nand閃存

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

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nand閃存資訊

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

近日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第...

2025-02-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)NAND閃存三星 522 0

三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的供應(yīng)過剩問題，三星電子與SK海力士?jī)纱蟀雽?dǎo)體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露...

2025-02-12 標(biāo)簽：NAND閃存 SK海力士三星 386 0

DRAM與NAND閃存市場(chǎng)表現(xiàn)分化

近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。在DRAM方面，消費(fèi)者需求在...

2025-02-07 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 NAND閃存 495 0

三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化

近日，三星電子宣布將對(duì)其在中國西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星決定...

2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓 NAND閃存三星 421 0

EMMC和NAND閃存的區(qū)別

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和NA...

2024-12-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)NAND閃存 emmc 2858 0

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC N...

2024-11-21 標(biāo)簽：NAND閃存 MLC 三星 728 0

SK海力士成功量產(chǎn)321層NAND閃存

近日，SK海力士對(duì)外宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——成功實(shí)現(xiàn)了全球最高的321層1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4...

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三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線

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三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

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2024-11-01 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 NAND閃存 939 0

SK海力士企業(yè)再獲大額訂單

據(jù)可靠消息，SK海力士已重新啟動(dòng)向Meta（原Facebook）的數(shù)據(jù)中心供應(yīng)固態(tài)硬盤（SSD）的業(yè)務(wù)。此前，由于Meta延遲訂購，與Fadu合作贏得的...

2024-10-17 標(biāo)簽：SSD NAND閃存固態(tài)硬盤 800 0

三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元

三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。...

2024-09-23 標(biāo)簽：三星電子 AI NAND閃存 842 0

長江存儲(chǔ)使用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片

9月20日最新資訊指出，長江存儲(chǔ)面對(duì)美國出口禁令及被列入實(shí)體清單的雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力，成功引入國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備，實(shí)...

2024-09-20 標(biāo)簽：3D NAND閃存長江存儲(chǔ) 2736 0

西部數(shù)據(jù)計(jì)劃剝離NAND與SSD業(yè)務(wù)，估值或達(dá)數(shù)百億美元

近日，西部數(shù)據(jù)宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略調(diào)整，計(jì)劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來，形成兩個(gè)獨(dú)立的業(yè)務(wù)部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注...

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DRAM大廠第三季對(duì)DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上

8月20日最新供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)揭示，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對(duì)DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將超過15%。此次調(diào)價(jià)背后...

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SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND

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2024-08-01 標(biāo)簽：NAND閃存 SK海力士 708 0

SK海力士計(jì)劃推動(dòng)Solidigm在美IPO

據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)和科技媒體Blocks&Files的最新報(bào)道，全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士正考慮將其NAND閃存與固態(tài)硬盤子公司Solidigm在美國...

2024-07-29 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤 SK海力士 805 0

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TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM與NAND閃存產(chǎn)業(yè)營收將創(chuàng)歷史新高

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司TrendForce最新公布的一份深入詳盡的研究報(bào)告，得益于對(duì)位元需求持續(xù)攀升，市場(chǎng)供求狀況得到顯著改善從而帶動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)步上升，再加上...

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江波龍子公司確認(rèn)參展2024臺(tái)北國際電腦展

元信電子將展示江波龍的多種企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案，如96GB DDR5 RDIMM內(nèi)存條以及采用國產(chǎn)128層TLC NAND閃存顆粒的ORCA 4836/U...

2024-05-27 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤江波龍 823 0

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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