基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:12
1699 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-25 14:36:2038554 
更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 ROHM獨(dú)有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS，運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間（trr），非常有助于降低空調(diào)和逆變器等應(yīng)用穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)的功耗，因而
2021-01-07 16:27:504016 
基于電荷平衡技術(shù)的超級結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能，這通常需要權(quán)衡取舍。
2021-05-25 05:27:003307 
在本文中，我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法：TJ（結(jié)溫）、TA（環(huán)境溫度）和TC（外殼溫度）。 1. MOSFET溫度參數(shù)的重要性 在電力電子應(yīng)用中，溫度是影響MOSFET性能
2024-08-15 17:00:177376 
為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費(fèi)級等應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 在超級結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯謀
2023-06-07 00:10:004320 
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461512 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
2.92A后，MOSFET的傳導(dǎo)損耗更大。不過，圖4中的直流傳導(dǎo)損耗比較不適用于大部分應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac
2018-08-27 20:50:45
具備控制功率小、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。在如今興起的新能源電動(dòng)車中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
2023-02-21 15:53:05
應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
PFC電路中，當(dāng)FCP11N60 MOSFET的峰值電流ID為11A——兩倍于5.5A (規(guī)格書中RDS(on) 的測試條件) 時(shí)，RDS(on)的有效值和傳導(dǎo)損耗會(huì)增加5％。 在MOSFET傳導(dǎo)極小
2020-06-28 15:16:35
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖1: 垂直布局結(jié)構(gòu) 4 功率損耗比較 在典型工作溫度 Tj = 100 °C范圍內(nèi)，我們從動(dòng)靜態(tài)角度對兩款器件進(jìn)行了比較分析。在
2018-11-20 10:52:44
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
，并進(jìn)一步增加了堆疊器件的電容。 圖4：可以將長鏈折疊成多行?！ D5中的電路顯示了電路設(shè)計(jì)人員想要在電路中使用兩指MOSFET來實(shí)現(xiàn)更好匹配的情況?！ D5：可以在電路中使用兩指MOSFET實(shí)現(xiàn)更好
2021-10-12 16:11:28
，被動(dòng)式PFC包括靜音式被動(dòng)PFC和非靜音式被動(dòng)PFC。被動(dòng)式PFC的功率因數(shù)只能達(dá)到0.7～0.8，它一般在高壓濾波電容附近。 主動(dòng)式PFC 而主動(dòng)式PFC則由電感電容及電子元器件組成，體積小、通過專用
2014-04-02 14:41:58
新型功率因數(shù)校正PFC控制器NCP1601的特點(diǎn)介紹
2021-03-29 07:07:05
新型多總線接口UART器件有什么特點(diǎn)？新型多總線在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-28 07:09:35
電子元器件正進(jìn)入以新型電子元器件為主體的新一代元器件時(shí)代，它將基本上取代傳統(tǒng)元器件，電子元器件由原來只為適應(yīng)整機(jī)的小型化及新工藝要求為主的改進(jìn)，變成以滿足數(shù)字技術(shù)、微電子技術(shù)發(fā)展所提出的特性要求為主，而且是成套滿足的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展階段。
2019-10-15 09:02:25
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn)，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
LED供電的。下面將介紹在該電路中改變PFC部的開關(guān)MOSFET、DC/DC轉(zhuǎn)換器部的開關(guān)MOSFET、以及其柵極電阻RG，并對效率和噪聲進(jìn)行比較的情況。原設(shè)計(jì)使用的超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ
2022-04-09 13:36:25
，二極管P-N結(jié)積累電荷。當(dāng)反向電壓加到二極管兩端時(shí)，釋放儲(chǔ)存的電荷，回到阻斷狀態(tài)。釋放儲(chǔ)存電荷時(shí)會(huì)出現(xiàn)以下兩種現(xiàn)象：流過一個(gè)大的反向電流和重構(gòu)。在該過程中，大的反向恢復(fù)電流流過MOSFET的體二極管
2019-09-17 09:05:04
，RF 功率 MOSFET是手機(jī)基站中成本最高的元器件。一個(gè)典型的手機(jī)基站中RF部分的成本約6.5萬美元，其中功率放大器的成本就達(dá)到4萬美元。功率放大器元件的年銷售額約為8億美元。隨著3G的發(fā)展，RF
2019-07-08 08:28:02
，其重要性在以后的部分中得到了保存。在這里，我們證實(shí)了今天的SiC MOSFET質(zhì)量，包括長期可靠性，參數(shù)穩(wěn)定性和器件耐用性?！ ∈褂眉铀俚臅r(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿（TDDB）技術(shù)，NIST的研究人員預(yù)測
2023-02-27 13:48:12
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
。圖4顯示了在125℃的結(jié)溫下傳導(dǎo)損耗與直流電流的關(guān)系，圖中曲線表明在直流電流大于2.92A后，MOSFET的傳導(dǎo)損耗更大。不過，圖4中的直流傳導(dǎo)損耗比較不適用于大部分應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在
2017-04-15 15:48:51
