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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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目前車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作,與硅基半導(dǎo)體材料相比, 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特...
半導(dǎo)體逆全球化發(fā)展趨勢(shì)明顯,成熟制程芯片國(guó)產(chǎn)替代迎來(lái)難得的窗口期。又逢能源改革和國(guó)產(chǎn)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的歷史機(jī)遇,以MOSFET為代表的功率器件將率先...
筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器等使用的給CPU和系統(tǒng)散熱的風(fēng)扇,打印機(jī)進(jìn)紙系統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng),吸塵器、空氣凈化器、電風(fēng)扇等家電的電機(jī)控制電路,這些系統(tǒng)使用全橋電路...
2022-04-19 標(biāo)簽:變壓器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 2.8k 0
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電流和...
氮化鎵是用來(lái)做什么的,它有什么特點(diǎn)呢?
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)
NP45P03QR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP45P03QR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用 作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -30v, i...
開(kāi)關(guān)模式電源電流檢測(cè)——第三部分:電流檢測(cè)方法
開(kāi)關(guān)模式電源有三種常用電流檢測(cè)方法是:使用檢測(cè)電阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),選擇檢測(cè)...
溝道工藝是集成電路的核心工藝之一,它確定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本特性,如閾值電壓、短溝道特性、噪聲特性、穿通(Punch-througb)特性等,其目的是使...
PI推出業(yè)界首款采用SiC MOSFET的汽車級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC
Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC...
SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多...
意法半導(dǎo)體推L99UDL01中控鎖整體解決方案,可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和提升安全性
2020年5月11日——意法半導(dǎo)體L99UDL01通用型車門鎖IC集成6個(gè)MOSFET半橋輸出和兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,以及電路保護(hù)和診斷功能,可提升方案安...
2020-05-11 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器意法半導(dǎo)體 2.8k 0
國(guó)產(chǎn)汽車級(jí)55V耐壓H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器介紹
該驅(qū)動(dòng)器配合外部四個(gè)MOSFET,可靈活配置成H橋、半橋和高低邊,驅(qū)動(dòng)雙向直流有刷電機(jī)、螺線管、電磁閥等負(fù)載,功率可從數(shù)W擴(kuò)展到數(shù)百W。???????
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器元器件 2.8k 0
持續(xù)缺貨的IGBT國(guó)產(chǎn)替代有哪些?
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)
以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。
碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見(jiàn)與溝通策略
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET比如BASiC基本半導(dǎo)體代理商銷售經(jīng)理在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見(jiàn)與溝通策略:國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET比如...
運(yùn)放為什么有失調(diào)電壓? 首先我們需要了解什么是失調(diào)電壓。失調(diào)電壓(Offset Voltage)是運(yùn)放在不同輸入電壓條件下輸出電壓的差異,即當(dāng)兩個(gè)輸入端...
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,&q...
2023-06-02 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 2.8k 0
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的65W ACF Type-C PD3.0充電器方案
大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技(Diodes)AP3306+APR347+AP43771的65W ACF Type-C PD3.0充電器解決方案。
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