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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊
這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...
TPS22963C 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開關(guān) 受控打開。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5....
2025-05-12 標(biāo)簽:MOSFETNMOS負(fù)載開關(guān) 297 0
TPS54560 4.5V 至 60 V 輸入,帶 Eco 模式的 5 A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54560 是一款 60 V、5 A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件可承受高達(dá) 65V 的負(fù)載突降脈沖,符合 ISO 7637 標(biāo)...
2025-06-28 標(biāo)簽:MOSFET元件降壓穩(wěn)壓器 296 0
HUSB385在保留強(qiáng)大協(xié)議兼容性和安全機(jī)制的前提下,通過內(nèi)部集成兩個低Rdson的N-MOSFET,減少了外部元件數(shù)量,降低了電路板的復(fù)雜度,提升了系...
2025-06-18 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 296 0
TPSM64404 0.8V 至 16V 輸出,雙通道 2A 高密度電源模塊數(shù)據(jù)手冊
TPSM6440xx 是一款高度集成的 36V 輸入直流/直流設(shè)計(jì),將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在一個增強(qiáng)型 HotRod? QFN...
LMR14020-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、2A、2.2MHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
LMR14020-Q1 是一款 40V、2A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件具有 4V 至 40V 的寬輸入范圍,專為從工業(yè)到汽車的各種...
2025-06-20 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓電源降壓穩(wěn)壓器 295 0
UCD74120 14 V、25 A 同步降壓功率級,帶輸出電流監(jiān)控技術(shù)資料
UCD74120 是一款多芯片模塊,將一個驅(qū)動器器件和兩個 NexFET 功率 MOSFET 集成到一個熱增強(qiáng)型緊湊型 5 mm × 7 mm QFN ...
2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器降壓轉(zhuǎn)換器 295 0
UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動強(qiáng)度為 4 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)GaN 295 0
UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動功率 ...
LM5105系列 具有 8V UVLO 和可編程死區(qū)時間的 1.8A、1.6A 100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5105 是一款高壓柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動高側(cè)和 采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動的 高側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電...
L5981 最高1 A步降開關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
L5981 是一款降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,具有 1.5 A(最?。┫蘖髑度胧焦β?MOSFET,因此它能夠根據(jù)應(yīng)用條件向負(fù)載提供超過 1 A 的直流電流。 ...
2025-04-01 標(biāo)簽:MOSFET嵌入式開關(guān)穩(wěn)壓器 294 0
LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二極管控制器,溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊
LM7480 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 6...
以“母性和蘋果派”的陳述開始博客總是很誘人的,比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個優(yōu)勢,但有時凈收益被錯誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點(diǎn)熱量...
TPS51383 4.5V 至 24V 輸入、8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS51383 和 TPS51384 是具有自適應(yīng)導(dǎo)通時間 D-CAP3 控制模式的單片 8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。集成低 R ~DS(開)~ 功率 MO...
2025-06-07 標(biāo)簽:MOSFET元件電源系統(tǒng) 294 0
LM62435-Q1 汽車類 3V 至 36V、3.5A、低 EMI 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
LM62435-Q1 是一款專注于汽車的高性能 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器。借助集成的高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET,可在 3.0 V 至 36 V 的寬...
TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22998 是一款單通道負(fù)載開關(guān),可提供可配置的上升時間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.2 V 至 ...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 292 0
UCC27222 高效預(yù)測同步降壓驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27221 和 UCC27222 是高速同步降壓驅(qū)動器,適用于當(dāng)今的高效率、低輸出電壓設(shè)計(jì)。這些驅(qū)動器采用預(yù)測柵極驅(qū)動? (PGD) 控制技術(shù),可...
LM74700D-Q1 汽車類 3.2V 至 70V、80μA 電池反向保護(hù)理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74700D-Q1 是一款符合汽車 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管整流器,用于低損耗...
車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC,正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...
TPS54388C-Q1 汽車類 2.95V 至 6V、3A、2MHz 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54388C-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、3A、同步降壓電流模式轉(zhuǎn)換器,具有兩個集成 MOSFET。 TPS54388C-Q1 器件通...
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