嵌入式閃存中，然而，嵌入式閃存的小型化已近乎突破極限，無(wú)法跟上CMOS邏輯的小型化。 據(jù)稱嵌入式閃存的小型化極限是在CMOS邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)40nm至28nm上產(chǎn)生。嵌入式非易失性存儲(chǔ)器有望在28nm及更高版本的CMOS邏輯上扮演嵌入式閃存的角色。 嵌入式閃
2019-03-13 15:25:55
11452 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過(guò)授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:124091 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠?jī)蓚€(gè)鐵磁層的（相對(duì)）磁化狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來(lái)，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)器，這使得 MRAM 對(duì)緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計(jì)算越來(lái)越感興趣。
2022-07-26 11:08:342902 
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
的可擦寫(xiě)次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣，肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
嵌入式MRAM關(guān)鍵應(yīng)用與制造商
2021-01-08 06:36:18
如今，有多種存儲(chǔ)技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒(méi)有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
這個(gè)內(nèi)存管理的知識(shí)點(diǎn)還真的需要我們專門(mén)的去理解一下，今天大家一起來(lái)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)嵌入式Linux內(nèi)存管理的知識(shí)。
2021-02-03 06:30:19
嵌入式Web在系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么嵌入式Web訪問(wèn)時(shí)的內(nèi)存丟失的問(wèn)題怎么解決？
2021-04-28 06:28:09
嵌入式操作系統(tǒng)內(nèi)存管理技術(shù)是什么？
2021-04-28 06:07:53
什么是嵌入式？嵌入式是如何定義的？
2022-02-28 07:45:11
嵌入式系統(tǒng)功能的提高，占用了較大內(nèi)存空間，繼而時(shí)常出現(xiàn)運(yùn)行無(wú)響應(yīng)?；谟脩舴矫婵?，由于系統(tǒng)內(nèi)存問(wèn)題影響運(yùn)行，針對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存與進(jìn)程應(yīng)用狀態(tài)研究，可以調(diào)整系統(tǒng)數(shù)值與執(zhí)行文件elf分析，進(jìn)行系統(tǒng)優(yōu)化進(jìn)而確保
2021-11-04 06:23:46
嵌入式系統(tǒng)裸機(jī)編程的內(nèi)存管理
2021-04-02 06:18:07
1.SDRAM引入1.1 常見(jiàn)存儲(chǔ)器介紹：DRAM介紹同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory，簡(jiǎn)稱SDRAM)，有一個(gè)同步接口的動(dòng)態(tài)
2022-05-16 15:03:13
無(wú)法突破 90nm 以下節(jié)點(diǎn)，理由是存儲(chǔ)單元擴(kuò)展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)。可如今嵌入式閃存已發(fā)展到 28nm 級(jí)，因此證明上述看法是錯(cuò)誤的?，F(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時(shí)代。不過(guò)
2020-08-14 09:31:37
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過(guò)指令隨機(jī)讀寫(xiě)訪問(wèn)
2022-01-26 06:05:59
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒，主要是設(shè)計(jì)和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)
2020-08-31 13:59:46
MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，如何運(yùn)行SDRAM？2020-03-17 11:36 預(yù)計(jì) 10 分鐘讀完在使用 MCU 的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無(wú)法放入片上閃存或 SRAM
2021-11-04 08:03:56
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)技術(shù)發(fā)展的現(xiàn)狀內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)的定義內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)的特點(diǎn)面向3G平臺(tái)嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)引擎的設(shè)計(jì)
2021-04-27 07:08:12
什么叫嵌入式？嵌入式的特點(diǎn)是什么？
2021-12-15 07:35:31
對(duì)嵌入式系統(tǒng)工程師及嵌入式硬件工程師而言，2020年將是振奮人心的一年。隨著物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的普及，MCU市場(chǎng)將再次繁榮。因此，市場(chǎng)上對(duì)嵌入式系統(tǒng)工程師人才的需求也將出現(xiàn)新高。這些都是底層編程領(lǐng)域中即將
2021-12-21 07:06:13
嵌入式系統(tǒng)中對(duì)內(nèi)存分配有哪些要求呢？
2019-10-29 08:32:07
什么是嵌入式？嵌入式設(shè)備有哪些呢？
2021-12-24 07:47:47
1月22日，Altera 在北京展示了號(hào)稱業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強(qiáng)大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進(jìn)行了講解。
2019-08-21 07:37:32
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
最寬、集成度最高的28nm FPGA，非常靈活?！ 。?）新一類目標(biāo)應(yīng)用器件，集成了28Gbps和支持背板的12.5Gbps收發(fā)器，還集成了硬核知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）模塊，包括嵌入式HardCopy模塊，以及
2012-09-21 13:49:05
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
的結(jié)構(gòu)框圖，設(shè)計(jì)了Sobel加速器的內(nèi)存訪問(wèn)策略和存取數(shù)據(jù)的方式，減少了存取數(shù)據(jù)時(shí)占用的內(nèi)存帶寬。設(shè)計(jì)采用并行處理結(jié)構(gòu)和流水線技術(shù)，大大提高了圖像的處理速度。設(shè)計(jì)的Sobel加速器自帶控制寄存器，與嵌入式系統(tǒng)互動(dòng)性能好。能夠準(zhǔn)確地配合處理器對(duì)其進(jìn)行的操作。
2012-05-23 19:16:14
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
新興存儲(chǔ)器MRAM與ReRAM嵌入式市場(chǎng)
