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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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非線性損耗模型:提升SiC變換器性能估算的準(zhǔn)確性
由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、高溫操作的耐受性以及相對(duì)于硅更高的功率密度等固有特性,越來(lái)越受到電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師的青...
MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
在高功率電子設(shè)計(jì)中,為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性,常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而,MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡(jiǎn)單的器件堆疊,它涉...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)高功率 932 0
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來(lái)了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí),縮放并...
三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...
關(guān)于如何解決MOS常見(jiàn)問(wèn)題的方案參考
現(xiàn)代半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)中,MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高效、快速開關(guān)特性以及低功耗特性,被廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、信號(hào)放大等領(lǐng)域。然而,在實(shí)...
2024-12-03 標(biāo)簽:MOSFET晶體管驅(qū)動(dòng)電流 1048 0
仁懋MOSFET產(chǎn)品在電焊機(jī)上的應(yīng)用
隨著焊接市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)日益加劇,用戶對(duì)于焊接設(shè)備的要求也越來(lái)越高。輕便、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的焊接設(shè)備逐漸成為市場(chǎng)的寵兒。仁懋MOSFET正是基于這樣的市場(chǎng)需求,應(yīng)運(yùn)而...
國(guó)產(chǎn)兼容SY6280AAC,SY6280AAAC 降低成本
SY6280A是一種經(jīng)濟(jì)有效、低電壓、單P-MOSFET負(fù)載開關(guān),為自供電和總線供電的通用串行總線(USB)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該開關(guān)的輸入范圍從2.4V到...
2024-11-30 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān) 1454 0
近年來(lái),隨著汽車電子化的快速發(fā)展和電動(dòng)汽車銷量的持續(xù)攀升,車載MOSFET市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速。在功率半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步的推動(dòng)下,車載MOSFET性能持續(xù)提升,...
2024-12-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET東芝 915 0
SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性
從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV),它們...
反激式變換器及其拓?fù)洹⒂杏脜?shù)和操作反激式控制器(MPX2002和MPX2003)
反激式變換器是用于醫(yī)療設(shè)備和筆記本電腦等應(yīng)用的多功能電力電子器件。這種變換器也稱為隔離式升降壓變換器,其電路簡(jiǎn)單,可以調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸出電壓(VOUT),同...
30V N通道功率MOSFET SMN3003ALU產(chǎn)品概述
隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展的重視,電動(dòng)交通工具噴涌而出,應(yīng)運(yùn)而生;研究和開發(fā)高性能、高安全性的動(dòng)力電池管理系統(tǒng)成為整個(gè)車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要課題。
超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于其具有高耐壓和低電阻的特點(diǎn)。相較于普通高壓VDMOS,超結(jié)MOSFET的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小,適用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用。...
本文介紹了隧穿晶體管的原理及它的優(yōu)勢(shì)。 ? 我們所處的這個(gè)由永遠(yuǎn)在線的個(gè)人電腦、平板電腦和智能手機(jī)構(gòu)成的世界的誕生,要?dú)w功于一個(gè)了不起的趨勢(shì):金屬氧化物...
提升電力電子效率:功率MOSFET的應(yīng)用與選擇指南
現(xiàn)代電子應(yīng)用需要高開關(guān)頻率以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的高效率。功率MOSFET是電力密集型應(yīng)用中的重要組成部分。它們具有相對(duì)較低的門電荷,使其非常適合中高功率的應(yīng)用場(chǎng)景...
MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設(shè)計(jì)咋用它計(jì)算MOS會(huì)損壞嗎?
單脈沖雪崩能量簡(jiǎn)稱是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設(shè)計(jì)中拿這個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估MOSFET 的瞬態(tài)過(guò)壓耐...
2024-11-25 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS 5902 0
仁懋MOSFET助力UPS電源,守護(hù)設(shè)備安全穩(wěn)定運(yùn)行
隨著科技的發(fā)展,電力需求日益增長(zhǎng),不間斷電源(UPS)在保障電力穩(wěn)定供應(yīng)方面發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。仁懋MOSFET產(chǎn)品憑借其高性能、高可靠性的特點(diǎn),在...
由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門的最基本單元CMOS介紹
介紹了芯片最基本的單元——MOSFET,和由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門的最基本單元——CMOS。?? MOSFET 芯片最底層的原理二進(jìn)制運(yùn)算,所以我...
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