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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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NAND加速邊緣計算場景化落地

日前，存儲器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲器邊緣計算 2.4k 0

長江存儲 64 層 3D NAND 打入華為 Mate 40 供應(yīng)鏈

IT之家 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國際研討會暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會議本周在京舉行，長江存儲首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。楊...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND 華為供應(yīng)鏈 2k 0

長江存儲正式推出國產(chǎn)首個129層 3D NAND閃存

在“2020北京微電子國際研討會暨IC World學(xué)術(shù)會議”上，長江存儲科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢下中國芯片制造突圍的新路徑》的主題演講...

2020-11-20 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.7k 0

三星西安:全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地

據(jù)報道，近日，陜西省2020年重點(diǎn)項(xiàng)目觀摩活動舉行。其中，在走進(jìn)西安中，三星12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目等被提及。

2020-11-19 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3.9萬 0

3D NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展趨勢分析

日前，TechInsights高級技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。

2020-11-19 標(biāo)簽：驅(qū)動器 NAND 3D 3.6k 0

紫光國芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲控制器和物理接口IP

根據(jù)紫光國芯介紹，這個GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內(nèi)存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn)，并允許設(shè)計工...

2020-11-19 標(biāo)簽：NAND 控制器芯片紫光國芯 2.8k 0

長江存儲推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking有什么優(yōu)勢?

11月18日報道今日，在“2020北京微電子國際研討會暨IC WORLD學(xué)術(shù)會議”上，長江存儲科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示，長江存儲推出的...

2020-11-18 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲 5k 0

預(yù)計:2020年底10nm以下的產(chǎn)能將占IC行業(yè)總晶圓產(chǎn)能的10%

芯片的制程越來越先進(jìn)，隨著IC設(shè)計制造精度的提高，現(xiàn)代已經(jīng)量產(chǎn)的芯片中能在晶圓上雕刻出的電路之間的間距越來越短，但帶來的問題是，隨著芯片工藝水平的提升，...

2020-11-18 標(biāo)簽：芯片 IC NAND 1.9k 0

SK海力士將收購英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Opta...

2020-11-16 標(biāo)簽：芯片 NAND 閃存芯片 3.1k 0

新 X-NAND 閃存架構(gòu)詳解：QLC 的容量和定價 + SLC 的速度

在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會期間，NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安（Andy Hsu）進(jìn)行了詳細(xì)的演講，介紹了該公司全新 X-NAND ...

2020-11-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 容量 2.9k 0

美光科技出貨首款176層NAND 閃存性能和密度突破刷新行業(yè)紀(jì)錄

北京時間11月13日消息，內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷...

2020-11-13 標(biāo)簽：閃存 NAND 美光科技 2.5k 0

KIOXIA鎧俠助力中國市場進(jìn)入存儲新時代

從隨身攜帶的手機(jī)U盤，到PC筆記本中的硬盤，存儲產(chǎn)品是很多人日常生活中不可缺少的設(shè)備，縱覽整個存儲市場，品牌也是五花八門，今年以來，“鎧俠”這個品牌正頻...

2020-11-13 標(biāo)簽：NAND 存儲器 PC 2.5k 0

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之...

2020-11-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 2.6k 0

SK海力士已簽署協(xié)議收購英特爾的NAND內(nèi)存和存儲業(yè)務(wù)

SK海力士在聲明中稱，已簽署協(xié)議收購英特爾的NAND內(nèi)存和存儲業(yè)務(wù)。此次收購包括英特爾的固態(tài)硬盤、Nand閃存和晶片業(yè)務(wù)，以及位于大連的工廠。但將以兩次...

2020-11-11 標(biāo)簽：英特爾 NAND SK海力士 2.5k 0

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NA...

2020-11-11 標(biāo)簽：NAND 3D TLC 2.9k 0

美光全新176層堆疊閃存發(fā)布，可以輕松放入智能手機(jī)和存儲卡內(nèi)

2020-11-10 標(biāo)簽：閃存 nand Intel 2.3k 0

美光發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的...

2020-11-10 標(biāo)簽：芯片 NAND 三星電子 3.4k 0

閃存市場預(yù)計到2021年下半年才會復(fù)蘇

雙11期間，SSD硬盤有不少好價出現(xiàn)，大家買了沒？閃存市場的趨勢差不多了，今年還會繼續(xù)跌，廠商期盼的漲價要到2021年下半年才能出現(xiàn)。SSD主控大廠SM...

2020-11-09 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 2.2k 0

NAND閃存價格已經(jīng)回到可控范圍內(nèi)

SSD主控大廠SMI慧榮總經(jīng)理茍嘉章日前表示，NAND閃存價格已經(jīng)回到可控范圍內(nèi)，預(yù)計Q4現(xiàn)貨價頂多下滑4-5%。

2020-11-08 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 1.9k 0

武漢發(fā)布重大項(xiàng)目計劃表,涵蓋多個集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目

10月底，湖北武漢發(fā)改委發(fā)布2020年市級重大項(xiàng)目計劃表，包括162個重大在建項(xiàng)目計劃、90個重大新開工項(xiàng)目計劃、以及49個重大前期項(xiàng)目計劃，涵蓋多個集...

2020-11-08 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲器 2.6k 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

江波龍

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非易失性存儲器

非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
NOR flash

NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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西數(shù)

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
安博會

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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
V-NAND

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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
長鑫存儲

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