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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助。
三菱電機(jī)開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?,一般的大功率?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行,需要考慮模塊自...
近年來,以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場強(qiáng)度...
開關(guān)電源損耗知識點之開關(guān)電源產(chǎn)品各個部分的損耗計算
學(xué)電源電源看這里,這次我們分享一下開關(guān)電源功率損耗及熱耗的工程估算! 電源在為負(fù)載提供能量的同時也在燃燒自己,在電源設(shè)計時大家會很仔細(xì)的去分析負(fù)載的需求...
2018-09-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 1.9萬 0
低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢分析
功率半導(dǎo)體開關(guān)通常在用于電路設(shè)計時,能夠在不增加開關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗,這是其一大優(yōu)勢。在各種電路保護(hù)應(yīng)用中,器件需要連續(xù)傳送電流,較低...
基于IR2130驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計
功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點,但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計合理的保護(hù)...
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài),工作頻率較高,發(fā)熱量大,因此其故障率較高,又由于其價格較高,故代換IGBT管時,應(yīng)遵循以下原則:首先,盡量用原型...
通過軟件設(shè)計0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件并進(jìn)行仿真實驗
近年來全球范圍內(nèi)出現(xiàn)了新一輪的太空探索熱潮,世界各主要航天大國相繼出臺了一系列雄心勃勃的航天發(fā)展規(guī)劃。空間技術(shù)的迅猛發(fā)展,使各種電子設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于人...
RF功率MOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征及其應(yīng)用
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSF...
通過采用CPLD芯片實現(xiàn)對MOSFET器件電路的保護(hù)設(shè)計
功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動[1].功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力...
新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點及功能分析
尼康公司的D2H單反數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面有了較大改進(jìn),與CCD、CMOS圖像...
具有自動防擊穿保護(hù)的MOSFET器件在各種H橋配置中的應(yīng)用
MOSFET作為功率開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中,它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉(zhuǎn)換器消除米勒效應(yīng)
設(shè)計電源時,工程師常常會關(guān)注與MOSFET導(dǎo)通損耗有關(guān)的效率下降問題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下, 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)下工作時,若選...
2020-01-13 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 2.2k 0
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...
2018-08-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 8.8k 0
采用2SD315AI-33模塊實現(xiàn)高性能的IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
通過采用CMOS求和比較器實現(xiàn)開關(guān)電源電流PWM控制
開關(guān)電源1是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET...
2018-12-12 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源pwm 8k 0
飛兆開發(fā)出二極管的器件FDZ3N513ZT,專為智能電話的顯示屏提供照明
飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N5...
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