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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議(IEDM)上,來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊...
存儲產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取存儲(SRAM)的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性存儲...
MRAM技術再突破 工研院啟動全新內存戰(zhàn)局(下)
MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結構,在這當中最為關鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向...
MRAM技術再突破 工研院啟動全新內存戰(zhàn)局(上)
在工研院即將進入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發(fā)出來的“垂直式自旋磁性內存技術”榮獲杰出研究金牌獎,此技術乍看之下并不顯眼,但該內存技...
北京時間8月3日早間消息,三星周二宣布,他們已收購MRAM(磁性隨機存儲器)芯片開發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。
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