三星和SK海力士差距在哪里？

238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒 2.4Gb，號稱比上一代的...

2023-11-20 標(biāo)簽：閃存NAND存儲芯片 1200 0

傳Marvell裁撤中國臺灣NAND Flash控制IC團隊

目前，Marvell以自主開發(fā)或外包的方式，為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此，Marvell在企業(yè)市場上的運營受到了影響，Marvell正在縮...

2023-11-17 標(biāo)簽：閃存NANDMarvell 970 0

一改低迷！存儲市場密集漲價！

展望后市，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷樂觀預(yù)計，明年DRAM產(chǎn)值將增加超40%，NAND產(chǎn)值預(yù)計增超25%。不過，吳雅婷還是提醒，產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇雖是進行式，...

2023-11-13 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲市場 1020 0

長江存儲起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書中，長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，并得到了行業(yè)和第三方機構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能...

2023-11-13 標(biāo)簽：NAND3d美光 1086 0

起訴美光！長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。

2023-11-13 標(biāo)簽：NAND美光長江存儲 830 0

三星計劃NAND閃存芯片每個季度漲價20%

三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。

2023-11-03 標(biāo)簽：NANDSSD閃存芯片 1914 0

三星電子將擴大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補充道：“三星電子將通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位，以確保其中長期競爭力?！比请娮迂?fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計劃...

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1596 0

逐季調(diào)漲20%！存儲巨頭NAND芯片漲至明年

值得注意的是，信達證券此前援引行業(yè)消息稱，近日三星向客戶公布Q4官價，MobileDRAM合約價環(huán)比漲幅預(yù)估將擴大至11%-25%；NAND Flash...

2023-11-03 標(biāo)簽：芯片NAND存儲器 830 0

三星計劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%

根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價，移動DRAM合約價環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面，UFS4.0漲幅約2%，eMCP、uMCP漲幅不等...

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND閃存芯片三星 728 0

商務(wù)部部長會見美光CEO：歡迎繼續(xù)扎根中國市場

目前，美光公司在西安擁有DRAM產(chǎn)品包裝及模塊制造工廠，在上海運營尖端ssd和移動nand產(chǎn)品的設(shè)計中心。美光公司還在中國經(jīng)營著三家客戶研究所

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAMNANDSSD 964 0

三星NAND擬進一步漲價，明年一、二季度將逐季調(diào)漲20%

這是國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉，三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10%至20%后，還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定n...

2023-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 1748 0

三星閃存每個季度都要漲價20％

在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴(yán)重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計劃后延長了減產(chǎn)計劃。

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND閃存芯片三星 1029 0

三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段（v8）。三星決定從明...

2023-11-03 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 2043 0

阿里平頭哥發(fā)布首顆SSD主控芯片：鎮(zhèn)岳510

鎮(zhèn)岳510芯片使用pcie 5.0x4接口、nvme1.4b規(guī)格、zns接口協(xié)議、16個高速nand通道，支持大容量、高帶寬。支持1xxl/2xxl t...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片NAND平頭哥 1397 0

三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

　SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計，由于DDR5需...

2023-10-24 標(biāo)簽：DRAMNAND服務(wù)器 664 0