2020-12-17 06:13:02
萌新求助，求一個(gè)基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
之前只用過(guò)tsmc 65nm的，在設(shè)置電感時(shí)候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒(méi)有了嗎？只能自己掃描參數(shù)一個(gè)一個(gè)試？28nm下是沒(méi)有MIM電容了嗎？相關(guān)的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
請(qǐng)問(wèn)工程師，C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎？
2020-06-17 14:41:57
實(shí)驗(yàn)二靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-12-03 08:22:16
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
摘要：嵌入式系統(tǒng)的內(nèi)存管理機(jī)制必須滿足實(shí)時(shí)性和可靠性的要求。本文以開(kāi)源的的操作系統(tǒng)RTEMS為例，介紹嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存管理的要求、存在的問(wèn)題以及解決的
2006-05-24 23:57:311506 
第三十一講 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單元一、
2009-03-30 16:36:571541 
嵌入式Web訪問(wèn)時(shí)的內(nèi)存丟失問(wèn)題
由于嵌入式技術(shù)的發(fā)展，嵌入式Web服務(wù)器軟件越來(lái)越大，對(duì)硬件的要求也相應(yīng)地提高，但在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的底層控制中，一般嵌入式系統(tǒng)的
2009-11-20 09:41:18756 
Altera 發(fā)布28-nm FPGA技術(shù)創(chuàng)新
Altera公司宣布了在即將推出的28nm FPGA中采用的創(chuàng)新技術(shù)：嵌入式HardCopy®模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式28-Gbps收發(fā)器，這些技術(shù)將極
2010-02-02 09:52:091025 Altera發(fā)布28nm FPGA技術(shù)創(chuàng)新
基于技術(shù)上保持領(lǐng)先的歷史，Altera公司2月2日宣布了即將推出的28nm FPGA中采用的創(chuàng)新技術(shù)：嵌入式HardCopy模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式
2010-02-04 08:37:57848 28nm器件三大創(chuàng)新，Altera期待超越摩爾定律
隨著TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)工藝即將量產(chǎn)，其合作伙伴Altera日前宣布了其產(chǎn)品線將轉(zhuǎn)向28nm節(jié)點(diǎn)的策略部署。據(jù)了解，TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)有
2010-02-05 08:53:361048 
名稱 RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器 定義 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)
2010-06-29 18:16:592983 Cypress Semiconductor公司推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nvSRAM)，可支持儀表、工業(yè)以及汽車等應(yīng)用所常用的I2C與SPI界面
2011-03-29 11:25:411567 在今年即將于美國(guó)加州舉行的國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）上，來(lái)自三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取記憶體（MRAM）的最新發(fā)展。
2016-11-29 13:39:291165 臺(tái)積電的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）技術(shù)計(jì)劃將在2018和2019年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，號(hào)稱次世代內(nèi)存的產(chǎn)品，終于在十多年的沉潛后大放異彩，物聯(lián)網(wǎng)與AI將再次推升次世代內(nèi)存需求，給我們帶來(lái)更具殺傷力的嵌入式內(nèi)存技術(shù)。
2018-01-26 11:30:021817 本文透過(guò)對(duì)于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的 存取技術(shù) ，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問(wèn)速度。 超頻與內(nèi)存的關(guān)聯(lián)性 提升供應(yīng)電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲(chǔ)器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:005022 
隨著越來(lái)越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)，不僅為其帶來(lái)了成長(zhǎng)動(dòng)能，業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開(kāi)始支持這一新興內(nèi)存選擇。
2018-05-15 09:24:494615 在計(jì)算機(jī)科學(xué)中，隨機(jī)存取（有時(shí)亦稱直接訪問(wèn)）代表同一時(shí)間訪問(wèn)一組序列中的一個(gè)隨意組件。反之則稱循序訪問(wèn)，即是需要更多時(shí)間去訪問(wèn)一個(gè)遠(yuǎn)程組件。
2018-05-17 16:43:2312266 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
2018-05-17 17:04:5822888 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1146033 MRAM （Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)），是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從 1990 年代開(kāi)始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫(xiě)入能力，具有
2018-12-20 16:04:581467 和RAM一樣快的永久存儲(chǔ)被廣泛認(rèn)為會(huì)使服務(wù)器和存儲(chǔ)行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期，而這個(gè)改變?nèi)缃耠S著美國(guó)公司Everspin開(kāi)始提供256Mb磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)樣品更近了一步。
2019-03-16 10:34:081351 Everspin 近日宣布，其已開(kāi)始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機(jī)存取器。
2019-06-27 08:59:4310623 繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開(kāi)發(fā)公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺(tái)積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場(chǎng)推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個(gè)重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗(yàn)證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:033501 隨著制造成本下降以及其他存儲(chǔ)器技術(shù)面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。
