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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合,該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護(hù)及LE...
Nexperia 每年增加 800 多種新產(chǎn)品類型。2024 年,僅模擬和電源管理應(yīng)用便推出了超過 70 種新部件。為支持 Nexperia 產(chǎn)品擴(kuò)展,...
T型三電平逆變器與碳化硅MOSFET:深度技術(shù)分析與應(yīng)用價(jià)值研究
傾佳電子T型三電平逆變器與碳化硅MOSFET:深度技術(shù)分析與應(yīng)用價(jià)值研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...
合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關(guān)中的應(yīng)用
在電子工程領(lǐng)域,VBUS開關(guān)的性能對(duì)于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中,常常會(huì)遇到VBUS開關(guān)方面的各種問題,今天就來和大家深入探...
傾佳電子交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù):原理、優(yōu)勢(shì)及其在SiC碳化硅MOSFET大功率應(yīng)用中的協(xié)同增效分析
傾佳電子交錯(cuò)并聯(lián)(Interleaved Parallel)技術(shù):原理、優(yōu)勢(shì)及其在SiC碳化硅MOSFET大功率應(yīng)用中的協(xié)同增效分析 傾佳電子(Chan...
龍騰半導(dǎo)體邀您相約PCIM Asia Shanghai 2025
2025年電力電子領(lǐng)域盛會(huì),PCIM Asia Shanghai--上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)即將啟幕!
2025-09-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 423 0
真茂佳半導(dǎo)體亮相elexcon 2025深圳國(guó)際電子展
8月28日,為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會(huì)展中心(福田)圓滿落幕,作為電子行業(yè)的年度大展,elexcon匯聚了全球400+...
CLLC諧振變換器深度解析與SiC碳化硅MOSFET應(yīng)用技術(shù)價(jià)值分析
傾佳電子CLLC諧振變換器深度解析與SiC碳化硅MOSFET應(yīng)用技術(shù)價(jià)值分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...
用于機(jī)器人手臂的基于B3M010C075Z和BTD5452R的三相全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)報(bào)告
傾佳電子用于機(jī)器人手臂的基于SiC碳化硅MOSFET器件B3M010C075Z和帶有DESAT短路保護(hù)和米勒鉗位的隔離驅(qū)動(dòng)BTD5452R的三相全橋電機(jī)...
2025-09-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器機(jī)器人 446 0
62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析
傾佳電子62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場(chǎng)應(yīng)用前景深度解析
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場(chǎng)應(yīng)用前景深度解析 前言 隨著“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動(dòng)和新一輪能源革命浪潮席卷全球,功率半導(dǎo)體技...
傾佳電子BTD5452R隔離型SiC碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器米勒鉗位串?dāng)_抑制與DESAT短路保護(hù)的技術(shù)價(jià)值
現(xiàn)代功率電子系統(tǒng),如光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和儲(chǔ)能變流器(PCS),正朝著高效率、高功率密度和高可靠性的方向快速發(fā)展。伴隨著第三代半導(dǎo)體(如碳化硅SiC ...
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)...
氧化鎵破局!江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)著作權(quán)落地,解鎖高效節(jié)能新范式
2025年8月25日,江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“江蘇拓能”)自主研發(fā)的 “氧化鎵半導(dǎo)體在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用系統(tǒng)(V1.0)” 正式獲得軟件著作...
合科泰MOSFET SI2301的核心優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景
合科泰SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET,專為DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)。2.8-3.0mm×1.2-1.4m...
合科泰MOSFET助力解決工業(yè)控制領(lǐng)域挑戰(zhàn)
深圳華強(qiáng)等頭部渠道商最新監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,2025年二季度以來,MOSFET等核心電子元器件價(jià)格已進(jìn)入近三年低位區(qū)間,主流型號(hào)均價(jià)較2023年峰值下降35%...
合科泰MOS管HKTD120N04的優(yōu)勢(shì)
對(duì)于工業(yè)變頻器廠家、充電樁企業(yè)、電動(dòng)兩三輪車制造商等企業(yè)來說,他們?cè)谶x擇電子元器件時(shí)面臨著不少困擾。進(jìn)口品牌雖然性能不錯(cuò),但交期長(zhǎng),常常影響生產(chǎn)進(jìn)度;高...
Diodes公司推出四款80V/100V異步降壓轉(zhuǎn)換器
Diodes公司(Nasdaq:DIOD)推出四款符合車用規(guī)范*的異步降壓轉(zhuǎn)換器,適用于48V 低電壓軌負(fù)載點(diǎn)(PoL)應(yīng)用。
2025-09-01 標(biāo)簽:MOSFETDiodes降壓轉(zhuǎn)換器 1.7k 0
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