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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢,SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同,對驅(qū)動設(shè)計也提出了更高...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)...
電源輸入電壓范圍裕量太小導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行故障
電源輸入電壓范圍裕量太小導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行故障某設(shè)備批量生產(chǎn)并銷售后,在某個客戶處多臺設(shè)備出現(xiàn)故障。調(diào)試發(fā)現(xiàn),故障發(fā)生的共同原因是單板上的一顆電源芯片損壞。...
DC/DC是將一個電壓值轉(zhuǎn)換為另一個電壓值的開關(guān)穩(wěn)壓器,原理是利用電容、電感的儲能的特性,通過可控開關(guān)(MOSFET等)進(jìn)行高頻開關(guān)的動作,將輸入的電能...
2024-07-08 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器開關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬 0
隨著全球能源需求的不斷增長和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)峻,太陽能光伏發(fā)電作為一種清潔、環(huán)保的可再生能源技術(shù),得到了前所未有的重視和快速發(fā)展。光伏逆變器是將太陽...
AI數(shù)據(jù)中心電力飆升,安森美高能效MOSFET如何見招拆招?
安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù),降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,并進(jìn)而顯著降低了其 Qg,RDS(O...
2024-06-29 標(biāo)簽:MOSFET安森美數(shù)據(jù)中心 1108 0
兼容JW5017S 30V/1A 1.4MHz同步降壓轉(zhuǎn)換IC
該RY8310是一種高頻,同步,整流,降壓,開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器與內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個非常緊湊的解決方案,可在寬的輸入電源范圍內(nèi)提供1A的連續(xù)電...
2024-06-24 標(biāo)簽:MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換IC 666 0
柵極接地NMOS是一種廣泛應(yīng)用的片上ESD器件結(jié)構(gòu),為達(dá)到特定ESD防護(hù)等級,一般會采用多叉指版圖形式來減小器件占用的芯片面積。但是,多叉指柵極接地NM...
相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點,越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...
從理論上講,碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢,這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的,但只要關(guān)注該...
使用快速恢復(fù)二極管MOSFET在電源中的應(yīng)用
“超級結(jié)”技術(shù)由于其優(yōu)越的品質(zhì)因數(shù),已經(jīng)在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。在設(shè)計基于超級結(jié)的功率器件時,工程師必須考慮一些因素...
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道,但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道...
2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開關(guān)損耗 2289 0
芯品# MPQ6653具有集成功率MOSFET和嵌入式霍爾傳感器的單相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動器
MPQ6653-AEC1 是一款具有集成功率 MOSFET 和嵌入式霍爾傳感器的單相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動器。它具有5.5V 至 35V 的輸...
功率器件(如開關(guān)、電阻和MOSFET)的并聯(lián)連接旨在分擔(dān)功率,使設(shè)備能夠承受更大的功率。它們可以并聯(lián)連接,以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩(wěn)定性的影響...
開關(guān)MOSFET中產(chǎn)生振鈴和電壓尖峰的現(xiàn)象是電力電子轉(zhuǎn)換過程中常見的問題,尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中更是如此。這接下來,我們將詳細(xì)探討這些現(xiàn)象的起因。 振鈴...
在電子工程領(lǐng)域,場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)作為一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。其中,功...
2024-05-31 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2200 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
在電子工程領(lǐng)域中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)因其高集成度、低功耗等特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,MOSFET在開關(guān)過程中可能...
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
首先,計算開通和關(guān)斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...
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