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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）今天發(fā)布了半導(dǎo)體的全球銷售金額，據(jù)他們報(bào)道，2020年十月，全球半導(dǎo)體銷量達(dá)到了390億美元，同比增長了6.0％。數(shù)據(jù)顯示，20...

2020-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC NAND 2k 0

PC DRAM爆料稱內(nèi)存價(jià)格將會上漲

日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。

2020-12-02 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 2.3k 0

華為緊急大量備貨閃存出貨容量暴漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告，2020年第三季度，全球NAND閃存行業(yè)出貨容量大增9％，只是平均售價(jià)減少了9％，導(dǎo)致總收入只微增了0.3％...

2020-12-01 標(biāo)簽：閃存 NAND 華為 1.4k 0

因華為緊急備貨，閃存出貨量暴漲

2020-12-01 標(biāo)簽：閃存 NAND 華為 1.4k 0

2020年Q3全球NAND閃存行業(yè)出貨容量大增9％

2020-12-01 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 華為 1.7k 0

2020年存儲行業(yè)十大事件：全球格局生變、價(jià)格跌宕起伏、國產(chǎn)芯片承壓突圍！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）2020年已接近尾聲，這一年對于存儲行業(yè)來說是不同尋常的一年。首先，價(jià)格漲跌出乎尋常，年初DRAM、NAND因?yàn)橐咔樵虍a(chǎn)...

2020-12-01 標(biāo)簽：Nand 存儲國產(chǎn)芯片 7.8k 0

FORESEE微存儲產(chǎn)品線推出的新品：SLC Parallel NAND

最近幾年，物聯(lián)網(wǎng)的概念特別火，各種便攜式電子產(chǎn)品層出不窮，無人機(jī)、WiFi路由器、掃地機(jī)器人、兒童手表等電子產(chǎn)品更新特別快。這類電子產(chǎn)品對存儲產(chǎn)品的需求...

2020-11-30 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng) 2.4k 0

Mate40旗艦機(jī)搭載長江存儲64層3D NAND

此外，楊士寧還展示了Xtacking技術(shù)，表示：在這一方面，長江存儲也是走在國際最前沿的；長江存儲的技術(shù)也是非常先進(jìn)的，以后可以委托給中芯國際；同時(shí)也要...

2020-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 長江存儲 3.9k 0

為打入NAND市場，西數(shù)澄清不會停用閃迪企業(yè)名稱變更僅限日本市場

為了打入 NAND 市場，傳統(tǒng)硬盤制造商之一的西部數(shù)據(jù)作出了收購閃迪的決定。之后一段時(shí)間，西數(shù)一直在采取兩步走的戰(zhàn)略，以避免對消費(fèi)市場造成太大的沖擊。 ...

2020-11-27 標(biāo)簽：閃存 NAND 閃迪 2.3k 0

全球NAND產(chǎn)值將在今年四季度環(huán)比下降

11月27日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2020年第四季度，全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降。對比2020年第...

2020-11-29 標(biāo)簽：NAND Nand flash 3.1k 0

TrendForce：全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降，進(jìn)一步降低閃存價(jià)格

11 月 27 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2020 年第四季度，全球 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降。 ...

2020-11-27 標(biāo)簽：閃存 NAND 行業(yè) 1.7k 0

日韓的芯片企業(yè)在華為受限后成為大贏家

近日市調(diào)機(jī)構(gòu)IC insights給出的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2019年日本、韓國的芯片企業(yè)應(yīng)收大幅增長，而美國幾家芯片企業(yè)的營收出現(xiàn)下滑，顯示出日韓的企業(yè)在華...

2020-11-27 標(biāo)簽：芯片 NAND 華為 2.3k 0

全球NAND Flash三季度閃存市場情況曝光

日前，TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場的主要情況。

2020-11-27 標(biāo)簽：NAND intel 西部數(shù)據(jù) 2.3k 0

2021年全球NAND存儲市場規(guī)模仍會呈增長態(tài)勢

據(jù)報(bào)道，市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement的報(bào)告顯示，雖然存儲市場具有季節(jié)和周期性波動的特性，但全球NAND存儲市場規(guī)模仍會呈增長態(tài)勢，預(yù)計(jì)2...

2020-11-26 標(biāo)簽：NAND 存儲 ASML 3.1k 0

得一微:已處于國產(chǎn)存儲控制芯片的領(lǐng)先地位

2021中國IC風(fēng)云榜“年度新銳公司”征集現(xiàn)已啟動！入圍標(biāo)準(zhǔn)要求為營收過億元的未上市、未進(jìn)入IPO輔導(dǎo)期的半導(dǎo)體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評選將由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟...

2020-11-25 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 NAND 4.4k 0

中國企業(yè)開始成為存儲市場的新興力量

半導(dǎo)體存儲器是現(xiàn)代以數(shù)據(jù)為中心社會的關(guān)鍵戰(zhàn)略市場，并受到重要的大趨勢的推動，這些大趨勢包括移動性，云計(jì)算，人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）。NAND（...

2020-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 3.2k 0

長江存儲科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首...

2020-11-24 標(biāo)簽：NAND SSD 長江存儲 5.2k 0

初創(chuàng)公司的新X-NAND技術(shù)在芯片級別提高了并行度

在2020年閃存峰會上，一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了最佳展示獎(jiǎng) 。該公司表示它可以描述被稱為X-N...

2020-11-23 標(biāo)簽：芯片 NAND 存儲器 2k 0

鎧俠在中國存儲市場的發(fā)展前景如何?

經(jīng)歷2019年寒冬，2020年又遭遇“疫情”嚴(yán)重沖擊，導(dǎo)致手機(jī)市場需求大幅下滑，再加上中美貿(mào)易沖突影響，全球存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展在今年變得詭譎多變。不過，鎧俠對...

2020-11-22 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3.4k 0

未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 4.2k 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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3D NAND Flash

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西數(shù)

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
長鑫存儲

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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