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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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**半導(dǎo)體是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的?** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子(負(fù)電荷)或者空穴(正電荷),統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小...
STripFET F8 MOSFET在汽車配電系統(tǒng)的作用
汽車電動(dòng)化和數(shù)字化的大趨勢(shì)包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率芯片驅(qū)動(dòng)數(shù)字化、電池管理系統(tǒng)、功率電子和電源/能源管理。
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET電源管理電池管理系統(tǒng) 2121 0
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動(dòng)電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
隨著時(shí)代的發(fā)展,電源被設(shè)計(jì)得越來(lái)越小,卻越來(lái)越高效,而在節(jié)能倡議和客戶期望的推動(dòng)下,電源還需要具有功率因子校正(PFC)功能。通過減少諧波含量和被動(dòng)電源...
FET的全稱是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor),和BJT不同,F(xiàn)ET的核心工作原理是:通過在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場(chǎng)來(lái)改變...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試
負(fù)載瞬態(tài)通常使用電子負(fù)載(E-Load)進(jìn)行測(cè)試,前面提到,負(fù)載的跳變斜率(Slew Rate)將對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵影響,然而受設(shè)備內(nèi)部電路限制,常規(guī)電...
2023-02-03 標(biāo)簽:測(cè)試轉(zhuǎn)換器MOSFET 2753 0
小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試
在DCDC電源測(cè)試中,負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試(Load Transient Test)是十分重要的一環(huán),利用負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試,可以快速評(píng)估所測(cè)電源的穩(wěn)定性與快速性,而...
為了正確預(yù)測(cè)MOSFET的開關(guān)和EMC行為,必須有一個(gè)精確的模型,了解其在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。這些信息使設(shè)計(jì)人員能夠使用SPICE軟件包...
從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享,接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
有沒有同學(xué)好奇,作為模擬芯片設(shè)計(jì)師,幾乎都在用CMOS工藝,大部分電路也是用的MOSFET,很少用BJT去設(shè)計(jì)大規(guī)模電路,那么,到底應(yīng)該對(duì)BJT這種de...
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 997 0
穩(wěn)壓器產(chǎn)生預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無(wú)論其輸入電壓或負(fù)載條件如何變化,該輸出電壓都保持不變。有兩種類型的穩(wěn)壓器:線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器。
單片式驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)如何改進(jìn)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
隨著發(fā)展挑戰(zhàn)的不斷發(fā)展,電力行業(yè)將找到滿足相應(yīng)要求的方法。一種解決方案在單個(gè)單片芯片中集成了先進(jìn)的開關(guān)MOSFET(穩(wěn)壓器的主要構(gòu)建模塊)及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)...
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1768 0
刻蝕是移除晶圓表面材料,達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)CMOS芯片 3584 0
以這種方式驅(qū)動(dòng)兩個(gè)或多個(gè)MOSFET時(shí),通常需要在MOSFET柵極串聯(lián)中添加小電阻以防止振蕩。差動(dòng)放大器配置進(jìn)一步擴(kuò)展,包括求和,方法是將反饋和分壓器電...
2023-01-31 標(biāo)簽:放大器MOSFET運(yùn)算放大器 825 0
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