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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
MOSFET管柵極為什么放置一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻
在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問題”(點(diǎn)擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文),對(duì)...
2022-07-25 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOSFET柵極 4104 0
使用數(shù)字控制器設(shè)計(jì)多相降壓轉(zhuǎn)換器
近幾十年來,服務(wù)器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)隨著電力輸送 (PD) 需求的增加而增加。這使穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)復(fù)雜化,因?yàn)樗枰谔岣咝屎涂焖賱?dòng)態(tài)響應(yīng)之間以及在更低功率損...
2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET數(shù)字控制器 1736 0
第4世代SiC MOSFET使用時(shí)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
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安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢(shì)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來,如在關(guān)鍵...
LED作為新型照明光源,具有高效節(jié)能、工作壽命長等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場(chǎng)景。LED恒流驅(qū)動(dòng)特征需要特定的AC-...
2022-07-20 標(biāo)簽:ledMOSFET驅(qū)動(dòng)電源 3221 0
采用FPGA實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
LMZ31506 簡(jiǎn)單開關(guān)器等電源模塊可以將 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率 MOSFET、屏蔽電感器和無源器件集成到薄型 QFN 封裝中。這可以減少設(shè)計(jì)時(shí)間...
2022-07-13 標(biāo)簽:fpga轉(zhuǎn)換器MOSFET 2732 0
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種方法,最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵(GaN)器件具有類似硅的電性能,可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小,所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件,對(duì)MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
在過去的幾十年里,音頻內(nèi)容已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步,從經(jīng)典的電子管放大器到現(xiàn)代媒體播放器,技術(shù)進(jìn)步改變了數(shù)字媒體的消費(fèi)方式。在所有這些創(chuàng)新中,便攜式媒體播放...
風(fēng)力發(fā)電的逆變?cè)O(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場(chǎng)效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過模擬電路...
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過...
2022-07-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬 0
如何實(shí)現(xiàn)真正的無毛刺監(jiān)控器
可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。
SiC MOSFET電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)
工程師面臨著對(duì)現(xiàn)代電動(dòng)汽車 (EV) 性能和里程的權(quán)衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時(shí)的充電站。另外,更長里程要求造成了各項(xiàng)進(jìn)展的不確定性...
2022-07-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET牽引逆變器 2131 0
SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時(shí)參考!
基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理,實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢(shì)必要來一篇文章,徹底掌握mos管!
2022-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.2萬 0
基于NP60P012D3的12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P012D3采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極技術(shù) 電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。 一般特征 VDS = -12v, i...
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的工作情況
具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳,可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。
2022-06-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 1794 0
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