NAND閃存現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲

大部分頻道及存儲(chǔ)器模塊生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)完成了9、10月份年末旺季的出貨。消息人士補(bǔ)充說(shuō)：“由于顧客對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的期待心理，短期再供應(yīng)需求得到消除，因此，...

2023-12-01 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 936 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng) 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)...

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAMNANDHBM 1.6k 0

存儲(chǔ)芯片漲價(jià)，宜鼎預(yù)計(jì)2024年?duì)I收創(chuàng)新高

存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)將從2023年下半年開(kāi)始恢復(fù)。宜鼎從10月開(kāi)始調(diào)整產(chǎn)品價(jià)格，使q4 dram和nand的合同價(jià)格不到10%，產(chǎn)業(yè)用電腦用戶(hù)也開(kāi)始補(bǔ)充庫(kù)存。

2023-11-24 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng) 1.2k 0

NAND Flash終于漲價(jià)了，2021年來(lái)首次

盡管需求復(fù)蘇仍然緩慢，但減產(chǎn)推動(dòng)了價(jià)格上漲。由于無(wú)法承受虧本銷(xiāo)售，供應(yīng)商已將減產(chǎn)幅度擴(kuò)大到低于成本的水平。事實(shí)上，據(jù)報(bào)道三星電子將在明年上半年將 NAN...

2023-11-22 標(biāo)簽：NAND三星電子SK海力士 1.5k 0

內(nèi)存市場(chǎng)報(bào)價(jià)不確定 存儲(chǔ)器原廠嚴(yán)控出貨！

據(jù)三星電子最新公布的財(cái)報(bào)，第三季度利潤(rùn)超出預(yù)期一倍之多。該公司在9月當(dāng)季的凈利潤(rùn)下降40%，至5.5萬(wàn)億韓元（合41億美元），遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)分析師所預(yù)期的2....

2023-11-22 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 889 0

因中國(guó)需求，全球9大芯片設(shè)備業(yè)績(jī)觸底反彈

這些制造商在中國(guó)市場(chǎng)的營(yíng)收總額約為105億美元，較去年同期增長(zhǎng)了70%。荷蘭的阿斯麥（ASML Holding）在中國(guó)市場(chǎng)的營(yíng)收甚至增長(zhǎng)了約3倍。

2023-11-21 標(biāo)簽：DRAMNAND晶圓 1.3k 0

三星和SK海力士差距在哪里？

238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒 2.4Gb，號(hào)稱(chēng)比上一代的...

2023-11-20 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ)芯片 1.4k 0

傳Marvell裁撤中國(guó)臺(tái)灣NAND Flash控制IC團(tuán)隊(duì)

目前，Marvell以自主開(kāi)發(fā)或外包的方式，為掌握nand閃存ic市場(chǎng)而展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。因此，Marvell在企業(yè)市場(chǎng)上的運(yùn)營(yíng)受到了影響，Marvell正在縮...

2023-11-17 標(biāo)簽：閃存NANDMarvell 1.1k 0

一改低迷！存儲(chǔ)市場(chǎng)密集漲價(jià)！

展望后市，集邦咨詢(xún)資深研究副總經(jīng)理吳雅婷樂(lè)觀預(yù)計(jì)，明年DRAM產(chǎn)值將增加超40%，NAND產(chǎn)值預(yù)計(jì)增超25%。不過(guò)，吳雅婷還是提醒，產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇雖是進(jìn)行式，...

2023-11-13 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)市場(chǎng) 1.1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專(zhuān)利侵權(quán)

在起訴書(shū)中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱(chēng)自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能...

2023-11-13 標(biāo)簽：NAND3d美光 1.3k 0

起訴美光！長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面：美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。

2023-11-13 標(biāo)簽：NAND美光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 947 0

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確，希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。

2023-11-03 標(biāo)簽：NANDSSD閃存芯片 2.1k 0

三星電子將擴(kuò)大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補(bǔ)充道：“三星電子將通過(guò)維持投資來(lái)進(jìn)一步鞏固其在尖端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的地位，以確保其中長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力?！比请娮迂?fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門(mén)計(jì)劃...

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1.7k 0

逐季調(diào)漲20%！存儲(chǔ)巨頭NAND芯片漲至明年

值得注意的是，信達(dá)證券此前援引行業(yè)消息稱(chēng)，近日三星向客戶(hù)公布Q4官價(jià)，MobileDRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至11%-25%；NAND Flash...

2023-11-03 標(biāo)簽：芯片NAND存儲(chǔ)器 953 0

三星計(jì)劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%

根據(jù)近日三星向客戶(hù)公布的四季度官價(jià)，移動(dòng)DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面，UFS4.0漲幅約2%，eMCP、uMCP漲幅不等...

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND閃存芯片三星 815 0