2022 年?5 月?18日，中國(guó)?– 意法半導(dǎo)體的?STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開(kāi)關(guān)
2022-05-19 10:50:42
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日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L，這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:462907 
飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合，解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中面臨提升功率密度的同時(shí)節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:441436 2022 年 9 月 13日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體發(fā)布了兩款采用主流配置的內(nèi)置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意法半導(dǎo)體的ACEPACK 2 封裝
2022-09-13 14:41:19976 
STDRIVE101三相柵極驅(qū)動(dòng)器芯片為電機(jī)帶來(lái)高功率密度和很低的睡眠功耗 組裝好的參考設(shè)計(jì)板已在意法半導(dǎo)體電子商城上架開(kāi)售 ? 2024 年 8 月 1 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體
2024-08-08 14:52:181175 DN254-LT1806：325MHz低噪聲軌到軌SOT-23運(yùn)算放大器可節(jié)省電路板空間
2019-07-26 12:24:35
PWD13F60功率模塊在應(yīng)用時(shí)是否需要加額外的散熱器
2024-03-26 08:06:47
PWD13F60功率模塊在應(yīng)用時(shí)是否需要加額外的散熱器？
2025-03-14 08:24:48
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
`意法半導(dǎo)體 STM32Nuleo 核心板感謝 意法半導(dǎo)體 提供大賽用開(kāi)發(fā)板數(shù)據(jù)下載STM32 Nucleo 核心板是ST為用戶全新設(shè)計(jì)的開(kāi)放式開(kāi)發(fā)平臺(tái)，為用戶提供了經(jīng)濟(jì)、靈活的途徑，用于快速驗(yàn)證
2015-05-04 16:04:16
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)人員的需求專門(mén)設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
提升功能集成度和設(shè)計(jì)靈活性，新增STM32F413/423兩個(gè)產(chǎn)品線意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)圖像防抖陀螺儀讓下一代智能手機(jī)拍照不抖動(dòng)意法半導(dǎo)體傳感器通過(guò)阿里IoT驗(yàn)證，助力設(shè)備廠商更快推出新產(chǎn)品
2018-05-22 11:20:41
中國(guó)，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
環(huán)境的嵌入式系統(tǒng)公司意法半導(dǎo)體推出新款STM8 Nucleo開(kāi)發(fā)板，為8位項(xiàng)目提供開(kāi)源硬件資源簡(jiǎn)單便捷、開(kāi)箱即用的IoT連接方案——意法半導(dǎo)體STM32蜂窩-云端探索套件經(jīng)銷商到貨
2018-10-11 13:53:03
`中國(guó)，2018年3月19日——意法半導(dǎo)體VL53L1X 飛行時(shí)間傳感器將FlightSense*技術(shù)的測(cè)距提高到四米，讓低功耗的高精度測(cè)距和接近檢測(cè)功能適用于更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。不像其它的采用簡(jiǎn)單
2018-03-20 10:40:56
和內(nèi)存占用測(cè)量值，以進(jìn)行推理。Richard表示，每個(gè)STM10部件號(hào)的電路板場(chǎng)將開(kāi)始提供32塊電路板，未來(lái)幾個(gè)月將增加。這些電路板位于多個(gè)地方，與意法半導(dǎo)體的基礎(chǔ)設(shè)施分開(kāi)，以確保穩(wěn)定和安全的服務(wù)。意法
2023-02-14 11:55:49
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測(cè)器制造技術(shù)邁入新里程碑。意法半導(dǎo)體(ST)宣布成功結(jié)合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
234 個(gè)活躍的研發(fā)伙伴關(guān)系；人與社區(qū)? 提升對(duì)生產(chǎn)安全文化的重視，維持業(yè)界最優(yōu)質(zhì)的安全生產(chǎn)企業(yè)，可記錄事故率僅為 0.14% ，重大事故率較 2016 年下降 25 ％；? 通過(guò)“意法半導(dǎo)體健康
2018-05-29 10:32:58
的電路板空間。 STLED25繼承意法半導(dǎo)體先進(jìn)的設(shè)計(jì)和制造能力，提供五個(gè)可直接連接LED上橋臂端的電流源，而下橋臂可直接連接地面，無(wú)需將每個(gè)LED通道回連至控制器芯片，從而可實(shí)現(xiàn)更緊湊、穩(wěn)健且可靠
2011-11-24 14:57:16
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過(guò)材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
電子、汽車和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
智能電表芯片單片集成開(kāi)發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個(gè)智能電網(wǎng)市場(chǎng)的需求。這些電表連接消費(fèi)者和供電公司，提供實(shí)時(shí)電能計(jì)量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬(wàn)家客戶、成千上萬(wàn)名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
