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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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LP38500-ADJ 1.5A 可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
TI 的 FlexCap 低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器具有獨特的補償功能,允許 使用任何類型的輸出電容器,對最小或最大等效串聯(lián)沒有限制 電阻 (ESR...
數(shù)據(jù)手冊#TPS7B4256-Q1 具有 FB 和 6mV 跟蹤容差的汽車類70mA 40V電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器
TPS7B4256-Q1 是一款單片集成低壓差 (LDO) 電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 SOIC 和 HSOIC 封裝。TPS7B4256-Q1 ...
MOS管選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝,同時需結(jié)合電路設(shè)計、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS。“...
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負載是接地的,開關(guān)相對于負載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負載的位置互換,就是低側(cè)開關(guān)。
PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)晶體管,即P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是電子電路中常用的關(guān)鍵元件之一。...
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...
在探討PMOS開關(guān)電路的連接方式時,我們需要考慮不同的應(yīng)用場景和具體需求。 一、PMOS開關(guān)電路的基本原理 PMOS(P-channel Metal O...
2024-10-06 標(biāo)簽:開關(guān)電路場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電 6k 0
PMOS晶體管是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)點,如低功耗、高速度和良好的集成性。然而,要充分利用PMOS晶體管的性能,我們需要了解其...
2024-08-01 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體材料PMOS 3.3k 0
PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點,如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論PM...
SMT僅僅是用來提高NMOS 的速度,當(dāng)工藝技術(shù)發(fā)展到45nm 以下時,半導(dǎo)體業(yè)界迫切需要另一種表面薄膜層應(yīng)力技術(shù)來提升PMOS 的速度。在SMT技術(shù)的...
與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
華太電子理想二極管在防反接保護電路、ORing中的應(yīng)用
在電源系統(tǒng)中,通常需要設(shè)計防反接保護,以防止現(xiàn)場電源接線錯誤導(dǎo)致的短路大電流燒毀元器件的情況出現(xiàn)。在防反接保護電路中,大多數(shù)設(shè)計采用二極管或PMOS管的...
PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝制程技術(shù)是最早出現(xiàn)的MOS...
2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管PMOS 4.6k 0
在集成電路和微電子領(lǐng)域中,MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管是一種基本的電子元件,根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類型...
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