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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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什么是IGBT?IGBT的等效結(jié)構(gòu)/工作原理/類型/特性
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件,邏輯電路用于開(kāi)關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型,它們每個(gè)都有自己的優(yōu)勢(shì)和一些限制。IGBT(絕緣柵...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護(hù)—軟關(guān)斷
想象一個(gè)場(chǎng)景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
典型三端穩(wěn)壓器(也稱標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器)的輸出晶體管使用NPN型晶體管或N溝道MOSFET。
2023-04-12 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器LDO穩(wěn)壓器 7199 0
使用MOSFET進(jìn)行過(guò)流保護(hù)的電路原理圖
電子電路必須具有過(guò)流保護(hù),以防止大電流造成損害。由于開(kāi)關(guān)時(shí)間快且導(dǎo)通電阻低,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)可用作過(guò)流保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)。在本...
MOSFET的結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)波形分析
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng),同步Buck變換器的續(xù)流開(kāi)關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)管, 其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反...
長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實(shí)現(xiàn)
內(nèi)燃機(jī) (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對(duì)動(dòng)力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),以支持高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動(dòng)車窗、車門和后視鏡、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)...
幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。繼電器不允許并聯(lián)一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開(kāi)關(guān)類管子(IGBT、三極管、MOSFET等)不用于串聯(lián)結(jié)構(gòu)以解決單只...
RF功率MOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征及其應(yīng)用
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSF...
電源設(shè)計(jì)小貼士28&29:估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升
充電器市場(chǎng)高穩(wěn)定方案 思睿達(dá)TT5259+TT3017L_12V2A SMPS工程樣機(jī)測(cè)試
1、樣機(jī)介紹 ? 該測(cè)試報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率24W,恒壓輸出的工程樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)微電子的TT5259、TT3017...
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的振蕩問(wèn)題解析
上一篇文章我們介紹過(guò),為了使MOS管完全導(dǎo)通,需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢,即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好?
符合ISO 7637-2和ISO 16750-2標(biāo)準(zhǔn)的可靠汽車電源保護(hù)
圖8中的設(shè)計(jì)可保護(hù)下游電子設(shè)備免受ISO 16750-2和ISO 7637-2瞬變的影響,同時(shí)提供高達(dá)4A的輸出電流。同時(shí),它可以保護(hù)上游系統(tǒng)免受下游電...
隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾,開(kāi)關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓,LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ),各取所長(zhǎng)才...
Boost電路是一種開(kāi)關(guān)直流升壓電路,它能夠使輸出電壓高于輸入電壓。在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中算是一種較為常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì)方式。本文將給大家介紹boost基本原理...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)之平面結(jié)構(gòu)
電流從漏極流向源極時(shí),電流在硅片內(nèi)部橫向流動(dòng),而且主要從硅片的上表層流過(guò),因此沒(méi)有充分應(yīng)用芯片的尺寸;而且,這種結(jié)構(gòu)的耐壓,由柵極下面P層寬度和摻雜決定
東微半導(dǎo)體超級(jí)硅MOSFET系列產(chǎn)品,可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)最早量產(chǎn)并進(jìn)入工業(yè)級(jí)應(yīng)用的高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品系列,在國(guó)產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位,廣泛應(yīng)用于充電樁模塊,通訊電源等大功率...
隔離式反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中計(jì)算變壓器的參數(shù)設(shè)置
MOSFET選型,吸收電路器件選型,輸出二極管選型,輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。
2019-05-06 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電壓 6906 0
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參...
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