LM5060 高側保護控制器可在正常開/關轉換和故障條件下對高側 N 溝道 MOSFET 進行智能控制。浪涌電流由輸出電壓的幾乎恒定的上升時間控制。POWER GOOD輸出指示輸出電壓何時達到輸入電壓，并且MOSFET完全導通。提供輸入 UVLO （帶滯后） 以及可編程輸入 OVP。使能輸入提供遠程開或關控制?？删幊?UVLO 輸入可用作第二個使能輸入，以實現(xiàn)安全冗余。單個電容器對初始啟動 V 進行編程GS系列故障檢測延遲時間，轉換 VDS 系列故障檢測延遲時間和連續(xù)過流 VDS 系列故障檢測延遲時間。當檢測到的故障情況持續(xù)超過允許的故障延遲時間時，MOSFET 將被鎖定，直到使能輸入或 UVLO 輸入先切換為低電平，然后再切換為高電平。
*附件：lm5060.pdf

特性

• 提供汽車級 / AEC Q-100
• 寬工作輸入電壓范圍：
  5.5 V 至 65 V
• 功能安全能力
  • 提供有助于功能安全系統(tǒng)設計的文檔
• 禁用模式下的靜態(tài)電流小于 15μA
• 受控的輸出上升時間，用于安全連接電容負載
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動器
• 帶遲滯的可調(diào)欠壓鎖定 （UVLO）
• UVLO 用作需要安全冗余的系統(tǒng)的第二個使能輸入
• 可編程故障檢測延遲時間
• 檢測到負載故障后 MOSFET 閉鎖
• 低漏極有效開路 POWER GOOD （nPGD） 輸出
• 可調(diào)輸入過壓保護 （OVP）
• 過壓關斷后立即重啟
• 10 引腳 VSSOP

參數(shù)

方框圖

概述

LM5060是一款高側保護控制器，適用于需要低靜態(tài)電流的應用場景，如汽車電子和工業(yè)電源分配與控制。該器件通過智能控制外部高側N溝道MOSFET，在正常開關轉換和故障條件下提供保護。

主要特性

• ?寬輸入電壓范圍?：支持5.5V至65V的輸入電壓。
• ?低靜態(tài)電流?：在禁用模式下，靜態(tài)電流小于15μA。
• ?功能安全?：提供文檔支持功能安全系統(tǒng)設計。
• ?可編程電流限制?：通過外部電阻設置。
• ? 可編程欠壓鎖定（UVLO） ?：具有遲滯功能，可作為系統(tǒng)的冗余使能輸入。
• ? 可編程過壓保護（OVP） ?：通過外部電阻分壓器設置。
• ?故障檢測延遲時間可編程?：通過外部電容設置。
• ?POWER GOOD輸出?：活動低電平開漏輸出，指示外部MOSFET的狀態(tài)。
• ?熱關斷保護?：防止器件過熱損壞。

應用場景

• ?汽車電子?：如車身電子系統(tǒng)。
• ?工業(yè)電源分配和控制?。

功能描述

• ?電流保護?：通過檢測MOSFET的漏源電壓降實現(xiàn)過流保護，當超過設定的閾值時，延時后關斷MOSFET。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：當輸入電壓低于設定閾值時，關斷MOSFET。
• ? 過壓保護（OVP） ?：當輸入電壓高于設定閾值時，關斷MOSFET。
• ? 使能輸入（EN） ?：允許遠程開關控制，當EN引腳電壓低于0.8V時，LM5060進入低電流關斷狀態(tài)。
• ?故障檢測延遲?：通過外部電容設置故障檢測延遲時間，以避免誤動作。
• ?熱關斷?：當器件溫度超過設定閾值時，自動關斷輸出。

電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：5.5V至65V。
• ? 靜態(tài)電流（禁用模式） ?：小于15μA。
• ? 輸出電流（典型值） ?：由外部MOSFET決定。
• ? UVLO閾值（典型值） ?：1.6V，具有遲滯。
• ? OVP閾值（典型值） ?：2.0V，具有遲滯。
• ? GATE引腳輸出電壓（典型值） ?：16.8V以上（相對于OUT引腳）。

封裝與尺寸

• ?封裝類型?：10引腳VSSOP封裝。
• ?尺寸?：3.00mm x 3.00mm。

典型應用

• ?LM5060EVAL設計?：提供了評估模塊的基本設計過程。
• ?反向極性保護?：通過二極管或電阻實現(xiàn)反向極性保護。

設計指南

• ?GATE引腳控制?：詳細介紹了GATE引腳的充電和放電過程，以及如何通過外部電容調(diào)整輸出電壓的上升時間。
• ?故障檢測延遲?：解釋了如何通過外部電容設置故障檢測延遲時間，以避免在啟動或負載瞬變時誤觸發(fā)故障保護。
• ?MOSFET選擇?：提供了選擇外部MOSFET時的考慮因素，包括BVDSS、RDS(ON)、最大瞬態(tài)電流等。
• ?輸入和輸出電容?：建議根據(jù)實際應用添加輸入和輸出電容，以限制電壓尖峰和噪聲。