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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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山東半導(dǎo)體商會一屆二次大會暨首屆山東半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)峰會成功召開
2020年12月18日-19日,山東半導(dǎo)體商會一屆二次會員大會暨首屆山東半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)峰會在山東濰坊富華大酒店隆重召開。 中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會靳陽葆執(zhí)行秘書長...
電弧打火機(jī)應(yīng)用100vMOS 打火猛低內(nèi)阻25N10貼片MOS管 溫升低HG021N10L
惠海半導(dǎo)體專業(yè)從事30-150V中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,性價(jià)比高,量產(chǎn)穩(wěn)定成熟,提供方案及技術(shù)支持。 場效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路中與數(shù)字...
2021-02-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS 3885 0
安防監(jiān)控專用HC606介紹 60V常用低壓MOS管6A MOS N溝道小體積散熱能力好
型號:HC080N06LS【06N06】 絲?。篐C606 參數(shù):60V 6A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 溝槽型 內(nèi)阻72mR 低結(jié)電容435pF? 封裝...
2021-02-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS 4437 0
光電開關(guān)中中的CCD的基本組成分兩部分,MOS光敏元陳列和讀出移位寄存器。電荷耦合器件是在半導(dǎo)體硅片上制作成千上萬個(gè)光敏元,一個(gè)光敏元又稱一個(gè)像素,在半...
2021-02-08 標(biāo)簽:CCDMOS光電開關(guān) 4934 0
跨接直流電源MOS管GS之間的電阻的實(shí)際作用在于直流電源MOS管GS的驅(qū)動電路。這種阻力可能存在也可能不存在。常用值是5k和10k,但是這個(gè)電阻的目的是...
HG5511D參數(shù)特性 60V低壓MOS 40A結(jié)電容低 手機(jī)快充專用MOS管
MOS管型號:HG5511D 參數(shù):60V 40A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:11mR(Vgs=10V) ? ? ? ? ? 14mR(Vgs=4....
2021-01-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 3734 0
樂山無線電發(fā)布漲價(jià)函,涉及IC和MOS等產(chǎn)品
集微網(wǎng)消息,1月19日,樂山無線電向客戶和代理商發(fā)布產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整通知函。 樂山無線電表示,由于本年度市場劇烈變化,晶圓廠和上游原材料價(jià)格大幅持續(xù)上漲,導(dǎo)...
高端管的驅(qū)動方法有幾個(gè),如用隔離變壓器等。自舉型驅(qū)動IC具有簡單、實(shí)用的特點(diǎn),目前被廣泛地使用。下面簡要地描述自舉的工作過程,目的是理清自舉的工作原理,...
HC030N10L介紹 場效應(yīng)管100V MOS管100V 30A TO-252 N溝道MOS管
? ■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管,低開啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強(qiáng)。...
2021-01-20 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS 6433 0
H012N06L參數(shù)特性 替代PAO4264E 貼片MOS管SOP-8
MOS管參數(shù):60V50A 內(nèi)阻:14mR(VGS=4.5V) 結(jié)電容:550pF 類型:SGT工藝NMOS 開啟電壓:1.8V 封裝:TO-252 H...
2021-01-19 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3333 0
100v低壓MOS管HG1006D參數(shù) DFN3X3
參數(shù):100V 25A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V) 結(jié)電容:839pF 開啟電壓:1.7V ...
2021-01-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 3458 0
HC085N10L-B特性 100V貼片MOS管15N10低壓MOS 低結(jié)電容低內(nèi)阻
型號:HC085N10L 參數(shù):100V 15A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻71mR 低結(jié)電容436pF? 封裝:貼片(SOT89-3) 低開啟電壓1...
2021-01-15 標(biāo)簽:led場效應(yīng)管MOS管 3506 0
60VMOS管30N06 30A 低結(jié)電容場效應(yīng)管SOP-8封裝
型號:HC037N06LS 參數(shù):60V 8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻31mR 低結(jié)電容650pF? 封裝:貼片(SOP-8) 低開啟電壓1.8V...
2021-01-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 5904 0
MOS管漲價(jià)最新消息mosfet價(jià)格走勢長紅 Diodes 士蘭微等陸續(xù)發(fā)布漲價(jià)通知
受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,近日,國內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價(jià)通知,目前已累計(jì)四家MOS管廠商已經(jīng)啟動漲價(jià),漲...
Amazon S3如何實(shí)現(xiàn)原生支持強(qiáng)一致性
在2020年最后一個(gè)月的第一天,AWS官方博客發(fā)布文章稱:Amazon S3實(shí)現(xiàn)了原生支持強(qiáng)一致性。從2006年上線至今,Amazon S3一直采用最終...
2021-09-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)存儲MOS 1001 0
如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路,階躍信號VG1設(shè)置DC電平2V,方波(振幅2V,頻率50Hz),T2的開啟電壓2V,所以MOS管T2會以周期T=20ms進(jìn)...
MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件,外形如圖4-2,所示。和普通雙極型晶體管相比擬,場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲...
三極管和mos管長得很像,有些人還以為他們的功能差不多,其實(shí)不然,三極管管是電流控制器件(通過基極較小的電流控制較大的集電極電流),MOS管是電壓控制器...
MOS對象存儲為IPFS提供了堅(jiān)實(shí)的底座基礎(chǔ)
IPFS是InterPlanetary File System(星際文件系統(tǒng))的簡稱,是一個(gè)旨在創(chuàng)建持久且分布式存儲和共享文件的網(wǎng)絡(luò)傳輸協(xié)議。IPFS網(wǎng)...
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