熱阻，而有利于改善散熱。以意法半導(dǎo)體（ST）的新系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）PWD13F60為例，它將4個(gè)功率MOSFET集成在了比同類電路小60%的封裝內(nèi)（圖1）。PWD13F60封裝集成了面向功率
2020-12-01 15:40:26
、低功耗和可配置性的完美組合?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體北歐銷售副總裁Iain Currie表示：“這個(gè)創(chuàng)新的感測(cè)技術(shù)可讓任何物品、表面或空間具有觸控互動(dòng)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠完全自由地設(shè)計(jì)。Neonode選用意法
2018-02-06 15:44:03
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢?，所使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開(kāi)關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
頻性能的同時(shí)不會(huì)影響電池性能。此外，ST21NFCD的高集成度可最大限度地減小電路尺寸，從而節(jié)省材料成本?！俺鲩T(mén)問(wèn)問(wèn)和意法半導(dǎo)體有著長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，雙方曾合作開(kāi)發(fā)多款適用于出門(mén)問(wèn)問(wèn)智能手表的關(guān)鍵
2018-07-13 13:06:48
電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖1: 垂直布局結(jié)構(gòu) 4 功率損耗比較 在典型工作溫度 Tj = 100 °C范圍內(nèi)，我們從動(dòng)靜態(tài)角度對(duì)兩款器件進(jìn)行了比較分析。在
2018-11-20 10:52:44
怎樣選擇低溫運(yùn)行、大功率、可擴(kuò)展的POL穩(wěn)壓器并節(jié)省電路板空間如何減少PCB上DC/DC轉(zhuǎn)換器封裝的熱量？
2021-03-10 06:45:29
的NexFET?功率MOSFET的一員，我很難抱怨這一市場(chǎng)趨勢(shì)。[/url]圖1：從有刷到無(wú)刷拓?fù)涞霓D(zhuǎn)換意味著FET數(shù)量的6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET
2017-08-21 14:21:03
的ST AWS智能語(yǔ)音控制方案；基于意法半導(dǎo)體藍(lán)牙低功耗BlueNRG BLE SoC的智能設(shè)備；滿足不同需求的各種無(wú)線充電解決方案；S.P.A.R.C.link 60GHz短距離非接觸式超高帶寬低功耗
2018-06-28 10:59:23
`該模塊在更小的空間里包含了各種智慧特性，簡(jiǎn)化了下一代的服務(wù)器以及通訊系統(tǒng)的功率輸出，在下一代服務(wù)器以及通訊系統(tǒng)功率輸出應(yīng)用中，在不斷縮小電路板可用空間中實(shí)現(xiàn)高效率與高功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的兩大
2013-12-09 10:06:45
怎么測(cè)量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
在現(xiàn)有
空間內(nèi)繼續(xù)提高
功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的
空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō)，“如果不能增大尺寸，那么只能
提升功率密度?！?/div>
2019-08-06 07:20:51
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
▌2024ST工業(yè)峰會(huì)簡(jiǎn)介
第六屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024 即將啟程！在為期一整天的活動(dòng)中，您將探索意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新，推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展。參加意法半導(dǎo)體及合作伙伴高管的精彩主題演講
2024-10-16 17:18:50
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
STM32F103C8T6,中密度性能,2個(gè)ADC、9個(gè)通信接口,ST意法半導(dǎo)體處理器
2023-02-17 11:55:11
意法半導(dǎo)體新推出13款單軸和雙軸陀螺儀
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)擴(kuò)大動(dòng)作傳感器產(chǎn)品陣容，新推出13款單軸和雙軸陀螺儀。新系列產(chǎn)品體積比之前的組件縮小50%以上
2009-11-16 08:35:17771 高密度印制電路板(HDI),高密度印制電路板(HDI)是什么意思 印刷電路板是以絕緣材料輔以導(dǎo)體配線所形成的結(jié)構(gòu)性元件。在制成最終產(chǎn)品時(shí)，其上
2010-03-10 08:56:413061 全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)，發(fā)布一款獲得專利的高效電路BC2以及為該電路設(shè)計(jì)的
2010-11-08 08:44:581184 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics, ST) 日前發(fā)布全新微型封裝技術(shù) SMBflat ，據(jù)稱比 SOT-223 封裝薄40%，能有效縮減50%的印刷電路板占板面積
2011-03-28 11:39:301590 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體供應(yīng)商 意法半導(dǎo)體 (ST)近日推出新款高壓蕭特基二極體(Schottky diode)，有助于提高電信基地臺(tái)和熔接設(shè)備的效能和穩(wěn)健性。 意法半導(dǎo)體的新款200V功率蕭特基
