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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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根據(jù)MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET,因?yàn)镹XP的熱穩(wěn)定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標(biāo)簽:MOSFET 3210 0
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管工頻100W逆變電源,100W power inverter
本裝置電路簡(jiǎn)單,易于調(diào)試,性能可靠,逆變和充電自動(dòng)轉(zhuǎn)換,帶電瓶電量指示。由于使用了大功率VMOS管,故效率高而成本又較低,適合電子愛(ài)好者組裝。
2019-02-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3710 0
米勒效應(yīng)會(huì)對(duì)MOSFET管造成怎樣的影響
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng),在MOS管開(kāi)通過(guò)程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過(guò)后GS電...
2018-09-28 標(biāo)簽:mosfet電容驅(qū)動(dòng) 2.1萬(wàn) 0
在有刷電機(jī)中,磁極方向的跳轉(zhuǎn)是通過(guò)移動(dòng)固定位置的接觸點(diǎn)來(lái)完成的,該接觸點(diǎn)在電機(jī)轉(zhuǎn)子上與電觸點(diǎn)相對(duì)連接。這種固定觸點(diǎn)通常由石墨制成,與銅或其他金屬相比,在...
2018-09-28 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器電機(jī) 1.7萬(wàn) 0
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
從發(fā)射極注入的hole電流,將分成1和2兩個(gè)部分。由于base為n摻雜,所以當(dāng)hole電流流經(jīng)base的時(shí)候,將會(huì)有電子空穴對(duì)的復(fù)合產(chǎn)生,消耗空穴電流,...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的特點(diǎn)分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問(wèn)世以來(lái),MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。
2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動(dòng)sic 5071 0
在汽車環(huán)境中,它們必須能夠以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性級(jí)別,就有必要定義這種強(qiáng)大的功能(多虧了SOA)。
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計(jì)算,柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中,那么模塊將總是能夠在...
深入探討功率MOSFET變化對(duì)電流和電壓回路行為的影響
討論功率MOSFET變化對(duì)兩個(gè)回路(電流和電壓)行為的影響。由于MOSFET只影響功率單元,所以理論研究只適用于功率單元模型。
MOSFET的結(jié)構(gòu)和重點(diǎn)參數(shù)介紹及應(yīng)用前景如何?
最近,國(guó)內(nèi)對(duì)MOSFET的需求大漲,導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨,很多廠商有錢買不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長(zhǎng)源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端...
2018-09-15 標(biāo)簽:CMOSMOSFET物聯(lián)網(wǎng) 5468 0
東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進(jìn)一步提高電源效率
東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET,新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。
2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 5918 0
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)洌话愕拇蠊β蕬?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來(lái)提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自...
淺析MOSFET和電動(dòng)汽車的12V配電架構(gòu)
總的背景,是在整個(gè)智能化配電單元上,繼電器被MOSFET所取代。12V的配電架構(gòu),特別是電動(dòng)汽車,由于整個(gè)系統(tǒng)的變化,都開(kāi)始轉(zhuǎn)變。
近年來(lái),以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場(chǎng)強(qiáng)度...
開(kāi)關(guān)電源損耗知識(shí)點(diǎn)之開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品各個(gè)部分的損耗計(jì)算
學(xué)電源電源看這里,這次我們分享一下開(kāi)關(guān)電源功率損耗及熱耗的工程估算! 電源在為負(fù)載提供能量的同時(shí)也在燃燒自己,在電源設(shè)計(jì)時(shí)大家會(huì)很仔細(xì)的去分析負(fù)載的需求...
2018-09-06 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.8萬(wàn) 0
低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析
功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)通常在用于電路設(shè)計(jì)時(shí),能夠在不增加開(kāi)關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗,這是其一大優(yōu)勢(shì)。在各種電路保護(hù)應(yīng)用中,器件需要連續(xù)傳送電流,較低...
2019-12-16 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)mosfet半導(dǎo)體 3575 0
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