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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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森國科推出1200V/40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品K3M040120-J
SiC MOSFET以其優(yōu)異的耐壓、高開關(guān)頻率和低損耗性能,正持續(xù)推動著新能源車、光伏逆變和工業(yè)電源等領(lǐng)域的變革。然而,相比傳統(tǒng)硅基IGBT,大多數(shù)Si...
在如今的科技發(fā)展浪潮中,電力電子器件的性能對眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用,1000V/800V 新能源汽車架構(gòu)平臺的蓬勃發(fā)...
BSRD-2503驅(qū)動板解鎖62mm SiC碳化硅MOSFET功率模塊的極致性能
在追求高效、高功率密度與可靠性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的開關(guān)性能和耐高溫特性,正迅速成為工業(yè)電源、新能源及高端制造的核心動...
芯干線亮相2025上海電源與電磁兼容技術(shù)應(yīng)用大會
近日,由電極限主辦的“電源與電磁兼容技術(shù)應(yīng)用大會”在上海圓滿落幕。
2025-08-15 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容功率半導(dǎo)體 685 0
革新電源設(shè)計:B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,賦能高效高密度電源系統(tǒng)
革新電源設(shè)計:B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,賦能高效高密度電源系統(tǒng) ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務(wù)器及...
賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用:BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動器
賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用:BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動器 ——傾佳電子攜手基本半導(dǎo)體,為新能源與工業(yè)電源注入強“芯”動力 ...
BMF240R12E2G3 SiC MOSFET功率模塊打造三相四線制AI算力數(shù)據(jù)中心高頻UPS電源
AI算力數(shù)據(jù)中心因GPU集群的高功率密度和動態(tài)負載特性,對高頻UPS電源的離網(wǎng)能力(備用供電穩(wěn)定性)和過載能力(瞬時負載承載)提出了遠超傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心的嚴(yán)...
2025-08-15 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心AI 339 0
揚杰科技推出用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品
揚杰科技近日推出了一系列用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,可以支持更高頻...
龍騰半導(dǎo)體召開2025年代理商年中工作會議暨戰(zhàn)略研討會
為系統(tǒng)總結(jié)區(qū)域上半年業(yè)務(wù)成果,共謀未來發(fā)展,7月28日至31日公司在深圳分公司成功召開代理商年中工作會議暨戰(zhàn)略研討會。銷售管理及支持部、市場部主要負責(zé)人...
2025-08-13 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 1.2k 0
合科泰高壓場效應(yīng)管HKTD5N50的核心優(yōu)勢
在工業(yè)自動化的精密控制系統(tǒng)中,變頻器作為電機調(diào)速的核心部件,其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導(dǎo)體針對中小功率變頻驅(qū)動場景,推出HKTD5N5...
2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管合科泰 768 0
合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術(shù),其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱,產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保...
合科泰N溝道MOSFET HKTS80N06在儲能BMS主開關(guān)中的應(yīng)用
儲能電池包 BMS的主開關(guān),是充放電回路的 “安全守門人”,直接關(guān)系到電池系統(tǒng)的運行安全與壽命。寬電壓波動、大快充電流、感性負載尖峰等等挑戰(zhàn),對MOSF...
合科泰P溝道MOSFET AO3401在智能手表中的應(yīng)用
在智能手表PCB板的方寸之間,電源管理系統(tǒng)面臨微型化與低功耗的兩大挑戰(zhàn)。這么小的地方,需要集成數(shù)十個電子元件,因此電源開關(guān)器件的體積、功耗與可靠性直接決...
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展
新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展CoolSiC1200VMOSFET(頂部散熱Q-DPAK單管封裝)專為工...
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfsp...
基于全SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造100KW及125KW三相四線制混合式逆變器
光伏混合逆變器(簡稱“混逆”)在100-125kW功率段主要面向工商業(yè)場景,其設(shè)計融合了并網(wǎng)發(fā)電與儲能管理能力,綜合優(yōu)勢顯著。 100–125kW混逆的...
兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應(yīng)用分析
以下是B3M010C075Z與B3M013C120Z兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應(yīng)用分析,結(jié)合其技術(shù)特性和實際場景需求展開: 一、器件核心技...
合科泰N溝道MOSFET HKTG50N03在65W PD快充的應(yīng)用
65W PD 快充幾乎已經(jīng)成為智能手機的標(biāo)配了,但是快充所面臨的高效率、小體積、不燙手需求矛盾,仍然是工程師面臨的主要問題。傳統(tǒng)的快充同步整流方案效率不...
合科泰N溝道MOSFET HKTD80N03在電動工具中的應(yīng)用
在沖擊鉆、角磨機等電動工具當(dāng)中,電機驅(qū)動的系統(tǒng)是它們的核心,這個核心的可靠性決定了工具的耐用程度和動力強弱。這個系統(tǒng)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn),就是電動工具啟動時的沖...
青銅劍技術(shù)推出雙通道驅(qū)動器2xD0210T12x0
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,碳化硅MOSFET和IGBT是核心功率器件。其中,碳化硅具備高效率、高開關(guān)頻率及高溫耐受性等特性,IGBT技術(shù)成熟且性價比高,兩者...
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