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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?
基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...
適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢,為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...
絕緣門極雙極型晶體管(IGBT)是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、飽...
MOSFET的電路符號和開關(guān)應(yīng)用 MOSFET功率放大器電路圖分享
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。它是一種 FET(場效應(yīng)晶體管),其柵極和溝道之間具有絕緣金屬氧化物層。相反,JFET 的柵極與其溝道...
逆變器(Inverter)是一種電源轉(zhuǎn)換裝置,可以將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC),或者將一種交流電轉(zhuǎn)換為另一種交流電。這種轉(zhuǎn)換是通過半導(dǎo)體開關(guān)設(shè)備...
選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括:選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn),或者出于營銷或客戶目的...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 2585 0
MOSFET柵極電路的常見作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路
首先說一下電源IC直接驅(qū)動,下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動電路未做過多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。
線性穩(wěn)壓器是一種電源管理集成電路,用于將輸入電壓穩(wěn)定在恒定的輸出電壓。它的工作原理是通過一個(gè)調(diào)節(jié)元件(通常是晶體管)來調(diào)整輸入電壓,使輸出電壓保持在設(shè)定...
2024-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電壓線性穩(wěn)壓器 3099 0
表面貼裝MOSFET產(chǎn)品上線高失效原因及其案例分析
經(jīng)過電參數(shù)測試合格的產(chǎn)品2N**經(jīng)過客戶SMT(無鉛工藝260±5℃)生產(chǎn)線貼裝后,發(fā)現(xiàn)大量產(chǎn)品電參數(shù)失效,出現(xiàn)的現(xiàn)象是D、S間漏電,產(chǎn)品短路,失效比例...
硅(Si)晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,廣泛應(yīng)用于從微小的微控制器到強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)服務(wù)器的各種設(shè)備。硅作為半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢主要在于其豐富的資源、成熟的加工技...
什么是智能音響?智能音響內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)詳解
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的升級與發(fā)展,讓很多物體都有了“感知”和“生命”。例如智能音響,能在一天的勞累工作之后讓雙手得到釋放。不僅如此,它還可以實(shí)現(xiàn)語音點(diǎn)歌、網(wǎng)上...
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極...
場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件,用于控制電流的流動。
2024-02-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場效應(yīng)晶體管 2113 0
IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法
摘要:隨著儲能變流器向大容量、模塊化發(fā)展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研究熱點(diǎn)。然而SiC器件過高的開關(guān)速度使其對電路中雜散...
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