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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

恒溫器終端設(shè)備中SSR的組件選擇過程

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有兩種電源可供恒溫器使用:電池和24VAC電源。恒溫器需要電池供電不中斷運(yùn)行。非常重要的一點(diǎn)是,這些電池所消耗的能量盡可能低,但即使您將耗電量降至最低,...

2018-06-20 標(biāo)簽:MOSFET橋式整流器恒溫器 5005 0

為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?

為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?

SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...

2018-06-15 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 2.6萬(wàn) 0

汽車欠壓、過壓及電源反向保護(hù)電路

汽車欠壓、過壓及電源反向保護(hù)電路

假如有人將 24V 電源連接到您的 12V 電路上,將發(fā)生什么? 倘若電源線和接地線因疏忽而反接,電路還能安然無(wú)恙嗎? 您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電...

2018-06-13 標(biāo)簽:MOSFET電源保護(hù)電路LTC4365 1.6萬(wàn) 0

MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說(shuō)來(lái),當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...

2018-06-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.3萬(wàn) 0

英飛凌公司獨(dú)特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問世

20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來(lái)的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件,表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入...

2018-06-26 標(biāo)簽:mosfet封裝技術(shù)infineon 8277 0

SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過人之處呢?

SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過人之處呢?

圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對(duì)...

2018-06-09 標(biāo)簽:mosfet功率器件SiC 9950 0

利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)來(lái)提供脈沖電流

利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)來(lái)提供脈沖電流

當(dāng)一系列環(huán)境和電路設(shè)計(jì)變量影響輸出時(shí),就很難確定具有負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性。任何計(jì)算錯(cuò)誤都會(huì)成為怪異電路行為(如振蕩和振鈴)的溫床。

2018-06-08 標(biāo)簽:MOSFET脈沖電流 1.2萬(wàn) 0

MOSFET等大型焊盤的背面可以打過孔

MOSFET等大型焊盤的背面可以打過孔

這個(gè)要看生產(chǎn)制造的工藝,現(xiàn)在在一些制造比較好的工廠,對(duì)于高密度的產(chǎn)品是非常常見的,這就叫VIP via(Via in Pad),好處有:出線距離短,節(jié)省...

2018-06-03 標(biāo)簽:PCBMOSFETPCB設(shè)計(jì) 1.2萬(wàn) 0

晶體管的分類與特征

晶體管的分類與特征

MOSFET(圖中以Nch為例)通過給柵極施加電壓在源極與漏極間創(chuàng)建通道來(lái)導(dǎo)通。另外,柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會(huì)流過 “導(dǎo)通”意義上的電...

2018-05-26 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 2.2萬(wàn) 0

?了解如何創(chuàng)建一個(gè)設(shè)計(jì),及運(yùn)行Vout變換仿真

?了解如何創(chuàng)建一個(gè)設(shè)計(jì),及運(yùn)行Vout變換仿真

對(duì)于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機(jī)、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來(lái)越高。為了應(yīng)對(duì)這一要求,將集成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...

2018-05-25 標(biāo)簽:MOSFET仿真器 6377 0

帶有反向電流保護(hù)功能的有源整流控制器

隨著汽車電子系統(tǒng)中電流水平的持續(xù)增加,由于存在高功耗和散熱問題,設(shè)計(jì)師因而不再能使用傳統(tǒng)的隔離肖特基二極管。LT8672 是一款具反向電流保護(hù)功能的有源...

2018-06-06 標(biāo)簽:MOSFETadi控制器 5432 0

Microchip電源管理MCP19111-MCP87000系列產(chǎn)品

Microchip電源管理MCP19111-MCP87000系列產(chǎn)品

本視頻介紹了MCP19111/MCP87XXX 電源管理產(chǎn)品以及組成的靈活高校的電源方案。MCP19111是全球首款數(shù)字增強(qiáng)型的功率模擬轉(zhuǎn)換器,MCP8...

2018-06-06 標(biāo)簽:電源MOSFETmicrochip 4793 0

尚陽(yáng)通科技生產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET已經(jīng)發(fā)展到第三代技術(shù)水平

尚陽(yáng)通科技生產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET已經(jīng)發(fā)展到第三代技術(shù)水平

相比較于第二代產(chǎn)品,第三代N系列考慮系統(tǒng)的兼容性,可以較好的兼容客戶現(xiàn)有產(chǎn)品,滿足客戶對(duì)驅(qū)動(dòng)和EMI的適應(yīng)性要求。F系列以其最優(yōu)的開關(guān)速度,極低的柵極電...

2018-05-16 標(biāo)簽:電源MOSFET服務(wù)器 1.4萬(wàn) 0

意法半導(dǎo)體推 PWD13F60 節(jié)省電路板空間60% 還能提升最終應(yīng)用的功率密度

意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個(gè)13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個(gè)完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,能夠?yàn)楣I(yè)...

2018-05-15 標(biāo)簽:mosfetemi意法半導(dǎo)體 1928 0

Flyback主電路中哪些元器件需要我們?cè)O(shè)計(jì)?電源用什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?

Flyback主電路中哪些元器件需要我們?cè)O(shè)計(jì)?電源用什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?

MOSFET關(guān)斷時(shí),當(dāng)Vds超過RCD緩沖電路中的電容兩端的電壓VSN時(shí),緩沖二極管導(dǎo)通.尖峰電流被RCD電路吸收,從而削減了尖峰電流. 緩沖電容一定要...

2018-05-09 標(biāo)簽:電源MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 1.2萬(wàn) 1

關(guān)于MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

關(guān)于MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOS...

2018-05-07 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源ic 1.2萬(wàn) 0

MOS失效的原因分析總結(jié)

到底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式...

2018-05-06 標(biāo)簽:二極管MOSFETMOS管 1.5萬(wàn) 0

關(guān)于反激式LED驅(qū)動(dòng)器的工作原理

關(guān)于反激式LED驅(qū)動(dòng)器的工作原理

作為一種固態(tài)光源,發(fā)光二級(jí)管(LED)具備使用壽命長(zhǎng)、功效出色以及環(huán)保特性,因此得到了廣泛應(yīng)用。目前,LED正在取代現(xiàn)有的照明光源,如白熾燈、熒光燈和H...

2018-05-04 標(biāo)簽:ledmosfetbcm 5141 0

如何將驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配

如何將驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配

對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量, 無(wú)論充放電過程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此,MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影...

2018-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.4萬(wàn) 0

LLC諧振變換器中MOSFET失效模式分析

LLC諧振變換器中MOSFET失效模式分析

提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。為達(dá)到 這個(gè)目標(biāo),需要提高開關(guān)頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。

2018-04-27 標(biāo)簽:MOSFETLLC 8013 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    基站測(cè)試
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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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  • ESP8266
    ESP8266
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