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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

基于NAND FLASH存儲器實現(xiàn)在系統(tǒng)中的讀寫和控制

NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢明顯。頁是NAND中的基本存貯單元，一頁一般為512 B（也有2 kB每頁的large page N...

2020-05-20 標(biāo)簽：nand 存儲器 ram 3447 0

大容量存儲器TC58DCG02A1FT00的引腳功能、特點(diǎn)及應(yīng)用分析

此外，NAND的實際應(yīng)用方式要比NOR復(fù)雜得多。NOR可以直接使用，并在上面直接運(yùn)行代碼。而NAND需要I/O接口，因此使用時需要驅(qū)動程序。不過當(dāng)今流行...

2020-05-26 標(biāo)簽：nand 存儲器操作系統(tǒng) 2509 0

演示Nand Flash讀寫操作過程

NEC 78F單片機(jī)　/　RL78開發(fā)板　Nand Flash 連續(xù)讀寫，頁編程，頁擦除演示操作視頻。Nand Flash有一個特性，它并不能保證所有B...

2018-06-15 標(biāo)簽：nand renesas rl78 7578 0

什么是3D NAND閃存？有什么優(yōu)勢？

層數(shù)的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚...

2018-05-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 5.0萬 0

深入解析NAND閃存

對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重...

2018-06-06 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.0萬 0

利用Micron可管理NAND 適用嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用...

2018-04-11 標(biāo)簽：嵌入式 nand Micron 925 0

什么是閃存顆粒？2D NAND和3D NAND間的區(qū)別跟聯(lián)系又是什么？

如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃...

2018-06-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 1.5萬 0

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：...

2018-04-19 標(biāo)簽：dram nand 3dxpoint 5.1萬 0

3D NAND與2D NAND之間的區(qū)別聯(lián)系對比

2018-06-06 標(biāo)簽：NAND 3D 2D 4033 0

指定了SDRAM卻燒寫到了Nand flash的詳細(xì)分析

要解答這個問題，首先要從Nand flash本身的結(jié)構(gòu)說起。Nand flash的結(jié)構(gòu)和RAM不一樣，它的數(shù)據(jù)線是復(fù)用的，內(nèi)與足夠的地址線用來尋址，對于...

2017-12-21 標(biāo)簽：嵌入式 sdram nand 7890 0

基于NAND Flash的閃存轉(zhuǎn)譯層設(shè)計

　本文設(shè)計了一種針對NAND型的閃存轉(zhuǎn)譯層，使NFTL完成地址映射和壞塊管理以及連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的操作。對NAND Flash的分區(qū)設(shè)計，使塊管理結(jié)構(gòu)清晰，...

2017-12-01 標(biāo)簽：nand flash 2464 0

如何挑選SSD 三個標(biāo)準(zhǔn)可以參考

NAND閃存閃存技術(shù)不斷成長，從單一Cell單元存儲1bit（比特）的SLC，發(fā)展到單一Cell存儲2bit的MLC，再到目前主流的單一Cell存儲3b...

2018-04-26 標(biāo)簽：nand ssd 長江存儲 6761 0

Nand-flash存儲器工作原理及其操作實例（以K9F1208UOB為例）

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)...

2017-10-11 標(biāo)簽：nand flash存儲器 k9f1208uob 2.3萬 0

NAND FALSH的原理及應(yīng)用介紹

NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NA...

2017-10-10 標(biāo)簽：fpga nand 4549 0

遇到Nand Flash壞塊怎么處理？

Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于...

2017-10-10 標(biāo)簽：Nand 周立功 2.5萬 0

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別

2016-12-27 標(biāo)簽：DRAM NAND RAM 2.2萬 0

從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)

為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失??？為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來？了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)就都有答案了。

2016-06-08 標(biāo)簽：Nand 燒錄 Partition 1866 0

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲就陷入了茫然。

2016-04-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲器 1.6萬 0

東芝將于2013 CES展示采用NFC技術(shù)的SDHC存儲卡

東芝公司（Toshiba Corporation）將在2013年國際消費(fèi)電子展（2013 International CES）上參考展示采用Transf...

2013-01-06 標(biāo)簽：東芝 NAND 存儲器 1266 0

如何為您的應(yīng)用選擇合適的SSD驅(qū)動器？

隨著信息的爆發(fā)式增長，相關(guān)部門在部署信息存儲應(yīng)用時，越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù)，這是因為這種技術(shù)具有特別快速的性能。然而，他們可能沒有認(rèn)識到市...

2013-01-05 標(biāo)簽：驅(qū)動器閃存 NAND 1000 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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