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標簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。
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存儲芯片是半導體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測,2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1675億美元,...
富士通如何在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上滿足“定制化”需求?
各種系統(tǒng)對存儲器讀寫速度、可重復(fù)讀寫次數(shù)、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同,存儲技術(shù)正在走向細分……
MRAM,ReRAM,Xpoint這三個技術(shù)是目前市場的焦點
ReRAM之前曾經(jīng)因為HPE的“The Machine”熱過一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作...
隨著AI功能逐漸向邊緣端發(fā)展,它們將推動更多的AI應(yīng)用,而且這些應(yīng)用將越來越需要更強大的分析能力和智能,以便讓系統(tǒng)在本地即可做出操作決策,無論是部分還是...
全面介紹新型存儲技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標簽:DRAM存儲器Nand flash 6491 0
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...
在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中,處理與存儲單元是分離的。由于存算分離,AI計算的數(shù)據(jù)搬運量非常大,會導致功耗大大增加,也就是存儲墻。
多倫多—有時問題可以變成它自己的解決方案。 對于CEA-Leti科學家而言,這意味著先前被視為“非理想”的電阻性RAM(ReRAM)器件的特性可能是克服...
新型存儲MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
全新的存儲器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對于傳統(tǒng)存儲器來說,具有很多方面獨特的優(yōu)勢,能夠在計算系統(tǒng)層級實現(xiàn)更優(yōu)的計算性能、功耗和成本。
FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創(chuàng)新存儲技術(shù)串起關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲一攬子解決方案
《華爾街日報》前不久的一篇文章指出,近年來智能手機、PC、平板電腦等設(shè)備的進化并沒有以往那么快速,不過它們正以新的方式推進創(chuàng)新,硬件廠商更多針對特定任務(wù)...
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器,是一種非易失性存儲器,具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可...
面向?qū)ο笙到y(tǒng)的采用,以及限制類型轉(zhuǎn)換的強類型語言和對程序員的一些限制,可以使執(zhí)行流程可預(yù)測并避免對單個連續(xù)內(nèi)存空間的需求。諸如在圖形和機器學習中發(fā)現(xiàn)的任...
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標之一是實現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡化了設(shè)計流程,還提升了整體...
RAMXEED ReRAM存儲器在助聽器中的應(yīng)用
加賀富儀艾電子旗下代理品牌RAMXEED有限公司的ReRAM在與傳統(tǒng)EEPROM相比,芯片尺寸相當?shù)那闆r下實現(xiàn)了2到6倍的存儲容量。在對芯片尺寸要求嚴格...
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