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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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我們設計的這個Buck方案中對事件的最小開關(guān)時間是有要求的,這是第一點,第二點就是開關(guān)電源的頻率是有要求的,雖然可以稍低一點,但是電感要大,開關(guān)頻率低了...
開關(guān)電源和線性電源差異 開關(guān)電源220v轉(zhuǎn)24v原理
開關(guān)電源使用開關(guān)器件(如晶體管、功率MOSFET等)來快速切換電源電壓或電流,并通過濾波電路將輸出電壓調(diào)整為需要的直流電壓。開關(guān)電源利用開關(guān)的快速切換和...
2023-09-18 標簽:MOSFET開關(guān)電源濾波電路 7780 0
大功率寬帶MOSFET運算放大器PA85的性能特點和典型應用分析
PA85是Apex公司生產(chǎn)的高電壓、大功率寬帶MOSFET運算放大器,它在安全操作區(qū)(SOA)沒有二次擊穿的限制,通過選擇合適的限流電阻可在任何負載下選...
通常采用MOSFET飽和的短路電流,使用單脈沖持續(xù)的時間來評估功率MOSFET抗短路沖擊的性能。從圖3的應用測試波形可以看到,在短路過程中,發(fā)生了連續(xù)多...
思睿達CR6889B方案能否替換XX11?測試數(shù)據(jù)分析
我們將為大家?guī)硭碱__主推的CR6889B替換XX11對比 測試 報告。話不多說,我們先了解下思睿達CR6889B的大概內(nèi)容吧! CR6889B芯片特性...
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET...
近年來,以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場強度...
功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導體器件。它是電子部件和電子設備-發(fā)電機的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時保持系統(tǒng)簡單性的電源設計人員具有很高的吸引力。
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