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標(biāo)簽 > pmos管
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MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。
什么是負(fù)載開關(guān)?為什么需要負(fù)載開關(guān)及負(fù)載開關(guān)的保護(hù)功能?
負(fù)載開關(guān)是一個集成的電子繼電器,內(nèi)部用一個開關(guān)來連接和斷開系統(tǒng)電源軌。類似于閘刀,同時,集成了很多輔助保護(hù)功能。
2023-10-02 標(biāo)簽:繼電器負(fù)載開關(guān)體二極管 7123 0
隨著移動設(shè)備的興起和芯片工藝的提升,功耗成為近年來芯片設(shè)計(jì)越來越關(guān)注的話題。對功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進(jìn)行分析,用戶角度和芯片設(shè)計(jì)者角度。
2023-06-29 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)CMOS電路預(yù)分頻器 7068 0
NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止,因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
2024-01-15 標(biāo)簽:開關(guān)控制柵極電壓NMOS管 7048 0
在我們?nèi)粘I钪?,用的最多的電子產(chǎn)品,比如電腦、手機(jī)等,一般都有開關(guān)機(jī)鍵,當(dāng)我們想開機(jī)或者關(guān)機(jī)的時候,我們就必須長按(比如5s)才會產(chǎn)生動作響應(yīng)。
2023-11-16 標(biāo)簽:開關(guān)電路GPIODCDC芯片 6830 0
前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu),符號,閾值電壓,四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式,相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解,這篇給大家...
高增益單級運(yùn)放和增益自舉電路設(shè)計(jì)
通過M9電流200uA,兩條支路分別是100uA的電流。我們計(jì)算設(shè)計(jì)仿真的順序是:M9-M7M8-M5M6-M1M2-M3M4。
2023-11-21 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)運(yùn)放 5966 0
怎樣去設(shè)計(jì)一個簡易的獨(dú)立雙電源供電電路呢?
相信大家經(jīng)常會遇到外部交流電源和鋰電池這種雙電源供電的設(shè)備,因?yàn)檫@次做項(xiàng)目需要實(shí)現(xiàn)這樣的功能
如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
gm/Id方法設(shè)計(jì)二級OTA(2)—電流鏡式放大器介紹
輸入級放大電路由 M1~M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對,差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號干擾;M3、M4 電流鏡為有源...
你要是想讀懂這篇文章,請先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識,本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展,可能有一點(diǎn)點(diǎn)深,請各位同學(xué)注意。
2023-11-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管源極 5255 0
用于基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的啟動電路設(shè)計(jì)
下拉晶體管源極輸出端即為啟動電路的啟動節(jié)點(diǎn),該啟動節(jié)點(diǎn)連接帶隙基準(zhǔn)電路的PMOS電流鏡柵極,啟動電路工作時將帶隙基準(zhǔn)電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低,...
PMOS管防反接電路是一種用于防止電源反接的電路設(shè)計(jì),它利用PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)管的特性來實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)功能。 一、PMOS管防反接電路的工...
“電路防反接,你真的會用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師,都會在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND...
低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。
2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4646 0
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