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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效...
世微AP5125外置MOS管平均電流型LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)
AP5125 是一款外圍電路簡(jiǎn)單的 Buck 型平均電流檢測(cè)模式的 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器,適用于 8-100V 電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動(dòng)...
2022-11-16 標(biāo)簽:MOS恒流驅(qū)動(dòng) 1.6k 0
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類(lèi)的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)??蓺w結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下,有...
為什么MOS管要并聯(lián)個(gè)二極管,有什么作用?
這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說(shuō)起,不管是MOS還是二極管,都是由半導(dǎo)體材料構(gòu)成,我們都知道二極管是由一對(duì)PN結(jié)構(gòu)成,見(jiàn)下圖,P型區(qū)對(duì)應(yīng)二極管的陽(yáng)極,N型區(qū)對(duì)...
寄生電感對(duì)Buck電路中開(kāi)關(guān)管的影響
LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管,同樣由于PCB上的走線,Die與芯片引腳之間Bonding線都會(huì)帶來(lái)寄生電...
2022-11-15 標(biāo)簽:MOS開(kāi)關(guān)管微源半導(dǎo)體 2.6k 0
自舉電容,內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過(guò)自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。
2022-11-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS 3.2k 0
5-100V內(nèi)置MOS低成本汽車(chē)摩托車(chē)車(chē)燈的做法
提供DC/DC恒流調(diào)光IC:攝影補(bǔ)光燈IC,舞臺(tái)燈IC,帕燈IC,線條燈IC,汽車(chē)工作燈IC,電動(dòng)摩托車(chē)燈IC,汽車(chē)前大燈IC芯片,車(chē)燈IC芯片,剎車(chē)燈...
3種MOS管的基本電路及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的放大特性
MOS管有三個(gè)端子,確切的說(shuō),有四個(gè)端子,分別是源極,漏極,柵極還有襯底極。
高邊MOS和低邊MOS由驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的輸出HO為高時(shí),高邊MOS導(dǎo)通,OUT電壓幾乎等于HV。其電流路徑為,從HV流經(jīng)高邊MOS,最后流向外部負(fù)...
金譽(yù)半導(dǎo)體:MOS管耗盡型和增強(qiáng)型是什么意思?
首先,MOS管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但...
2022-10-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS 3.6k 0
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車(chē)規(guī)級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車(chē)規(guī)級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通...
2022-09-29 標(biāo)簽:繼電器MOS驅(qū)動(dòng)芯片 3.5k 0
4種常見(jiàn)的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,你用過(guò)幾個(gè)?
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,選擇唯樣商城的MOS管,其次驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。
2022-09-18 標(biāo)簽:MOS管MOS驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬(wàn) 0
產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì) TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見(jiàn)的D2PAK封裝小27%。它也屬于4引腳型封裝,能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開(kāi)爾文連接,從而...
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序?;酒骷?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過(guò) ...
NP3400AMR(30 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP3400A使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP30N03LD6(30 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP30N03LD6使用溝技術(shù)獨(dú)特的優(yōu)化提供最有效的高頻率切換的性能。兩個(gè)傳導(dǎo)由于一個(gè)和交換式電源損失最小化 極低的RDS(上)和路上的組合。這設(shè)備...
NP2102EKR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2102EKR設(shè)計(jì)最小化開(kāi)態(tài)電阻(RDS(上)),但維護(hù)優(yōu)越的切換性能,使它適合高效率電源管理應(yīng)用程序。
NP2302FVR-YB(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR-YB使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備適用于使用作為PWM負(fù)荷開(kāi)關(guān)或應(yīng)用程序。
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