SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 3D NAND閃存的單元技術(shù)，該技術(shù) BiCS被稱為3D NAND閃存。 BiCS技術(shù)有兩個(gè)功能。一種是稱為插拔。沖孔對應(yīng)于通道的大量長而窄的孔的過程，以及成為記憶孔內(nèi)部通道的多晶它由塊狀形成硅膜的過程。 另一種是稱為門優(yōu)先的過程。通過交替堆疊柵極薄膜（字線）和絕緣膜（單元之間的元件
2019-12-13 10:46:0712470 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 面對儲存型閃存（NAND Flash）供貨緊縮，以及二維（2D）NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝（Toshiba）已于近期宣布將于2013年8月底展開五號半導(dǎo)體制造工廠（Fab
2013-07-08 09:46:131061 SanDisk于日前表示，正與東芝（Toshiba）合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號半導(dǎo)體制造工廠（Fab 5）第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米（nm）節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸，預(yù)做準(zhǔn)備。
2013-07-16 09:17:151351 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問題，如今3D NAND的良品率并不高，總產(chǎn)量也不夠高，因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場價(jià)格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
128GB容量。并且?guī)淼某杀緝?yōu)勢開始減弱，16nm制程后，繼續(xù)采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過3D技術(shù)，因此3D NAND開始成為主流。比如旺宏也計(jì)劃跟進(jìn)在2020年下半年實(shí)現(xiàn)48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
答：1）執(zhí)行菜單命令“視圖→切換到3維模式”即可切換到3D模式2）執(zhí)行菜單命令“視圖→切換到2維模式”即可切換到2D模式3）也可以執(zhí)行字母鍵盤上的數(shù)字“2”或“3”進(jìn)行“2維”或者“3維”模式之間切換 圖4-15 基準(zhǔn)坐標(biāo)設(shè)置圖4-16 切換3D模式
2021-09-13 14:13:37
AD17.1.5軟件，3D與2D模型不能相互轉(zhuǎn)換，按3可以進(jìn)入3D模型，按2不可以進(jìn)入2D模型，這個(gè)是怎么回事??？
2019-09-20 05:35:16
如何同時(shí)獲取2d圖像序列和相應(yīng)的3d點(diǎn)云？以上來自于谷歌翻譯以下為原文How to obtain the sequence of 2d image and corresponding 3d point cloud at the same time?
2018-11-13 11:25:01
請問PCB 中2D 庫中怎么導(dǎo)出3D
2019-09-11 22:17:15
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機(jī)掉電測試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
請問怎么將AD中的3D封裝庫轉(zhuǎn)換為2D的封裝庫
2019-06-05 00:35:07
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 2017年7月27日，北京—西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ： WDC）今天宣布，該公司已成功開發(fā)用于64層3D NAND （BiCS3）的X4閃存。在西部數(shù)據(jù)過去成功開發(fā)創(chuàng)新和商品化X4 2D NAND
2017-07-26 16:07:111246 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 3D NAND克服了與2D平面NAND微縮有關(guān)的挑戰(zhàn)，在嵌入于智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備時(shí)，能夠大幅改善內(nèi)存級儲存，并因應(yīng)在儲存容量方面的巨大成長潛力，加速智能手機(jī)應(yīng)用的新時(shí)代來臨。
2018-07-14 09:08:001783 
集微網(wǎng)消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚(yáng)鑣。今日臺灣DIGITIMES報(bào)道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場，不僅
2018-01-10 19:43:16679 基于 3D NAND 的 microSD卡將有望再次改變視頻監(jiān)控行業(yè)的格局，推動(dòng)所有參與者實(shí)現(xiàn)新一輪發(fā)展。
2018-01-13 11:15:455138 
； （2）成本只有DRAM的一半； （3）使用壽命是NAND的1000倍； （4）密度是傳統(tǒng)存儲的10倍； 而得益于這些優(yōu)勢，3D Xpoint能被廣泛應(yīng)用在游戲、媒體制作、基因組測序、金融服務(wù)交易和個(gè)體化治療等領(lǐng)域。以上只是3D Xpoint的一些應(yīng)用示例。
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報(bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 研究和實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于OMAP3530的2D到3D視頻自動(dòng)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，重點(diǎn)研究深度圖獲取和深度信息渲染等主要核心技術(shù)及其實(shí)現(xiàn)。該系統(tǒng)利用OMAP3530其特有的雙核結(jié)構(gòu)，進(jìn)行系統(tǒng)優(yōu)化：由其ARM處理器
2018-03-06 14:20:551 本視頻將展示結(jié)合多點(diǎn)觸摸與3D手勢模塊的Microchip顯示解決方案。支持2D/3D功能的顯示屏是Microchip基于GestIC?技術(shù)的最新解決方案。顯示屏上結(jié)合了3D手勢與2D多點(diǎn)觸摸功能，可降低安裝單個(gè)顯示模塊的復(fù)雜度。
2018-06-06 02:45:005891 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，國際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 在OpenGL中，一切事物都在3D空間中，但我們的屏幕坐標(biāo)確實(shí)2D像素?cái)?shù)組，OpenGL大部分工作就是把3D坐標(biāo)轉(zhuǎn)換成適應(yīng)屏幕的2D像素。3D坐標(biāo)轉(zhuǎn)換成2D屏幕坐標(biāo)的過程是有OpenGL的圖形渲染管線管理的。
2018-07-09 10:40:119142 半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價(jià)后，2018年市場行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應(yīng)過剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預(yù)計(jì)2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺，甚至有望沖刺2億臺。