，MOSFET的傳導(dǎo)損耗更大。不過，圖4中的直流傳導(dǎo)損耗比較不適用于大部分應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400
2019-03-06 06:30:00
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
半導(dǎo)體器件。上次從IGBT的名稱入手，搞清楚了IGBT柵極和雙極性所包含的背后意義。這次我們從IGBT的定義出發(fā)，來看看為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系？在
2023-02-10 15:33:01
功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含器件特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對應(yīng)用中MOSFET的選用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初始功率損失的計(jì)算，并提供器件性能
2018-10-18 09:13:03
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
消除二極管整流器件正向壓降來大幅降低功率損耗。N溝道MOSFET具有小RDSON，并且它們相關(guān)的壓降也是最小的。表1中是一個(gè)5A (I_rms = 3.5A) 二極管整流器與一個(gè)10m
2018-05-30 10:01:53
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
的10倍以上，大部分熱產(chǎn)生于硅的表面，最熱的點(diǎn)在硅片上，而且結(jié)溫通常要低于220oC, 因此不會(huì)存在連接線熔化問題，連接線的熔化只有在器件損壞的時(shí)候才會(huì)發(fā)生。有裸露銅皮器件在封裝過程中硅片通過焊料焊在
2016-08-15 14:31:59
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開關(guān)速度明顯更快，可在功率轉(zhuǎn)換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
討論如何根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在
2011-08-17 14:18:59
的方向，充分并迅速地了解供應(yīng)商提供的仿真模型是否真實(shí)反映既定應(yīng)用空間內(nèi)的器件仍然是棘手的問題。
與競爭對手的模型不同，F(xiàn)airchild的超級結(jié)MOSFET和IGBTSPICE模型基于一個(gè)物理可擴(kuò)展模型
2019-07-19 07:40:05
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
摘 要： 對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺點(diǎn)以及提出的改進(jìn)方法；并對其他基于超結(jié)
2008-11-14 15:32:10
0 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型,分析了開關(guān)器件在Boost 電路中的損耗,并計(jì)算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺(tái)3kW的Boost 型PFC 整流電源進(jìn)
2009-10-17 11:06:0672 超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 基于新型器件STIL的浪涌電流限制電路（ICLC）設(shè)計(jì)
摘要：介紹了離線電源變換器新型浪涌電流限制器STIL的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，給出了在PFC升壓變換器中的應(yīng)用電路
2009-07-04 10:34:311494 
新型電力穩(wěn)壓器中幾個(gè)問題的討論
摘要：在新型無觸點(diǎn)補(bǔ)償式電力穩(wěn)壓器中，采用雙向晶閘管作為開關(guān)器件。本文介紹
2009-07-10 11:07:59800 
TOPSwitch在PFC中的應(yīng)用
摘要：介紹TOPSwitch在PFC中的應(yīng)用，討論PFC應(yīng)用TOPSwitch的優(yōu)點(diǎn)，給出設(shè)計(jì)思路、基本電路和元器件參數(shù)。
關(guān)鍵詞：PWMPFC預(yù)補(bǔ)償
2009-07-21 16:44:181457 
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-11-10 15:40:039 氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
視頻簡介：目前，市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿
2019-03-06 06:05:004543 
為驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對開關(guān)性能的影響，以及為使用超級結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792 
AEC車規(guī)認(rèn)證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹用于電動(dòng)汽車直流充電樁的超級結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢的IGBT方案。
2020-01-01 17:02:009515 
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2020-11-23 14:53:005 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
在電源設(shè)計(jì)中，MOSFET往往是最容易被工程師忽視的電子元器件。
2021-04-04 15:01:494649 
本文介紹了在通信系統(tǒng)中，同步Buck變換器上部功率MOSFET和下部功率MOSFET的工作特點(diǎn)，同時(shí)討論了在設(shè)計(jì)高效率的同步Buck變換器時(shí)，選取上部和下部功率MOSFET原則；介紹了一種新型的采用
2021-05-05 16:57:005641 
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:513305 其中，高壓超級結(jié) MOSFET，是一種可以廣泛應(yīng)用于模擬與數(shù)字電路的基礎(chǔ)微電子元器件，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡單、抗擊穿性好等特點(diǎn)；其中，高壓MOSFET 功率器件通常指工作電壓為 400V 以上的 MOSFET 功率器件。
2022-05-18 14:04:583464 超級結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 NGTB20N60L2TF1G 應(yīng)用筆記 [與超級結(jié) MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:270 上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:012717 
