三星西安:全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地

據(jù)報(bào)道，近日，陜西省2020年重點(diǎn)項(xiàng)目觀摩活動(dòng)舉行。其中，在走進(jìn)西安中，三星12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目等被提及。

2020-11-19 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 3.9萬(wàn) 0

NAND Flash和NOR Flash二者之間的區(qū)別是什么

1.1接口差別 NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以直接和CPU相連，CPU可以直接通過(guò)地址總線對(duì)NOR Flash進(jìn)行訪問(wèn)...

2020-11-03 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲(chǔ)器 3.4萬(wàn) 0

淺析國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與未來(lái)！

近日，存儲(chǔ)芯片大廠三星正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時(shí)，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片。...

2018-08-17 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)芯片 2.7萬(wàn) 0

美光宣布已量產(chǎn)全球首款232層NAND 帶來(lái)前所未有的性能

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過(guò) 200 層，可...

2022-07-28 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)美光 2.3萬(wàn) 0

數(shù)據(jù)顯示2018年內(nèi)存降價(jià)無(wú)望

經(jīng)過(guò)2017年一年的內(nèi)存亂戰(zhàn)，SSD已經(jīng)進(jìn)行了幾輪的洗牌。但是今年據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，今年內(nèi)存降價(jià)沒(méi)戲了，內(nèi)存價(jià)格上漲導(dǎo)致DDR3內(nèi)存卷土重來(lái)。

2018-02-11 標(biāo)簽：nandddr3內(nèi)存 2.0萬(wàn) 0

解析半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

半導(dǎo)體可能是世界上最重要的行業(yè)，因?yàn)樗鼈兪歉鞣N產(chǎn)品和服務(wù)的基礎(chǔ)。此外，它們?cè)谛屡d技術(shù)（例如人工智能（AI），高性能計(jì)算（HPC），5G，物聯(lián)網(wǎng)和自治系統(tǒng)...

2021-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND存儲(chǔ)器 1.8萬(wàn) 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)

談到NAND閃存，或者說(shuō)以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對(duì)速度的理解集中在像是SATA 3／PCIe 3．0等外部接口上，但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口，LG...

2018-11-26 標(biāo)簽：閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.8萬(wàn) 0

美光：DRAM價(jià)格下降放緩，NAND閃存正上升

美光科技公司在2019年面臨中美貿(mào)易挑戰(zhàn)。隨著華為被列入美國(guó)政府的實(shí)體名單，芯片制造商不得不暫停向華為發(fā)貨。鑒于需求疲軟和供過(guò)于求，美光面臨的另一個(gè)挑戰(zhàn)...

2019-12-27 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 1.7萬(wàn) 0

為什么中國(guó)芯片會(huì)那么缺呢？

中興事件的爆發(fā)暴露出中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的短板，芯片產(chǎn)業(yè)從來(lái)沒(méi)有像今天這樣，受到媒體、公眾甚至國(guó)家高層如此迫切的重視。

2018-07-03 標(biāo)簽：芯片nand 1.7萬(wàn) 0

三家主控廠商：慧榮、群聯(lián)、得一，共話(huà)SSD市場(chǎng)新格局

在2D納米工藝時(shí)代，NAND Flash架構(gòu)經(jīng)歷了從SLC向TLC的過(guò)渡，控制芯片技術(shù)的發(fā)展起到非常重要的作用。隨著原廠3D NAND技術(shù)的不斷成熟，2...

2018-09-13 標(biāo)簽：NANDSSD大數(shù)據(jù) 1.6萬(wàn) 0

美光：沖刺2020財(cái)年 DRAM，NAND有望Q3恢復(fù)

美光科技公司（Micron）于昨日宣布了截至2019年11月28日的2020財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)。 12月18日下午4:30（美國(guó)東部時(shí)間），美光舉行了最新...

2019-12-19 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 1.6萬(wàn) 0

你了解SSD的結(jié)構(gòu)嗎？國(guó)產(chǎn)主控芯片何時(shí)才會(huì)真正來(lái)臨

SSD硬盤(pán)逐漸取代HDD機(jī)械硬盤(pán)已經(jīng)是大勢(shì)所趨，2016年全球SSD硬盤(pán)出貨1.5億個(gè)，到2021年還將進(jìn)一步增長(zhǎng)到2.5億個(gè)，市場(chǎng)價(jià)值高達(dá)300億美元...

2018-05-22 標(biāo)簽：閃存nandssd 1.6萬(wàn) 0

鎧俠欲推出全新消費(fèi)級(jí)SSD品牌 從閃存到主控再到固件都將自主研發(fā)

作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商，從東芝獨(dú)立出來(lái)之后的鎧俠（Kioxia）從2020年開(kāi)始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。鎧俠的技術(shù)實(shí)力無(wú)可置...

2020-01-13 標(biāo)簽：東芝NAND 1.6萬(wàn) 0

2020年IC市場(chǎng)增長(zhǎng)有望恢復(fù) NAND Flash保持領(lǐng)漲

15日，根據(jù)IC Insights發(fā)布的《2020 McClean報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)至2020年33種IC產(chǎn)品類(lèi)別中的26種將恢復(fù)增長(zhǎng)。本文中將著重介...

2019-12-05 標(biāo)簽：DRAMICNand 1.6萬(wàn) 0

中國(guó)力推半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_(kāi)始提供三維NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，由于智能手機(jī)需求下降，NAND目前行情疲軟。不過(guò)，年初向來(lái)是需求下降的時(shí)期。很多人認(rèn)為，為迎接年底促銷(xiāo)，各公司2018年夏季將開(kāi)始采購(gòu)智能手機(jī)零...

2018-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND閃存芯片 1.5萬(wàn) 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片，這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中...

2020-04-14 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲(chǔ)芯片 1.5萬(wàn) 0

帶你認(rèn)識(shí)eMMC閃存和UFS閃存 規(guī)格不是萬(wàn)能的

一部完整的手機(jī)是由許多零部件組成的，但是用戶(hù)往往只關(guān)注運(yùn)算處理器、運(yùn)行內(nèi)存、圖形處理器等核心硬件，卻忽略了另外一個(gè)直接影響手機(jī)性能和讀取速度的硬件模塊：...

2018-12-18 標(biāo)簽：閃存NAND 1.4萬(wàn) 0

DRAM-less利用HMB技術(shù)優(yōu)化成本，彌補(bǔ)IOPS性能劣勢(shì)

2017 年受 NAND Flash 漲價(jià)因素的影響，SATA SSD 與 PCIe SSD 仍有 10%的差價(jià)，由于 PCIe SSD 較 SATA ...

2018-08-30 標(biāo)簽：芯片nandflash 1.3萬(wàn) 0