2018-08-31 16:15:002745 在價(jià)格和競爭壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 ，我們對3D NAND閃存的報(bào)道已經(jīng)非常多了，首先我們要搞懂什么是3D NAND閃存。我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存
2018-10-08 15:52:39780 就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低，NAND快閃存儲已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D，而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時(shí)，DRAM制程的微縮也變得越來越困難，主要是因?yàn)閮Υ骐娙莸纳顚挶龋╝spect ratio）隨著元件制程微縮而呈倍數(shù)增加。
2018-10-28 10:17:135623 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 一說到2D或者3D，總是讓人想到視覺領(lǐng)域中的效果，然而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，3D技術(shù)帶來的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個(gè)開始。
2019-01-25 14:29:555585 買榮耀Magic 2 3D感光版還是普通版？除了早早上市的普通版外，華為榮耀在上月底的北京發(fā)布會上還推出了3D感光版榮耀Magic 2手機(jī)。那么，是該買榮耀Magic 2 3D感光版還是普通版呢？針對這一問題，小編今天為大家?guī)砹藰s耀Magic 2普通版和3D感光版區(qū)別對比。
2019-07-04 09:34:506679 由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 長江存儲科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開始不斷降低，但
2019-11-14 15:52:181166 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會有所波及。但目前長江存儲已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 3D NAND的論文數(shù)量最多，因此，筆者就各家NAND型閃存（以下簡稱為：“NAND”）廠家的現(xiàn)狀、未來的技術(shù)藍(lán)圖（Roadmap）展開論述。
2020-07-30 11:14:457564 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時(shí)間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:444306 導(dǎo)購等領(lǐng)域的門檻。該研究成果已被AI頂會NeurIPS 2020收錄。 盡管3D打印、VR等應(yīng)用場景逐漸成熟，但以3D搜索為代表的3D智能技術(shù)依舊處于早期研究階段。例如，受限于2D圖片顏色、紋理信息和3D模型形狀信息之間的差異，傳統(tǒng)AI方法模型匹配的準(zhǔn)確率較低。過去幾年，包括卡
2020-12-04 15:49:214285 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時(shí)間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 谷歌發(fā)明的由2D圖像生成3D圖像的技術(shù)，利用3D估計(jì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)圖像信息的補(bǔ)全以及預(yù)測，融合了拍攝角度、光照等信息，讓生成的3D圖像看起來更加逼真，這種技術(shù)對于三維建模以及工業(yè)應(yīng)用都具有極大的指導(dǎo)意義。
2020-12-24 12:55:235465 
首先是3d人臉識別和2d人臉識別圖像數(shù)據(jù)獲取不同。3D人臉識別是以3D攝像頭立體成像，而2D是以2D圖像獲取為基礎(chǔ)的。
2022-02-05 16:00:0052918 通過實(shí)施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強(qiáng)大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可以保證 SSD 質(zhì)量和數(shù)據(jù)完整性。
2022-08-17 11:54:142743 
美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 準(zhǔn)確描述和檢測 2D 和 3D 關(guān)鍵點(diǎn)對于建立跨圖像和點(diǎn)云的對應(yīng)關(guān)系至關(guān)重要。盡管已經(jīng)提出了大量基于學(xué)習(xí)的 2D 或 3D 局部特征描述符和檢測器，但目前的研究對直接地匹配像素和點(diǎn)的共享描述符，以及聯(lián)合關(guān)鍵點(diǎn)檢測器的推導(dǎo)仍未得到充分探索。
2022-10-18 09:20:1111003 這樣的物理規(guī)范，具有很高的普適性，applicable 到所有維度空間。對二維 2D 拓?fù)浣^緣體 (2D - TI) 和三維 3D 拓?fù)浣^緣體 (3D - TI)，其體 - 邊對應(yīng)性由圖 1 所示的輸運(yùn)性質(zhì)來表達(dá)最為簡單直觀。
2022-11-23 10:23:544337 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 3D霍爾開關(guān)是一種新型的磁感應(yīng)開關(guān)器件，它利用磁性材料之間的相互作用力來檢測磁場的變化，并輸出相應(yīng)的開關(guān)信號。與傳統(tǒng)的2D霍爾開關(guān)相比，3D霍爾開關(guān)具有更高的靈敏度和可靠性，因此在很多領(lǐng)域得到了廣泛
2023-11-16 16:16:063698 
在3D實(shí)現(xiàn)方面，存儲器比邏輯更早進(jìn)入實(shí)用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三維堆疊，以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D（三維）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
作為一個(gè)多年經(jīng)驗(yàn)的機(jī)器視覺工程師，我將詳細(xì)介紹2D和3D視覺技術(shù)的不同特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及它們能夠解決的問題。在這個(gè)領(lǐng)域內(nèi)，2D和3D視覺技術(shù)是實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和智能制造的關(guān)鍵技術(shù)，它們在工業(yè)檢測、機(jī)器人導(dǎo)航、質(zhì)量控制等眾多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。
2023-12-21 09:19:062688 一文了解3D視覺和2D視覺的區(qū)別 3D視覺和2D視覺是兩種不同的視覺模式，其區(qū)別主要體現(xiàn)在立體感、深度感和逼真度上。本文將詳細(xì)闡述這些區(qū)別，并解釋為什么3D視覺相比2D視覺更具吸引力和影響力。 首先
2023-12-25 11:15:105093 美國賓夕法尼亞州立大學(xué)的研究人員展示了一種使用2D材料進(jìn)行3D集成的新穎方法。
2024-01-13 11:37:281875 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
在3D NAND的制造過程中，一般會有3個(gè)工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
2024-04-01 10:26:552343 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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