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
2023-02-13 12:15:582203 比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會(huì)導(dǎo)致功率MOSFET管的驅(qū)動(dòng)在起動(dòng)的過程中，由于驅(qū)動(dòng)電壓不足，容易進(jìn)入線性區(qū)工作，功率MOSFET反復(fù)不斷的進(jìn)入線性區(qū)工作，工作一段時(shí)間后，就會(huì)形成局部熱點(diǎn)而損壞。
2023-02-16 10:58:191714 
－ 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個(gè)課題的貢獻(xiàn)，多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級結(jié)MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:152191 
功率器件業(yè)務(wù)為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費(fèi)級等應(yīng)用領(lǐng)域。 在超級結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯
2023-06-08 07:45:023111 
美浦森超結(jié)MOS在照明電源中的應(yīng)用芯晶圖電子潘17633824194隨著電源技術(shù)和功率器件以及通信技術(shù)的發(fā)展，目前的照明產(chǎn)品越來越趨向于智能化，小型化。對電源的體積和功率密度的要求也越來越高。因此
2022-04-29 16:27:012983 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要。超結(jié)
2023-08-18 08:32:562019 
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161894 
超級電容器，也稱為超級電容，是一種新型的電化學(xué)儲(chǔ)能裝置，它結(jié)合了傳統(tǒng)電容器和電池的特點(diǎn)，具有獨(dú)特的功能和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-04-25 15:47:003142 “超級結(jié)”技術(shù)由于其優(yōu)越的品質(zhì)因數(shù)，已經(jīng)在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。在設(shè)計(jì)基于超級結(jié)的功率器件時(shí)，工程師必須考慮一些因素，以提高電源應(yīng)用中的效率、功率密度和可靠性
2024-06-14 11:35:471353 
根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查，超級結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場份額超過30%，覆蓋了電動(dòng)車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、LED驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、家電控制等多個(gè)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)到2032年，全球超級結(jié)MOSFET市場的年復(fù)合增長率將超過11.5%。
2024-07-29 14:38:451237 
產(chǎn)品。然而，由于這類器件能夠持續(xù)在性能、效率和成本效益之間達(dá)到平衡，因此在優(yōu)化許多新應(yīng)用的電子電源設(shè)計(jì)時(shí)不可或缺。 硅基超級結(jié) MOSFET 早在本世紀(jì)初就已投入商業(yè)應(yīng)用，它是通過交替堆疊 p 型和 n
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 14:47:482578 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
在橋式電路中，國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替換超結(jié)（SJ）MOSFET具有顯著優(yōu)勢，但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢和技術(shù)注意事項(xiàng)兩方面進(jìn)行深度分析： 傾佳電子
2025-02-11 22:27:58831 
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結(jié)”單元，通過電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件，其核心設(shè)計(jì)通過優(yōu)化電場分布實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
在可靠性檢驗(yàn)中，不僅展現(xiàn)出樣本間的高度一致性，更實(shí)現(xiàn)了零老化問題。 ?瑞能超級結(jié) MOSFET 展現(xiàn)出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫表現(xiàn) 測試環(huán)境 測試平臺(tái): 1200W?服務(wù)器電源 輸入
2025-05-22 13:59:30491 
傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢和邏輯 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-09-01 09:50:372523 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場景的N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-29 10:31:10190 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機(jī)控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 新型X4級器件 在 簡化熱設(shè)計(jì)，提高效率 的 同時(shí)減少了儲(chǔ)能、充電、無人機(jī)和工業(yè)應(yīng)用中零部件數(shù)量。 伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年1 2 月 9 日 -- Littelfuse公司 （NASDAQ
2025-12-12 11:40:40377 
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）變大，當(dāng)諧振條件出現(xiàn)時(shí)，在那個(gè)地方和Cgd或LG、Lg1之間產(chǎn)生了大振蕩電壓，并引起了寄生振蕩。此外，LS和Ls1兩端的電壓降可由公式（1）表示，它由關(guān)斷瞬態(tài)期間的負(fù)漏極電流引起。雜散源極電感LS和Ls1兩端的電壓降在柵-源電壓上產(chǎn)生了振蕩。寄生振蕩會(huì)引起嚴(yán)重的EMI問題、大的開關(guān)損耗、柵-源擊穿、柵極失控，甚至導(dǎo)致MOSFET失效。
（1）
工商網(wǎng)監(jiān)
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