2019-09-16 16:25:421159 臺(tái)工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國(guó)舉辦的國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）等6篇技術(shù)論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺(tái)積電、三星的MRAM技術(shù)更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢(shì)。
2019-12-10 14:15:493198 嵌入式操作系統(tǒng)FreeRTOS內(nèi)存管理和堆
2020-01-10 15:17:555836 
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26818 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:563103 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過(guò)指令隨機(jī)讀寫(xiě)訪問(wèn)，RAM 中的數(shù)據(jù)在掉電時(shí)會(huì)丟失； ROM（Read Only Memory）存儲(chǔ)器又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從中讀取信息而不能任意寫(xiě)信息。ROM 具有掉電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點(diǎn)。 RAM 和 ROM 兩大類下面又可分很多小類，如下圖所示：
2020-04-09 08:00:00
4 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:036543 
新千年信息怎樣儲(chǔ)存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開(kāi)發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應(yīng)用都為MRAM存儲(chǔ)器研究開(kāi)發(fā)奠定了
2020-09-07 18:19:336600 
的易失性存儲(chǔ)器，新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過(guò)將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力，同時(shí)考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)解決方案，設(shè)計(jì)人員需
2020-10-14 15:52:191027 
新興的記憶已經(jīng)存在了數(shù)十年。盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功，但它們也落后于離散存儲(chǔ)器的高性價(jià)比替代方案。盡管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。 磁阻
2020-11-20 15:45:591235 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 在嵌入式系統(tǒng)中，對(duì)內(nèi)存地址的操作是一個(gè)重要的方面，從廣義上講，嵌入式系統(tǒng)的地址空間可以分成以下三種類型： 系統(tǒng)的內(nèi)存 處理器內(nèi)部的寄存器映射 處理器外部部件的內(nèi)存映射 無(wú)論哪種內(nèi)存，一般都映射
2021-08-27 11:33:226860 MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，如何運(yùn)行SDRAM？2020-03-17 11:36 預(yù)計(jì) 10 分鐘讀完在使用 MCU 的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無(wú)法放入片上閃存或 SRAM
2021-10-29 11:36:151 【摘要】 嵌入式系統(tǒng)功能的提高，占用了較大內(nèi)存空間，繼而時(shí)常出現(xiàn)運(yùn)行無(wú)響應(yīng)。基于用戶方面看，由于系統(tǒng)內(nèi)存問(wèn)題影響運(yùn)行，針對(duì)系統(tǒng)內(nèi)存與進(jìn)程應(yīng)用狀態(tài)研究，可以調(diào)整系統(tǒng)數(shù)值與執(zhí)行文件elf分析，進(jìn)行系統(tǒng)
2021-11-01 16:31:4810 點(diǎn)擊 嵌入式 Linux 中的內(nèi)存管理
2021-11-02 10:36:0212 實(shí)驗(yàn)二 靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-11-23 17:51:0737 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021789 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個(gè)2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 malloc和free在PC編程中是很好用的一種內(nèi)存分配手段。但是，其在嵌入式中，就未必好用了。由于嵌入式裸機(jī)編程中，無(wú)MMU，即內(nèi)存管理單元。
2022-09-15 10:38:071990 三星半導(dǎo)體宣布，通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了基于MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)）的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算（In-Memory Computing），進(jìn)一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術(shù)。
2022-11-10 12:16:211045 無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒(méi)有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:551185 導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場(chǎng)和獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)。
2023-12-25 15:07:461790 鑒于AI、5G新時(shí)代的到來(lái)以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:002304 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:391317 瑞薩電子公司日前宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)的電路技術(shù)，以下簡(jiǎn)稱MRAM）具有快速讀寫(xiě)操作的測(cè)試芯片。
2024-02-25 10:53:521690 重新寫(xiě)入數(shù)據(jù)。EPROM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的一種折中方案，它結(jié)合了兩者的一些特性。 EPROM可以采用隨機(jī)存取方式，這意味著用戶可以在任何時(shí)候讀取存儲(chǔ)器中的任何位置的數(shù)據(jù)，而不需要按照特定的順序。這種特性使得EPROM在需要頻繁更新數(shù)據(jù)的應(yīng)用中非常有用，例如
2024-09-18 11:13:213297 在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44298
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