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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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根據(jù)柵極電壓,觀察負(fù)載R1上流過的電流,看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對圖如圖3所示。對于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓,該組件均保持...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 2630 0
如何應(yīng)對輸入端負(fù)壓 驅(qū)動輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因
由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動大功率負(fù)載,在硬開關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會對驅(qū)動芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
如何使用ASIC實(shí)現(xiàn)在家用電器中應(yīng)用功能安全性
如果我們首先看一下電池管理器的元件,則需要高精度的電壓感應(yīng)來確定鋰離子電池的充電狀態(tài)和溫度。
有刷直流電機(jī)驅(qū)動H橋電路:輸出狀態(tài)的切換
本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動的H橋的實(shí)際控制(切換)。 H橋電路:輸出狀態(tài)的切換 在上一篇文章中我提到過在向電機(jī)的兩個端子施加電壓時有四種連接方式: ①兩...
SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān):緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開關(guān)...
盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見應(yīng)用
絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為...
2021-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管 9516 0
如何利用DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器進(jìn)行精確地限制電流?
高端電流檢測放大器也可用于通過電源路徑中的電流檢測電阻測量小壓降。它們可以非常準(zhǔn)確地測量電流。
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬 0
探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對開關(guān)頻率的影響
由于快速的開關(guān),傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加,在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關(guān)速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)頻率SiC MOSFET 8225 0
如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時代,隨著電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動汽車充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時的現(xiàn)實(shí)考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2616 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
電源設(shè)計(jì)中關(guān)于噪聲和尖峰的解決方案
對于許多應(yīng)用而言,下一代IC封裝是在縮小整體封裝尺寸的同時實(shí)現(xiàn)硅縮放,功能密度和異構(gòu)集成的最佳途徑。異構(gòu)異構(gòu)集成提供了增強(qiáng)設(shè)備功能,加快上市時間和提高硅...
2021-04-01 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電路MOSFET 6169 0
降壓轉(zhuǎn)換器仿真的電源設(shè)計(jì)方案分析
降壓轉(zhuǎn)換器 降壓或降壓轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的DC / DC開關(guān)穩(wěn)壓器。制造商通過其控制器提供降壓集成電路。降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷恨D(zhuǎn)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET控制器開關(guān)穩(wěn)壓器 3603 0
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時克服了驅(qū)動...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 4282 0
如何在電源良好引腳上使用MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)溫度測量
設(shè)計(jì)人員經(jīng)常想測量直流開關(guān)電源的結(jié)溫。從安全和故障模式以及效果分析(FMEA)的角度來看,了解系統(tǒng)的結(jié)溫是一項(xiàng)重要且基本的要求。在許多應(yīng)用中,重要的是在...
如何利用運(yùn)算放大器和MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載
測試電源和電池需要電流負(fù)載,該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個運(yùn)算放大器和一個功率MOSFET就可以構(gòu)建一個簡單而準(zhǔn)確的電流負(fù)載,如圖...
探討MOSFET對DC/DC穩(wěn)壓器電路適用的EMI的抑制技術(shù)
本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中,介紹了抑制傳導(dǎo)和輻射電磁干擾 (EMI) 的實(shí)用指南和示例,尤其是針對采用單片集成功率 MOSFET 的 DC...
如何使用MOSFET或者IGBT實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)是通過MOSFET...
2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 6128 0
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