美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開(kāi)型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2901 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款I(lǐng)GBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:282027 高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)渲?，尤其是輕負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn)，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率；而且這一產(chǎn)品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統(tǒng)重量和空間以實(shí)現(xiàn)更緊湊設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。
2023-09-12 10:46:362660 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:322459 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 憑借在汽車領(lǐng)域的多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，英飛凌將遠(yuǎn)超AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)的最高品質(zhì)與出色的技術(shù)知識(shí)相結(jié)合，推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:381328 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產(chǎn)品也是目前市場(chǎng)上第一顆650V并且?guī)Э旎謴?fù)二極管的650V高壓MOSFET。極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應(yīng)對(duì)LLC硬關(guān)斷時(shí)各種現(xiàn)象
2018-12-05 09:56:02
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經(jīng)量產(chǎn)的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢(shì)價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
% Inom（IC=300A）電流關(guān)斷時(shí)，600V IGBT3會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的過(guò)沖電壓VCE,max 和階躍振蕩。相反，特別為這種高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)的650V IGBT4，即使典型直流電壓達(dá)到300V
2018-12-07 10:16:11
CoolMOS? 650V CFD器件具備極低的反向恢復(fù)電荷Qrr、極短的反向恢復(fù)時(shí)間trr 和極小的反向恢復(fù)電流最大值Irrm。 圖2在di/dt=100A/μs、 25°C和 Vr=400V等條件下測(cè)量
2018-12-03 13:43:55
微電子供應(yīng)svf7n65f場(chǎng)效應(yīng)管7a 650v mos管封裝TO-220F提供svf7n65f參數(shù)詳細(xì)參數(shù)、規(guī)格書等，是士蘭微MOS代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料
2022-03-30 15:41:09
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371526 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實(shí)耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:424945 
英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172281 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業(yè)標(biāo)桿， 從跨時(shí)代意義的CoolMOS? C3到升級(jí)版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C7、CoolMOS? P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:257885 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開(kāi)關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:022246 、CFD7系列，與650V CoolSiC G6系列肖特基二極管則是方案設(shè)計(jì)中能效與功率密度的“雙贏”之選。再搭配英飛凌最新的第五代準(zhǔn)諧振CoolSET 系列產(chǎn)品以及EiceDRIVER系列驅(qū)動(dòng)IC芯片。
2019-09-24 11:20:593717 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505549 新款 650 V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。
2020-10-09 15:28:261590 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無(wú)引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
Step7v54編程使用手冊(cè)說(shuō)明。
2021-04-30 10:18:298 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補(bǔ)全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:322342 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開(kāi)關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性，并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:251901 
RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:571193 380mΩSuper-junctionMOSFET3、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos：650V7A650mΩSuper-junctionPowerMOSFET4、晶圓(Wafer-K
2022-04-24 11:34:232201 
RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272049 
開(kāi)關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:011708 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162414 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:490 供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-01 16:18:473 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:198 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結(jié)mos管650V,35A，提供SVSP35NF65P7D3關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-09-06 14:57:508 供應(yīng)SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結(jié)MOS關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-11-02 15:17:062 650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認(rèn)輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:021808 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-08 16:35:253 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-08 17:15:311 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT10N65SS文檔.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-09 16:22:112 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N65SC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:20:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N65SY數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:22:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT20N65SC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:25:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT20N65SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:41:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT20N65SS數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 16:56:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:03:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:08:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:09:161 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:10:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT50N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-04-10 18:01:090 產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅
2024-06-26 18:12:00939 
新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)
2024-07-27 08:14:36869 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì)，大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)優(yōu)化了器件的開(kāi)關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
硅基MOSFET技術(shù)，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的CoolMOS7產(chǎn)品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa
2024-09-03 08:02:39930 森國(guó)科近期推出的650V/60A IGBT（型號(hào)：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 新品符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個(gè)集成的直流緩沖器
2024-11-08 01:03:32975 森國(guó)科推出的650V/6A IGBT（型號(hào)：KG006N065SD-B）在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:131162 
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081127 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431782 
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23891 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55749 
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹(shù)立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017 在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國(guó)產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101420 深挖1ED21x7x系列：650V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)于功率器件的高效、穩(wěn)定運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來(lái)深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-18 16:10:12228
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