nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)Ti600 2TB SSD評(píng)測(cè)分析

致態(tài)Ti600系列SSD采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達(dá)到7000M...

2023-09-27 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 1542 0

NOR FLASH和NAND FLASH的應(yīng)用電路

首先，我要用這張圖來(lái)說(shuō)明存儲(chǔ)器近70年的發(fā)展歷程，縱觀這70年的發(fā)展，可以發(fā)現(xiàn)主要是在容量，速度以及壽命等方面出現(xiàn)了飛躍式增長(zhǎng)。

2023-09-25 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 3928 0

NAND FLASH與NOR FLASH的技術(shù)對(duì)比

目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。

2023-10-01 標(biāo)簽：芯片 NAND FlaSh 1712 0

如何實(shí)現(xiàn)一種基于RT1021的最小系統(tǒng)板設(shè)計(jì)？

最小系統(tǒng)使用TYPEC接口供電，帶一塊1.3寸顯示屏，分辨率為：240*240。

2023-09-13 標(biāo)簽：二極管 NAND 過(guò)壓保護(hù)電路 1857 0

NAND Flash和NOR Flash的差別

NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，...

2023-09-11 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 1.0萬(wàn) 0

NAND Flash存儲(chǔ)原理詳解

光盤(pán)的材質(zhì)是有鋁夾層的塑料，在上面燒洞就形成了數(shù)據(jù)，讀取時(shí)利用光在鋁層上的鏡面反射，有洞的地方光不能被反射('0')，沒(méi)有洞的地方光...

2023-09-11 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 6454 0

NAND Flash接口簡(jiǎn)單介紹

NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類(lèi)型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦...

2023-09-11 標(biāo)簽：Nand 寄存器存儲(chǔ)器 1815 0

FLASH器件特性 FLASH操作的電路原理詳解

Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場(chǎng)效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲(chǔ)單元來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，浮...

2023-09-09 標(biāo)簽：NAND 場(chǎng)效應(yīng)管 FlaSh 1.1萬(wàn) 0

GD32 FATFS+FTL Nand解決方案

Nand flash有非易失、存儲(chǔ)容量大、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn);同時(shí)具有存在壞塊、擦除次數(shù)有限、易出現(xiàn)error bit的缺點(diǎn);并且具有擦除以block(塊)為...

2023-09-08 標(biāo)簽：NAND FlaSh 兆易創(chuàng)新 1793 0

ARM各種斷點(diǎn)到底有什么區(qū)別？什么類(lèi)型的斷點(diǎn)會(huì)修改Flash？

最近在支持BLE KW客戶(hù)時(shí)就遇到一個(gè)很隱蔽的問(wèn)題，讓我對(duì)ARM斷點(diǎn)又有了顛覆性的認(rèn)識(shí)，此處聊作記錄，也為讀者分析問(wèn)題提供一個(gè)思路。

2023-08-28 標(biāo)簽：處理器 mcu arm 2885 0

Nand Flash和Nor Flash存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介及其區(qū)別

Flash是存儲(chǔ)芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱(chēng)為Flash EEPROM Memeory，即我們平時(shí)說(shuō)的“閃存”。...

2023-08-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND FlaSh 4996 0

恩智浦i.MXRT1xxx系列MCU的Serial NAND啟動(dòng)

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MXRT1xxx系列MCU的Serial NAND啟動(dòng)。

2023-08-21 標(biāo)簽：mcu NAND 恩智浦 446 0

在沒(méi)有Linux操作系統(tǒng)的單片機(jī)中為什么還要用Bootloader？

“Bootloader”俗稱(chēng)“引導(dǎo)加載程序”。在我們狹義上說(shuō)的“Bootloader”是特指嵌入式設(shè)備中的引導(dǎo)程序，但是從廣義的角度上來(lái)說(shuō)，PC機(jī)中也存...

2023-08-14 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND 嵌入式系統(tǒng) 1015 0

并行Nand Flash的結(jié)構(gòu)和基本工作過(guò)程

引言：并行Nand Flash是中等容量存儲(chǔ)方案的理想選擇，相比于SPI Nand Flash，性能更優(yōu)，但體積較大，使用并沒(méi)有后者廣泛，多使用在嵌入式...

2023-08-11 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 3268 0

串行Nand Flash的結(jié)構(gòu)和分類(lèi)

引言：隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，有許多具有串行外圍接口（SPI）的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來(lái)存儲(chǔ)大型程序系統(tǒng)和文件。對(duì)于這些應(yīng)用需求，基于Nand結(jié)構(gòu)...

2023-08-11 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 3185 0

說(shuō)說(shuō)EEPROM和FLASH的那些事

最開(kāi)始參加工作的時(shí)候，經(jīng)常聽(tīng)到有需求說(shuō)XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當(dāng)時(shí)只是覺(jué)得這兩個(gè)東西都是可以用來(lái)存數(shù)據(jù)，應(yīng)該大差不差。那真...

2023-08-10 標(biāo)簽：NAND 接觸器 EEPROM 1483 0

nor flash的特點(diǎn)有哪些 nor flash和nand flash的區(qū)別

做電子產(chǎn)品，不免要跟存儲(chǔ)類(lèi)產(chǎn)品打交道，也就是我們說(shuō)的MEMORY。

2023-08-08 標(biāo)簽：Nand 存儲(chǔ)器 SPI接口 2153 0

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-01 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 2457 0

如何降低寫(xiě)入放大系數(shù)對(duì)存儲(chǔ)器的影響

TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫(xiě)入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹T...

2023-07-25 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)器 808 0

淺析STM32 FSMC操作LCD的過(guò)程

FSMC稱(chēng)為靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)器，它能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和16位PC存儲(chǔ)器卡連接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NO...

2023-07-22 標(biāo)簽：NAND 靜態(tài)存儲(chǔ)器 STM32F4 4667 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

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