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標(biāo)簽 > nmos

nmos

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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。

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nmos技術(shù)

MOS晶體管的靜態(tài)特性(一)

MOS晶體管的靜態(tài)特性(一)

目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETNMOS晶體管 5040 0

場(chǎng)效應(yīng)管的電流方向怎么判斷

場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)的電流方向判斷,主要依據(jù)其類型(N溝道或P溝道)以及源極(S)、漏極(D)和柵極(...

2024-07-23 標(biāo)簽:電流場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 5023 0

幾種常用的防反接電路

幾種常用的防反接電路

描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡(jiǎn)單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí),會(huì)存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)

2023-05-08 標(biāo)簽:二極管usbMOS管 4849 1

為什么MOS管要并聯(lián)一個(gè)二極管?有什么用?

MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě),全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過(guò)來(lái)是金屬-...

2023-01-14 標(biāo)簽:二極管MOSFETMOS管 4844 0

為啥CMOS反相器要優(yōu)于NMOS反相器呢?

為啥又看反相器呢,因?yàn)橄胱鯬LL,鎖相環(huán)里有PD,PD里面有鎖存器,鎖存器里有NAND,而NAND里又是基于反相器。所以嘍。

2022-10-31 標(biāo)簽:CMOSNMOS反相器 4796 0

NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

NMOS晶體管工作在線性區(qū)時(shí),漏源兩端的溝道存在阻性連接,以下文字對(duì)這種阻性連接進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。

2023-04-17 標(biāo)簽:電流NMOS電壓 4758 0

三極管的開(kāi)關(guān)電路講解

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對(duì)于三極管開(kāi)關(guān)電路,要使其 ON和 OFF 時(shí)間越短越好,為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時(shí)間滯后,在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R...

2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路MOSFET 4681 0

分享關(guān)于MOS管背靠背的使用方法

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PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?

2022-11-12 標(biāo)簽:MOS管NMOSPMOS 4652 0

芯片功耗的IR分析

低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。

2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4650 0

詳解MOS管的基本原理和工作特性

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都說(shuō)酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門(mén)的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無(wú)與倫比的性能...

2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFETMOS管NMOS 4624 0

CMOS與NMOS技術(shù)的區(qū)別差異

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)作為兩種重要的半導(dǎo)體技術(shù),各自在電子領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作...

2024-05-22 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體NMOS 4604 0

單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案(1)

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引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時(shí)專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...

2023-06-12 標(biāo)簽:鋰電池電池管理MOSFET 4571 0

采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)

采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)

引言:無(wú)論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡(jiǎn)述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。

2023-06-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)IC 4539 0

CLASS-AB輸出級(jí)及偏置設(shè)計(jì)淺析

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采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-06-18 標(biāo)簽:NMOS電流鏡偏置電壓 4469 0

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逆變器是反轉(zhuǎn)所施加信號(hào)的邏輯元件。在數(shù)字電路中,開(kāi)關(guān)或邏輯功能的二進(jìn)制算術(shù)和數(shù)學(xué)操作最好使用符號(hào)0(零)和1(一)執(zhí)行。如果邏輯電平為0(接地)或0 V...

2023-02-20 標(biāo)簽:NMOS逆變器PMOS 4235 0

四種晶體管開(kāi)關(guān)電路詳解

四種晶體管開(kāi)關(guān)電路詳解

“晶體管開(kāi)關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開(kāi)關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,也稱“模擬開(kāi)關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開(kāi)關(guān)(Logic Switch)...

2023-06-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOS管NMOS 4069 0

淺談芯片低功耗的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

眾所周知,隨著芯片越來(lái)越大,功能越來(lái)越豐富,以及移動(dòng)市場(chǎng)的切實(shí)需求,低功耗的芯片設(shè)計(jì),越來(lái)越受到推崇。這里,結(jié)合多年的低功耗設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),把一些理念和方法,...

2023-03-31 標(biāo)簽:芯片NMOS低功耗 3968 0

NMOS放大器電路模型詳解(二)

NMOS放大器電路模型詳解(二)

  NMOS在工作在飽和區(qū)時(shí)是一個(gè)非線性壓控電流源,小信號(hào)時(shí)可以看成是線性的。

2023-02-16 標(biāo)簽:放大器NMOS小信號(hào) 3943 0

一文詳解MOS的寄生模型

一文詳解MOS的寄生模型

引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETNMOS晶體管 3931 0

流片Corner Wafer介紹

流片Corner Wafer介紹

芯片制造是一個(gè)物理過(guò)程,存在著工藝偏差(包括摻雜濃度、擴(kuò)散深度、刻蝕程度等),導(dǎo)致不同批次之間,同一批次不同晶圓之間,同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標(biāo)簽:晶圓NMOS芯片制造 3862 0

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    新松機(jī)器人自動(dòng)化股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“新松”)成立于2000年,隸屬中國(guó)科學(xué)院,是一家以機(jī)器人技術(shù)為核心的高科技上市公司。作為國(guó)家機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化基地,新松擁有完整的機(jī)器人產(chǎn)品線及工業(yè)4.0整體解決方案。
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酒醒微涼 你眼睛好漂亮 Alondra

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