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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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移動(dòng)箱:在高電流實(shí)驗(yàn)室表征裝置方面的制造及應(yīng)用
PROFET?是一種典型的帶增強(qiáng)功能(如圖1所示)的MOSFET,增強(qiáng)的功能可提升其在高端驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中的性能。PROFET?設(shè)備通常涉及到高電流測(cè)試參數(shù)...
2013-06-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器示波器 1714 0
針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)停ā?00 W),并...
2013-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1603 0
淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時(shí)的區(qū)別
我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別?下面我們從實(shí)例出發(fā)解析兩者的區(qū)別
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過(guò)了很長(zhǎng)一段時(shí)間的發(fā)展,功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽(yáng)能著力發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
2013-02-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0
討論在PFC中應(yīng)用的新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的特點(diǎn)
眾所周知,超級(jí)結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗,但它也帶來(lái)了負(fù)面影響,例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中,一個(gè)...
功率元器件應(yīng)用秘訣,采用專用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來(lái)達(dá)到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
搭配電感拓?fù)?,利用小訊?hào)MOSFET降低電源轉(zhuǎn)換功耗
小訊號(hào)MOSFET在電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)中的角色愈來(lái)愈重要。新一代小訊號(hào)MOSFET具有低汲極/源極導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的開關(guān)性能及設(shè)計(jì)靈活性,若再搭配以電感為基...
通常,由于磷酸鐵鋰電池的特性,在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過(guò)程進(jìn)行保護(hù),以免過(guò)充過(guò)放或過(guò)熱,以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過(guò)程中一種極端惡劣的工作條件,...
知識(shí)大全:便攜設(shè)計(jì)中模擬開關(guān)的變遷
手機(jī)已從簡(jiǎn)單的單語(yǔ)音功能發(fā)展成為帶有MP3或音樂(lè)鈴聲等大功率立體聲音頻的通訊工具。至于視頻功能,簡(jiǎn)單的低分辨率相機(jī)已經(jīng)過(guò)時(shí),而高于200萬(wàn)像素相機(jī)已經(jīng)成...
2013-01-28 標(biāo)簽:MOSFETUSB模擬開關(guān) 1485 1
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