chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三菱電機推出四款全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片

三菱電機半導體 ? 來源:三菱電機半導體 ? 2026-01-16 10:38 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品發(fā)布

cc2693b2-f0ed-11f0-92de-92fbcf53809c.png

溝槽型SiC-MOSFET晶圓(左)溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片(右)

三菱電機集團于今日(2026年1月14日)宣布,將于1月21日開始提供4款全新溝槽型1SiC-MOSFET裸芯片(未封裝在封裝材料中的芯片),該芯片專為電動汽車(EV)主驅(qū)逆變器2,車載充電器3以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等可再生能源的功率系統(tǒng)等中的功率器件而設(shè)計。這些新型功率半導體裸芯片適用于在各種功率器件中進行封裝,且在保持性能的同時降低功耗。三菱電機將于1月21日至23日在東京舉行的第40 屆日本Nepcon研發(fā)與制造展上展出全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸片,并將在北美、歐洲、中國、印度及其他地區(qū)參展。

隨著全球為實現(xiàn)脫碳目標而做出的努力,功率器件市場預計將會擴大。作為這一趨勢的一部分,對嵌入高性能功率半導體的需求正在增長。高效的功率芯片使電動汽車主驅(qū)逆變器和可再生能源供系統(tǒng)等在保持高性能和高品質(zhì)的同時降低能耗。

自2010年以來,三菱電機開始銷售SiC功率半導體模塊,這些模塊能夠顯著降低空調(diào)、工業(yè)設(shè)備和鐵路車輛逆變系統(tǒng)的能耗。為滿足對先進功率半導體裸芯片的需求,三菱電機現(xiàn)推出了4款全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片,這些芯片與三菱電機現(xiàn)有溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片類似4,但是對溝槽柵型SiC-MOSFET結(jié)構(gòu)進行了進一步優(yōu)化,與平面柵型5SiC-MOSFET相比,功率損耗降低約50%6。此外,三菱電機專有的柵極氧化膜制造方法等制造工藝可抑制功率損耗和導通電阻的變化,能夠確保長期使用中的可靠性。

產(chǎn) 品 特 點

4款全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片,滿足功率器件中多樣化的嵌入需求

這4款全新裸芯片擴大了三菱電機SiC-MOSFET裸芯片在功率器件中的應用范圍,包括電動汽車牽主驅(qū)逆變器、車載充電器和可再生能源供電系統(tǒng)等。

對現(xiàn)有溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片的結(jié)構(gòu)進一步優(yōu)化,可降低功耗

溝槽柵型SiC-MOSFET結(jié)構(gòu)利用了在制造Si基功率半導體裸芯片過程中培育的微型化技術(shù),與傳統(tǒng)的平面柵型SiC-MOSFET相比,有效降低了導通電阻。與傳統(tǒng)的垂直離子注入法相比,三菱電機特有的傾斜離子注入法可降低芯片開關(guān)損耗。與平面柵型SiC-MOSFET相比,功率損耗降低約50%6,從而有助于降低功率器件的功耗。

特有制造工藝助力功率器件保持品質(zhì)

這些裸芯片采用了針對SiC MOSFET的基于20多年來對平面柵型SiC-MOSFET和SiC-SBD的研究和制造經(jīng)驗7以及包括用于溝槽柵型SiC-MOSFET的獨特柵極氧化膜制造方法在內(nèi)的專有制造工藝。這些技術(shù)有助于抑制因反復開關(guān)而產(chǎn)生的功率損耗和導通電阻的變化,從而確保功率器件的長期穩(wěn)定質(zhì)量和性能。

主要規(guī)格

型號 WF0020P-0750AA WF0040P-0750AA WF0060P-0750AA WF0080P-0750AA
應用 諸如電動汽車主驅(qū)逆變器、車載充電器和可再生能源電力系統(tǒng)之類的功率器件
額定電壓 750V
導通電阻 20mΩ 40mΩ 60mΩ 80mΩ
表面電極規(guī)格 支持焊接連接
背電極規(guī)格 支持焊接鍵合和銀燒結(jié)鍵合
價格 個別報價
樣品發(fā)貨 2026年1月21日
環(huán)保意識 符合RoHS8指令(2011/65/EU,(EU) 2015/863)

網(wǎng)站

有關(guān)功率器件的更多信息,請訪問www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/

1 一種在在晶圓表面蝕刻出溝槽(凹槽)并嵌入柵電極的特殊結(jié)構(gòu)。

2 用于直接驅(qū)動電動汽車和混合動力汽車主驅(qū)電機的功率變換設(shè)備。

3 電動汽車/插電式混合動力汽車中安裝的一種用于將外部交流電源轉(zhuǎn)換為直流電以進行車輛電池的充電的充電設(shè)備。

4 2024 年 11 月 12 日公布:https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2024/1112/

