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東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進一步提高電源效率

東芝半導體 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-13 15:54 ? 次閱讀
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又到了開學季,看著朋友圈里關于開學趕作業(yè)的各種吐槽,芝子真是哭笑不得,曾經(jīng)在開學前夕狂補作業(yè)的場景歷歷在目……不過,雖然對孩子們的“遭遇”感同身受,芝子還是認為,提高效率得從娃娃抓起呀,這才是解決問題的關鍵,否則鬼哭狼嚎也木有用呢。

其實,無論是做寒暑假作業(yè)還是完成工作任務,甚至是在產(chǎn)品的運行中,效率都起著至關重要的影響作用。比如在電源工作的過程中,高效率的電源可以提高電能的使用效率,在一定程度上可以降低電源的自身功耗和發(fā)熱。

可見,高效率不但能讓我們更快完成目標,而且還能有效減少資源損耗,這就是為什么高效率產(chǎn)品在市場廣受歡迎的原因。為滿足市場需求,東芝近日推出新系列的下一代650V功率MOSFET——TK040N65Z,它能有效提高電源效率。

新產(chǎn)品可以用于數(shù)據(jù)中心服務器電源、太陽能(PV)功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和其他工業(yè)應用。它采用業(yè)界標準的TO-247封裝,既實現(xiàn)了與舊版設計的兼容性,也適用于新項目。

那么,它是如何有效提高電源效率的呢?

首先,TK040N65Z是一款支持續(xù)漏極電流高達57A,脈沖電流高達228A的650V器件,它提供0.04Ω超低漏源極導通電阻RDS(ON),可有效減少電源應用中的損耗。得益于更低的電容設計,它成為現(xiàn)代高速電源應用的理想之選。

另外,TK040N65Z關鍵性能指標/品質(zhì)因數(shù)(FoM)—RDS(ON)×Qgd的降低使得電源效率得到提高,比上一代器件提升40%!

在這個連小學生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?未來,東芝將致力于擴大產(chǎn)品陣容,以滿足提高電源和電源系統(tǒng)的效率的市場需求,請大家繼續(xù)期待!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:新一代超結(jié)功率MOSFET,提高電源效率

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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