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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結構特點及功能分析
尼康公司的D2H單反數(shù)字相機中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結構等方面有了較大改進,與CCD、CMOS圖像...
在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉(zhuǎn)換器消除米勒效應
設計電源時,工程師常常會關注與MOSFET導通損耗有關的效率下降問題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下, 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導電模式(DCM)下工作時,若選...
2020-01-13 標簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 1900 0
采用2SD315AI-33模塊實現(xiàn)高性能的IGBT驅(qū)動保護電路的設計
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管...
通過采用CMOS求和比較器實現(xiàn)開關電源電流PWM控制
開關電源1是利用現(xiàn)代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET...
飛兆開發(fā)出二極管的器件FDZ3N513ZT,專為智能電話的顯示屏提供照明
飛兆半導體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N5...
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1...
基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動設計要求
如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積介紹(2)
了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積(SOA)下
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