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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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關(guān)于反激式LED驅(qū)動(dòng)器的工作原理
作為一種固態(tài)光源,發(fā)光二級(jí)管(LED)具備使用壽命長(zhǎng)、功效出色以及環(huán)保特性,因此得到了廣泛應(yīng)用。目前,LED正在取代現(xiàn)有的照明光源,如白熾燈、熒光燈和H...
如何將驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配
對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量, 無(wú)論充放電過(guò)程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此,MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影...
2018-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.4萬(wàn) 0
提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。為達(dá)到 這個(gè)目標(biāo),需要提高開(kāi)關(guān)頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。
焊盤(pán)上打孔的注意事項(xiàng)和防立碑現(xiàn)象的發(fā)生方法詳細(xì)介紹
一 在MOSFET的大型焊盤(pán)的背面打過(guò)孔時(shí)我們?yōu)榱烁纳芃OSFET的散熱,在MOSFET的焊盤(pán)上打過(guò)孔。那么
電機(jī)驅(qū)動(dòng)短路保護(hù)時(shí)間設(shè)定的技術(shù)指標(biāo)
通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續(xù)的時(shí)間來(lái)評(píng)估功率MOSFET抗短路沖擊的性能。從圖3的應(yīng)用測(cè)試波形可以看到,在短路過(guò)程中,發(fā)生了連續(xù)多...
2018-04-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 7.9k 0
只要問(wèn)任何經(jīng)驗(yàn)豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么,你很可能會(huì)聽(tīng)到“一個(gè)約 100 Ω 的電阻”。
A6862主要特性和優(yōu)勢(shì)_汽車(chē)三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)方案
Allegro MicroSystems公司的A6862是N溝功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有三個(gè)獨(dú)立的浮置柵極驅(qū)動(dòng)輸出,集成的電荷泵控制器穩(wěn)壓器在電源電壓...
2018-04-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 4.7k 0
采用先進(jìn)的MOSFET技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)電動(dòng)工具的挑戰(zhàn)
無(wú)繩電動(dòng)工具具有易用、便攜和更安全等特性,越來(lái)越受到專(zhuān)業(yè)人士和個(gè)人用戶(hù)的青睞。但是制造商們也面臨著持續(xù)降低工具重量和減小尺寸的壓力。面對(duì)此種壓力,來(lái)看看...
2018-04-12 標(biāo)簽:MOSFET東芝電動(dòng)工具 8.4k 0
很多現(xiàn)代便攜式設(shè)備發(fā)貨時(shí)都必須安裝電池,以便客戶(hù)無(wú)需電池安裝或充電便可立即開(kāi)啟設(shè)備。如果連接至電池的組件有過(guò)量電流泄漏,那設(shè)備到客戶(hù)手中時(shí)可能就沒(méi)電了。...
一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過(guò)流和短路保護(hù)方法
采用電流檢測(cè)并用于FMF800DX-24A的先進(jìn)保護(hù)方法是通過(guò)參考設(shè)計(jì)RDHP-1417來(lái)實(shí)現(xiàn)的(其采用驅(qū)動(dòng)核2SC0435T)[4][5],并包括過(guò)壓...
大部分傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問(wèn)題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。 對(duì)于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電...
采用東芝DTMOSIV超級(jí)結(jié)MOSFET來(lái)解決這些問(wèn)題
功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復(fù)二極管。MOSFET和恢復(fù)二極管對(duì)于采用全橋或零電壓開(kāi)關(guān)/相移拓?fù)涞碾娦藕头?wù)器電源、全橋電機(jī)控制...
2018-04-08 標(biāo)簽:MOSFET東芝功率開(kāi)關(guān) 5.3k 0
介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
分享到 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探...
東芝的創(chuàng)新型雙面散熱MOSFET封裝DSOP Advance
電源系統(tǒng)中的主開(kāi)關(guān)器件是低電壓功率MOSFET,這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失,需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過(guò)...
超級(jí)結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)速度和導(dǎo)通損耗問(wèn)題
利用仿真技術(shù)驗(yàn)證了由于源極LSource生成反電動(dòng)勢(shì)VLS,通過(guò)MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時(shí)3引腳封裝的反電動(dòng)勢(shì)...
2018-03-30 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極驅(qū)動(dòng) 1.2萬(wàn) 0
電源IC與MOS管選定后,選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路很關(guān)鍵
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOS...
2018-03-28 標(biāo)簽:MOSFET電源管理驅(qū)動(dòng)電路 1.6萬(wàn) 0
兩個(gè)MOSFET串聯(lián)在半橋時(shí),電流的限制很關(guān)鍵
當(dāng)兩個(gè)MOSFET串聯(lián)在串聯(lián)(半橋)時(shí),請(qǐng)注意電流的限制,而這些限制并不總是在每個(gè)MOSFET都提供.
2018-03-26 標(biāo)簽:MOSFET 1.6萬(wàn) 0
電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理
我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始...
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