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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析
為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu), 從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評(píng)估了冷板性...
MOSFET作為開關(guān)的工作原理和優(yōu)勢(shì) MOSFET開關(guān)電路圖
MOSFET,全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制的開關(guān)器件。它的工作原理是,通過在柵極施加電壓,控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極施加...
2024-01-03 標(biāo)簽:電路圖開關(guān)電路MOSFET 5331 0
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商,SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力...
2024-01-03 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體封裝 1247 0
上期EV焦點(diǎn)欄目 我們聊了聊電動(dòng)汽車為什么要上800V,也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期,我們相對(duì)放大一下,聊聊SiC在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用。
2024-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電池充電 1459 0
如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴(kuò)大溫度范圍
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)...
2024-01-01 標(biāo)簽:MOSFET大功率電源轉(zhuǎn)換器 1011 0
晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件,用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種,其柵極通過使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此,它也被稱為IGF...
在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個(gè)重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于兩者間的定義常會(huì)引起混淆,接下來就讓小編來帶您梳理一...
場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種廣泛應(yīng)用在電子電路中的半導(dǎo)體器件,它有三個(gè)引腳:源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。這三個(gè)引腳...
開關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)和選型注意事項(xiàng) 機(jī)械開關(guān)的類型
開關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找姂T,其種類繁多,無處不在。開關(guān)有無數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機(jī)械或電氣操作、手動(dòng)或電子...
雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹
如今整個(gè)電路系統(tǒng),性能要求越來越高,功耗要求越來越低,其設(shè)計(jì)也越來越復(fù)雜,在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)中會(huì)存在各個(gè)元器件之間的工作電壓不一致的情況;
2023-12-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器場效應(yīng)管 6589 0
SEMI-e 第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿,向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購與技術(shù)交流平臺(tái)。
作者:Rolf Horn 投稿人:DigiKey 北美編輯 電信行業(yè)在現(xiàn)代社會(huì)中發(fā)揮著重要作用,是全球即時(shí)通信的重要基礎(chǔ)。無論是對(duì)于電話、短信還是網(wǎng)絡(luò)命...
電壓監(jiān)控器通過監(jiān)控電源,在電源發(fā)生故障時(shí)將微控制器置于復(fù)位模式,可防止系統(tǒng)出現(xiàn)錯(cuò)誤和故障,從而提高基于微控制器系統(tǒng)的可靠性。
2023-12-22 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源smps 1646 0
什么是IGBT?IGBT的等效結(jié)構(gòu)/工作原理/類型/特性
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件,邏輯電路用于開關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型,它們每個(gè)都有自己的優(yōu)勢(shì)和一些限制。IGBT(絕緣柵...
本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...
IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法
本篇文章簡單介紹IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法,引入大電流驅(qū)動(dòng)IC以及門極保護(hù)TVS,同時(shí)羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動(dòng)電壓,借此介紹非...
在電信應(yīng)用中,MAX1637 是一種流行的器件。該器件具有許多優(yōu)點(diǎn),例如 PWM 操作、小尺寸、高 MOSFET 驅(qū)動(dòng)能力、寬 VIN 和 VOUT 范...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡析(下)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
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