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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TPS2491 具有功率限制和自動(dòng)重試功能的 9V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS249x 是易于使用的正高電壓 10 引腳熱插拔電源管理器器件,可安全地驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)。功率限制和電流限制(兩者都是可調(diào)的...
TPS2490 具有功率限制和閉鎖功能的 9V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS249x 是易于使用的正高電壓 10 引腳熱插拔電源管理器器件,可安全地驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)。功率限制和電流限制(兩者都是可調(diào)的...
TPS2400 具有 100V 輸入瞬態(tài)保護(hù)的 5.5V 過壓保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2400 過壓保護(hù)控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用 將敏感電子元件與破壞性的電壓尖峰和浪涌隔離開來。它具體 旨在防止與汽車環(huán)境相關(guān)的...
CCM 和DCM 的判斷,不是按照初級(jí)電流是否連續(xù)來判斷的。而是根據(jù)初、次級(jí)的電流合成來判斷的。只要初、次級(jí)電流不同是為零,就是CCM 模式。而如果存在...
2025-05-14 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開關(guān)電源 5927 0
TPS2410 0.8V 至 16.5V 1.2A IQ 290uA Igate 源 N+1 和 OR-ing 電源軌控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS241x 控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,可仿真低正向電壓二極管的功能。該器件可用于將多個(gè)電源組合到 N+1 配置的公共總線上,或...
LM5067系列 具有功率限制的 -9V 至 -80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5067 負(fù)熱插拔控制器可在從帶電系統(tǒng)背板或其他“熱”電源插入和拔出電路卡期間對(duì)電源連接進(jìn)行智能控制。LM5067 提供浪涌電流控制,以限制系統(tǒng)電壓...
TPS22901 3.6V、0.5A、78mΩ、22nA 漏電流負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 都是小的、低導(dǎo)通電阻 (r ~上~ ) 負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,...
TPS22960 具有輸出放電功能的 2 通道、5.5V、0.5A、435mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22960 是一款具有受控導(dǎo)通功能的小型低 rON 雙通道負(fù)載開關(guān)。這些器件包含兩個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 1.62V 至 5.5V 的輸...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān) 227 0
TPS2590 3V 至 20V、30mΩ、2-5A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2590 器件提供高度集成的熱插拔電源管理和卓越的 在負(fù)載由高達(dá) 20 V 的總線供電的應(yīng)用中提供保護(hù)。最大 UV 開啟 2.9 V 的閾值使 T...
TPS22946 具有可選電流限制的 5.5V、0.15A、400mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22946 是一款超低功耗負(fù)載開關(guān),可為系統(tǒng)和 大電流條件下的負(fù)載。該器件包含一個(gè) 300mΩ 限流 P 溝道 MOSFET 可在 1.62 V ...
2025-05-14 標(biāo)簽:電流MOSFET負(fù)載開關(guān) 264 0
功率器件開關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測(cè)試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測(cè)試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 364 0
LM5060系列 5.5V 至 65V 高壓側(cè)保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5060 高側(cè)保護(hù)控制器可在正常開/關(guān)轉(zhuǎn)換和故障條件下對(duì)高側(cè) N 溝道 MOSFET 進(jìn)行智能控制。浪涌電流由輸出電壓的幾乎恒定的上升時(shí)間控制。PO...
LM5060-Q1系列 汽車 5.5V 至 65V 高壓側(cè)保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5060 高側(cè)保護(hù)控制器可在正常開/關(guān)轉(zhuǎn)換和故障條件下對(duì)高側(cè) N 溝道 MOSFET 進(jìn)行智能控制。浪涌電流由輸出電壓的幾乎恒定的上升時(shí)間控制。PO...
TPS22943 5.5V、0.04A、500mΩ、具有電流限制和高電平有效啟用功能的負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22941/2/3/4/5 負(fù)載開關(guān)為系統(tǒng)和負(fù)載提供保護(hù) 大電流條件。這些器件包含一個(gè) 0.4 Ω 限流 P 溝道 MOSFET,該 MOSFET...
2025-05-13 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)輸入電壓 288 0
TPS22924C 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開關(guān),3.6V 時(shí)具有 800μs 的輸出放電和上升時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至...
TPS2419 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、291uA Igate 源 N+1 和帶啟用的 OR-ing 電源軌控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2419控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,以 MOSFET 的效率提供 ORing 二極管的反向電流保護(hù)。TPS2419 可用于將多...
TPS22904 具有輸出放電的 3.6V、0.5A、66mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22903 和 TPS22904 超小,低 r~上~單通道 帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 1...
2025-05-13 標(biāo)簽:MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān) 554 0
TPS2480 具有 I2C 電流監(jiān)控和閉鎖功能的 9V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2480/81 旨在最大限度地減少對(duì)應(yīng)用的浪涌,并保護(hù)負(fù)載和 FET 免受過流或短路事件的影響。它們控制外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān),并通過...
2025-05-13 標(biāo)簽:電容器轉(zhuǎn)換器MOSFET 252 0
TPS22934 具有輸出放電的 3.6V、1A、63mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22934 是一個(gè)小的低導(dǎo)通電阻 (r ~上~ ) 帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個(gè) P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 ...
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