微碧2SJ601-Z
安森德推出的P溝道溝槽式MOS管ASDM60P25KQ,具有超低的Qgd,通過了100%雪崩測試,安全性能較好,可替代萬代的AOD407和臺灣微碧(VB...
2022-05-06 標簽:MOS 1257 0
10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
ImpactIonizationMOS撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂http...
2022-03-21 標簽:MOS 588 0
8.2.12 MOSFET 瞬態(tài)響應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.12MOSFET瞬態(tài)響應(yīng)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和...
2022-03-07 標簽:MOS 977 0
8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》...
士蘭微mos管產(chǎn)品主要包括低高壓、超結(jié)mos管,實現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS,溝槽屏蔽柵SGT-MOS,超級結(jié)MOS和IGBT等多個產(chǎn)品的量產(chǎn),廣泛應(yīng)用于家電...
2022-06-01 標簽:MOS 2786 0
RS瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動電源上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動方案上,推薦使用平面高壓MOS系列,憑借可靠性高、參數(shù)一致性好,內(nèi)阻低等特點,助力LED驅(qū)動事業(yè)蓬勃發(fā)展
2023-06-02 標簽:半導(dǎo)體MOSLED驅(qū)動電源 763 0
1T 8051 CPU指令集全兼容MCS-51的特性、集成PFG掃頻輸出、、觸摸、ADC及電源管理模塊,可實現(xiàn)高精度掃頻輸出、充電管理、升壓管理等。
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動平衡車上的應(yīng)用
針對市面上的電動平衡車,瑞森半導(dǎo)體推薦SGT-MOS系列,具有高一致性、高可靠性、開關(guān)速度快、低導(dǎo)通內(nèi)阻
影響第三代半導(dǎo)體SiC MOS閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些?如何應(yīng)對?
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性,在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移,導(dǎo)致其電性能測...
FP7195大功率零壓差全程無頻閃調(diào)光DC-DC恒流芯片,千分之一調(diào)光深度
FP7195是一個外置N-MOSFET的LED驅(qū)動IC。 由于FP7195采用高壓端點電流偵測,而且IC補償回路采用電流模式,具有優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)又能簡化...
FS4066耐高壓1到4節(jié)內(nèi)置MOS的鋰電池充電管理芯片
4066系列是一款耐壓25V多串3A鋰離子電池充電IC。FS4066A是4.2V單價3A內(nèi)置MOS降壓充電IC,F(xiàn)S4066B是8.4V兩串3A內(nèi)置MO...
FS4066耐高壓1到4節(jié)內(nèi)置MOS的鋰電池充電管理芯片
FS4066系列是一款耐壓25V多串3A鋰離子電池充電IC。FS4066A是4.2V單價3A內(nèi)置MOS降壓充電IC,F(xiàn)S4066B是8.4V兩串3A內(nèi)置...
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