2011-10-08 09:05:281566 電裝在汽車展會(huì)“人與車科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了輸出功率密度高達(dá)60kW/L的逆變器，并公開(kāi)了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為0.5L，輸出功率為30kW時(shí)，輸出功率密度為
2012-05-28 10:08:562454 意法半導(dǎo)體STM32F103核心板外擴(kuò)測(cè)試程序
2013-03-26 15:41:30
73 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）推出微型無(wú)線充電芯片組，可節(jié)省電路板空間，簡(jiǎn)化機(jī)殼設(shè)計(jì)和密封，縮短研發(fā)周期，適用于超級(jí)緊湊的穿戴式運(yùn)動(dòng)設(shè)備、健身監(jiān)視器、醫(yī)療傳感器和遙控器。
2016-12-16 11:30:341127 ST（意法半導(dǎo)體）V2X開(kāi)發(fā)板
2017-03-10 14:27:5552 意法半導(dǎo)體(ST)新推出貼裝智能低功耗模塊，節(jié)省高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的空間。
2017-09-21 16:14:226997
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 意法半導(dǎo)體推出與S2-LP 868-927MHz 匹配的巴倫，將大幅提升射頻電路性能,讓濾波電路近乎消失，可節(jié)省電路板空間，克服與射頻電路有關(guān)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2017-12-24 11:22:353082 意法半導(dǎo)體的節(jié)省空間的纖薄的ACEPACK 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)劃算的塑料封裝內(nèi)整合高功率密度與可靠性。產(chǎn)品特性包括可選的無(wú)焊壓接工藝。這項(xiàng)工藝可以取代傳統(tǒng)焊接引腳和金屬螺絲夾，簡(jiǎn)化組裝過(guò)程，實(shí)現(xiàn)快速、可靠的安裝。
2018-03-28 12:55:002110 ZL9101M數(shù)字功率模塊節(jié)省電路板空間、降低物料成本
2018-06-24 05:12:004502 electronica 2018最火展區(qū)之一，意法半導(dǎo)體的亮眼科技。
2018-12-03 16:44:325393 1A，主要用在工業(yè)風(fēng)扇和泵，烹飪罩和氣體加熱器，吹風(fēng)機(jī)，工業(yè)驅(qū)動(dòng)和工廠自動(dòng)化以及電源單元。本文介紹了PWD5F60主要特性，框圖和應(yīng)用框圖，以及評(píng)估板EVALPWD5F60主要特性和指標(biāo)，電路圖，材料清單和PCB設(shè)計(jì)圖。
2019-04-05 11:16:003274 
意法半導(dǎo)體的新芯片組讓用戶可以利用最新的以太網(wǎng)供電（PoE）規(guī)范IEEE 802．3bt，快速開(kāi)發(fā)性能可靠、節(jié)省空間的用電設(shè)備（PD）。 PM8804和PM8805可用于用電設(shè)備的PoE轉(zhuǎn)換器電路
2019-05-16 10:25:513624 2020年5月11日——意法半導(dǎo)體L99UDL01通用型車門(mén)鎖IC集成6個(gè)MOSFET半橋輸出和兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，以及電路保護(hù)和診斷功能，可提升方案安全性，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，節(jié)省空間。
2020-05-11 17:35:322722 意法半導(dǎo)體AI解決方案經(jīng)理Miguel Castro表示：“ST微控制器的用戶不僅可以從Cartesiam解決方案中受益，而且還能繼續(xù)使用他們已經(jīng)習(xí)慣的電路板生態(tài)系統(tǒng)和開(kāi)發(fā)環(huán)境。
2020-05-20 10:35:391053 意法半導(dǎo)體的ST1PS01降壓轉(zhuǎn)換器專門(mén)采用小尺寸和低靜態(tài)電流設(shè)計(jì)，能夠在負(fù)載的所有電流值下保持高能效，為始終工作的負(fù)載點(diǎn)電源和資產(chǎn)跟蹤器、可穿戴設(shè)備、智能傳感器、智能電表等物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備節(jié)省電能和空間。
2020-07-06 09:18:22825 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ST(ti)PWD13F60相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有PWD13F60的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，PWD13F60真值表，PWD13F60管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2020-10-30 14:06:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ST(ti)PWD5F60TR相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有PWD5F60TR的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，PWD5F60TR真值表，PWD5F60TR管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2020-11-09 12:07:04
DN266-LT1880 SOT-23 Superbeta運(yùn)算放大器在精密應(yīng)用中節(jié)省電路板空間
2021-04-25 09:43:085 DN254-LT1806：325 MHz低噪聲軌對(duì)軌SOT-23運(yùn)算放大器節(jié)省電路板空間
2021-05-08 21:27:054 意法半導(dǎo)體STM32F103微控制器使用Cortex-M3內(nèi)核，CPU最高速度為72兆赫茲。該產(chǎn)品組合涵蓋16 KB到1MB的閃存，帶有電機(jī)控制外設(shè)、USB全速接口和CAN。靈動(dòng)微MM32F3277系列可兼容替換意法半導(dǎo)體STM32F103。
2021-09-22 14:51:072017 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261774 
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:142770 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:063203 
