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標(biāo)簽 > nmos管
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MOS管常需要偏置在弱反型區(qū)和中反型區(qū),就是未來(lái)在相同的偏置電流下獲得更高的增益。目前流行的MOS管模型大致可分為兩類,本文將詳解MOS管模型的類型和N...
2018-02-23 標(biāo)簽:nmos管 5.8萬(wàn) 0
畫電路板的小伙伴可能經(jīng)常遇到各種標(biāo)號(hào),今天就來(lái)分享一下電源相關(guān)標(biāo)號(hào)的內(nèi)容。
2023-07-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電源電壓Vcc 2.7萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管原理通俗理解 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場(chǎng)效應(yīng)管是做什么用的
場(chǎng)效應(yīng)管(英語(yǔ):field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.6萬(wàn) 0
NMOS管和PMOS管的原理介紹及應(yīng)用實(shí)例
如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片A4950及H橋電路分析
全面解析電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片A4950及H橋電路,主要分為以下幾個(gè)方面。
2023-03-31 標(biāo)簽:電路分析電機(jī)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)芯片 1.8萬(wàn) 0
NMOS晶體管是一種電子元件,它是一種半導(dǎo)體晶體管,其中N指的是n型半導(dǎo)體材料,它具有負(fù)極性,可以用來(lái)控制電流的流動(dòng)。它的主要功能是在電路中控制電流的流...
NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓,γ為晶體管的偏置系數(shù),φF為晶體管的反向偏置電勢(shì),C...
淺談ESD防護(hù)設(shè)計(jì)—NMOS的妙用(一)
目前主流的ESD-NMOS有兩大設(shè)計(jì)思路:GGNMOS(Gate Ground NMOS),GCNMOS(Gate Couple NMOS)。
用CMOS傳輸門實(shí)現(xiàn)一個(gè)異或門電路
用CMOS傳輸門實(shí)現(xiàn)一個(gè)雙路開關(guān)電路,在電路上標(biāo)明輸入端和輸出端,并寫出輸出的邏輯表達(dá)式。
當(dāng)你使用3.3V的單片機(jī)的時(shí)候,電平轉(zhuǎn)換就在所難免了,經(jīng)常會(huì)遇到3.3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3.3V的情況。
2017-11-17 標(biāo)簽:nmos管 1.3萬(wàn) 0
一文解析NMOS管的大信號(hào)模型和小信號(hào)模型
NMOS管,其電路模型可分為大信號(hào)模型和小信號(hào)模型。
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
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