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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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在高級(jí)開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中采用絕緣柵雙極型晶體管降低成本
隨著國(guó)際汽油價(jià)格的不斷攀升,運(yùn)輸成本和所有其他能源生產(chǎn)成本也隨著石油價(jià)格的上漲而不斷增大。同時(shí),人們對(duì)電力的需求也達(dá)到了一個(gè)前所未有的高度。同樣糟糕的是...
2020-07-31 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源晶體管 1124 0
Si整流器與SiC二極管的性能特點(diǎn)及應(yīng)用比較
肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特性更像一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。肖特基二極管最重要的兩個(gè)性能指標(biāo)就是它的低反向恢復(fù)電荷(QRR)和它的恢復(fù)軟化系數(shù)。
高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器FAN3XXX系列產(chǎn)品的特點(diǎn)與典型應(yīng)用電路分析
FAN3XXX系列是飛兆公司(FAIRCHILD)2007年10月推出的新產(chǎn)品,是一種高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列。該系列各種驅(qū)動(dòng)器與PWM控制器及功...
2020-07-26 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器功率 2909 0
采用兩只MOSFET進(jìn)行串聯(lián)替代普通繼電器實(shí)現(xiàn)應(yīng)用
普通的機(jī)電式繼電器具有低成本和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),經(jīng)常用于大負(fù)載電流的通斷切換,以及不需要按比例控制負(fù)載電流或電壓的情況。低成本和低導(dǎo)通電阻是它們?cè)诠I(yè)中...
驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
2020-07-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻 1388 0
IR4302,IR4312集成了2通道PWM控制器和數(shù)字音頻MOSFET,構(gòu)成了高性能D類(lèi)音頻放大器。由于完全優(yōu)化的MOSFET與專(zhuān)用控制器IC共同封裝...
英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的參數(shù)分析與研究
在上篇文章中,介紹了功率MOSFET的基本參數(shù)Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù),本文仍...
在應(yīng)用中功率MOSFET器件的基本參數(shù)分析
數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。對(duì)于前者,在任何情況下都 不能超過(guò),否則器件將永久損害;對(duì)于后者,一般以最小值、最大值、和典型值的形式...
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路案例分析
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
PMOS開(kāi)關(guān)管的工作原理和如何進(jìn)行選擇
在電路中常見(jiàn)到使用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管作為開(kāi)關(guān)管使用。下面舉例進(jìn)行說(shuō)明。
2020-07-10 標(biāo)簽:mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)管 2.5萬(wàn) 1
單鍵實(shí)現(xiàn)單片機(jī)開(kāi)關(guān)機(jī)設(shè)計(jì)案例
單片機(jī)工作后,將最先進(jìn)行IO口初始化,IO1設(shè)為輸入狀態(tài),啟用內(nèi)部上拉;IO2設(shè)為輸出狀態(tài),輸出高電平。這時(shí)Q2、Q3導(dǎo)通,LED1發(fā)光,7805能夠正...
LLC諧振變換器中常見(jiàn)MOSFET失效模式的分析與解決方法
LLC諧振變換器可以突破傳統(tǒng)諧振變換器的局限。正是由于這些原因,LLC諧振變換器被廣泛應(yīng)用在電源供電市場(chǎng)。LLC諧振半橋變換器拓?fù)淙鐖D1所示,其典型波形...
意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù),不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體(FWD)相比,內(nèi)接二極體關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)...
三相1200V/450A SiC MOSFET電動(dòng)汽車(chē)智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動(dòng)器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長(zhǎng)時(shí)間工作的增強(qiáng)...
2020-06-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2979 0
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)源來(lái)驅(qū)動(dòng),為了提高關(guān)斷的速度,實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率,在很多ACDC電源、手...
2020-06-07 標(biāo)簽:MOSFETEMI驅(qū)動(dòng)電路 5782 0
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率
兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測(cè)試,從動(dòng)態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ),例如600 V匯流排直流電壓,開(kāi)啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。
2020-06-04 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅工業(yè)驅(qū)動(dòng)器 1249 0
應(yīng)用手冊(cè) | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解
為滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化,可以滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)...
2020-05-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌MOSFET 1849 0
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒(méi)有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化,在這個(gè)行業(yè)中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電...
基于UC3879芯片和MOSFET器件實(shí)現(xiàn)全橋移相諧振逆變弧焊電源的設(shè)計(jì)
電焊機(jī)是工業(yè)牛產(chǎn)和加工領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備,其中逆變焊機(jī)由于具有體積小、重量輕、控制性能好、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、易于實(shí)現(xiàn)焊接過(guò)程的實(shí)時(shí)控制等優(yōu)異性能,成為焊機(jī)產(chǎn)品...
編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
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