。新驅(qū)動(dòng)器有助節(jié)省電路板的布置空間，適用于辦公自動(dòng)化和金融裝置等工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品從即日起開(kāi)始發(fā)貨。 TB67S549FTG使用東芝的DMOS FET[1]作為其輸出功率晶體管。額定電機(jī)輸出電壓為40V，額定電機(jī)輸出電流為1.5A[2]。QFN24封裝的安裝面積只有東芝當(dāng)前的TB67S539FTG產(chǎn)品
2022-08-26 11:06:201221 
意法半導(dǎo)體的ST60A3 的設(shè)計(jì)與機(jī)械連接器的行為相似， 用高速無(wú)線射頻鏈路替代了機(jī)械連接器需要的金屬觸點(diǎn)。ST60A3 可以在兩個(gè)設(shè)備靠近時(shí)進(jìn)行連接，能夠以高達(dá)每秒480Mbps的速度發(fā)送和接收信號(hào)。
2022-09-27 11:28:402077 ST60是意法半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)的毫米波非接觸式連接器。ST60發(fā)送器、接收器通過(guò)毫米波來(lái)傳輸信號(hào)，可以像真正的連接器一樣工作，支持廣泛的信號(hào)接口類型。收發(fā)器示意和主要的技術(shù)規(guī)格和特性如下。
2022-12-05 09:50:292773 意法半導(dǎo)體推出了各種常用橋式拓?fù)涞腁CEPACK SMIT封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比，意法半導(dǎo)體先進(jìn)的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡(jiǎn)化組裝工序，提高模塊的功率密度。
2023-01-16 15:01:251612 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:203471 
意法半導(dǎo)體怎么樣 意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113002 在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
2023年5月20日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開(kāi)關(guān)管準(zhǔn)諧振 (QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。
2023-05-20 16:59:50754 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:54:170 ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開(kāi)關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
在科技日新月異的2024年8月1日，中國(guó)與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體共同揭曉了一項(xiàng)突破性成果——EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）電機(jī)驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)巧妙地將三相柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-08-02 14:47:581310 意法半導(dǎo)體近期推出了EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）電機(jī)驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)在直徑僅50毫米的圓形PCB板上集成了三相柵極驅(qū)動(dòng)器、STM32G0微控制器及高達(dá)750W的功率級(jí)，展現(xiàn)了前所未有的集成度與緊湊性。
2024-08-06 18:17:532051 在2024年9月23日，中國(guó)迎來(lái)了一項(xiàng)電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）正式推出了其創(chuàng)新的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器PWD5T60，以及配套的即用型評(píng)估板EVLPWD-FAN-PUMP，旨在顯著提升電扇與電泵等應(yīng)用的開(kāi)發(fā)效率與性能表現(xiàn)。
2024-09-24 14:26:081399 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對(duì)
2024-10-12 11:30:592195 參考設(shè)計(jì)，旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實(shí)現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是意法半導(dǎo)體的創(chuàng)新之作，它將GaN功率晶體管與經(jīng)過(guò)優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器完美整合于一個(gè)封裝內(nèi)。這一設(shè)計(jì)不僅顯著提升了電源的性能和可靠性，還通過(guò)高度集成的方式，極大地加快了設(shè)計(jì)速度，并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143 為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151134 為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16942 STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動(dòng)器非常適合用于風(fēng)扇、泵
2025-10-20 13:55:53348 
分流電流檢測(cè)拓?fù)洌總€(gè)輸出均設(shè)有專用輸入引腳和關(guān)斷引腳。意法半導(dǎo)體 EVLPWD5T60可通過(guò)帶狀連接器輕松連接MCU控制板。 該板可通過(guò)X-NUCLEO-IHM09M1電機(jī)控制連接器擴(kuò)展板使用34引腳
2025-10-20 15:53:13553 
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