5 一種柵電極置于晶圓的表面之上的結(jié)構(gòu)。

6 將閾值電壓調(diào)整至與現(xiàn)有同電壓等級平面柵型MOSFET相同后,對導通電阻進行比較。

7 一種利用半導體材料與金屬材料交界處形成的肖特基勢壘工作的二極管。

8 電氣及電子設(shè)備中某些有害物質(zhì)的使用限制。

關(guān)于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2025年3月31日的財年,集團營收55217億日元(約合美元368億)。作為一家技術(shù)主導型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術(shù),并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導體已有70年。其半導體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    10795

    瀏覽量

    234868
  • 三菱電機
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    216

    瀏覽量

    21668
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2216

    瀏覽量

    95464

原文標題:【新品】三菱電機開始提供4款用于功率器件的全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片樣品

文章出處:【微信號:三菱電機半導體,微信公眾號:三菱電機半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】

    領(lǐng)先,同時推進第四代溝槽 SiC MOSFET 研發(fā)。 05 中電國基南方(55所) 2026 年 3 月,車規(guī)級 SiC
    發(fā)表于 03-24 13:48

    NCEPOWER新潔能推出鋰電池保護應用原理分析及溝槽MOSFET對應方案~

    NCEPOWER新潔能推出鋰電池保護應用原理分析及溝槽MOSFET對應方案~
    的頭像 發(fā)表于 01-16 17:47 ?1786次閱讀
    NCEPOWER新潔能<b class='flag-5'>推出</b>鋰電池保護應用原理分析及<b class='flag-5'>溝槽</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>對應方案~

    三菱電機SiC MOSFET的可靠性測試

    SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能,因此在質(zhì)量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術(shù)實現(xiàn)穩(wěn)定的品質(zhì),而SiC則需要更嚴格的品質(zhì)控制和可靠性測試,以充分發(fā)揮其作為高性能器件的特性。
    的頭像 發(fā)表于 12-24 15:49 ?6532次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的可靠性測試

    三菱電機攜手所高校共育電力電子創(chuàng)新人才

    11月24日至11月27日,三菱電機在中國所知名高?!迦A大學、華中科技大學和合肥工業(yè)大學舉行了三菱電機獎學金頒獎典禮,表彰在電力電子與
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:21 ?724次閱讀

    三菱電機SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應用

    SiC器件具有低開關(guān)損耗,可以使用更小的散熱器,同時可以在更高開關(guān)頻率下運行,減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源,可以實現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機開發(fā)了一系列適合工業(yè)電源應
    的頭像 發(fā)表于 12-02 11:28 ?3682次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在工業(yè)電源中的應用

    三菱伺服電機抖動聲響的調(diào)整

    三菱伺服電機在工業(yè)自動化領(lǐng)域應用廣泛,其高性能和穩(wěn)定性備受認可。然而在實際使用過程中,部分用戶可能會遇到電機運行時出現(xiàn)抖動或異常聲響的問題。這類問題不僅影響設(shè)備運行精度,還可能縮短電機
    的頭像 發(fā)表于 10-14 07:37 ?2566次閱讀

    三菱電機亮相2025工博會:以“AI 創(chuàng)未來”共探智能制造新紀元

    9月24日,全球工業(yè)自動化領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三菱電機全新主題“AI 創(chuàng)未來”重磅亮相2025中國國際工業(yè)博覽會。此次參展全面展示了三菱電機在人
    的頭像 發(fā)表于 09-24 10:28 ?598次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>亮相2025工博會:以“AI 創(chuàng)未來”共探智能制造新紀元

    三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計

    鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導體器件,但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱
    的頭像 發(fā)表于 09-23 09:26 ?2378次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計

    東芝推出最新650V SiC MOSFET

    ]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。
    的頭像 發(fā)表于 09-01 16:33 ?2483次閱讀
    東芝<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>款</b>最新650V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    Wolfspeed推出代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 芯片 MOSF
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?3397次閱讀

    三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用(2)

    隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛,已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機S
    的頭像 發(fā)表于 08-08 16:14 ?3528次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在電動汽車中的應用(2)

    三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用(1)

    隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛,已經(jīng)成為推動電動汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機SiC
    的頭像 發(fā)表于 08-08 16:11 ?3617次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在電動汽車中的應用(1)

    三菱電機SiC DIPIPM在變頻家電中的應用(2)

    三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了集成
    的頭像 發(fā)表于 07-19 09:18 ?5802次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b> DIPIPM在變頻家電中的應用(2)

    三菱電機SiC DIPIPM在變頻家電中的應用(1)

    三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了集成
    的頭像 發(fā)表于 07-19 09:15 ?3909次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b> DIPIPM在變頻家電中的應用(1)

    SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

    0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
    發(fā)表于 04-23 11:25