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      NP3416BEMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)

      batai ? 來源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-19 09:07 ? 次閱讀
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      1.描述
      NP3416BEMR采用先進(jìn)的溝槽提供出色的RDS（開）、低柵電荷的技術(shù)和低至1.8V的柵極電壓工作。這個(gè)該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM申請(qǐng)。

      2.一般特征
      VDS=20V，ID=4A
      RDS(ON)（典型值）=18.5 mΩ@VGS=4.5 V
      RDS（ON）（典型值）=23.3 mΩ@VGS=2.5V
      （1）高功率和電流處理能力
      獲得無鉛產(chǎn)品
      表面貼裝封裝
      額定ESD：2500V HBM

      3.應(yīng)用程序
      PWM應(yīng)用
      負(fù)荷開關(guān)

      4.包裝
      SOT-23-3L

      5.示意圖

      poYBAGLWA7aAMyAZAAETptY2xFw900.png



      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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